碳化硅作為一種寬禁帶功率器件，受到人們越來越多的關注。與硅相比，碳化硅的禁帶寬度更大，碳化硅器件擁有更低的漏電流及更高的工作溫度，抗輻照能力得到提升；碳化硅材料擊穿電場是硅的10倍，其器件可設計更高的摻雜濃度及更薄的外延厚度，與相同電壓等級的硅功率器件相比，導通電阻更低；碳化硅具有高電子飽和速度的特性，使器件可工作在更高的開關頻率；同時，碳化硅材料更高的熱導率也有助于提升系統的整體功率密度。碳化硅器件的高頻、高壓、耐高溫、開關速度快、損耗低等特性，使電力電子系統的效率和功率密度朝著更高的方向前進。在新能源發電、電動汽車等一些重要領域也展現出其巨大的應用潛力。碳化硅器件與高功率應用中常用的硅器件相比具有多項優勢，但碳化硅功率器件仍然面臨一些大規模生產的挑戰。
一年一度行業盛會，第八屆國際第三代半導體論壇（IFWS）&第十九屆中國國際半導體照明論壇（SSLCHINA ）將于2023年2月7-10日（7日報到）在蘇州金雞湖凱賓斯基大酒店召開。作為IFWS的重要分會之一，該分會由勵德愛思唯爾信息技術（北京）有限公司、中國電子科技集團公司第四十八研究所、北京北方華創微電子裝備有限公司、江蘇博睿光電股份有限公司、南京芯干線科技有限公司、蘇州博湃半導體技術有限公司、深圳市先進連接科技有限公司協辦支持。
屆時，將由浙江大學電氣工程學院院長盛況教授和復旦大學特聘教授、上海碳化硅功率器件工程技術研究中心主任張清純教授共同主持，奧地利維也納工業大學微電子研究所所長Tibor GRASSER教授，德國弗勞恩霍夫研究所研究員Eckart HOENE，國網智能電網研究院有限公司教授級高工楊霏，中國電子科技集團公司第四十八研究所、半導體裝備研究部主任鞏小亮，浙江大學特聘研究員任娜，北京北方華創微電子裝備有限公司第一刻蝕事業部副總經理謝秋實，復旦大學研究員雷光寅，東南大學教授劉斯揚，江蘇博睿光電股份有限公司副總經理梁超，西安電子科技大學副教授孫樂嘉，南京芯干線科技有限公司董事長兼CTO傅玥，中國科學院上海微系統與信息技術研究所副研究員鄭理，賀利氏電子中國區研發總監張靖，武漢大學工業科學研究院研究員張召富，中國電子科技集團公司第五十五研究所劉奧等科研院所知名專家、學者和知名企業代表共同參與，將圍繞碳化硅功率電子器件前沿技術分享主題報告。
目前該分會日程已經出爐，詳情如下：
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技術分論壇：碳化硅功率電子器件 Technical Sub-Forum: SiC Power Electronic Devices |
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時間：2023年2月9日13:30-18:05 地點：蘇州金雞湖凱賓斯基大酒店 • K5-6 Time: Feb 9, 2023, 13:30-18:05 Location: Kempinski Hotel Suzhou • K5-6 |
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協辦支持/Co-organizer: 勵德愛思唯爾信息技術（北京）有限公司/Reed Elsevier Information Technology (Beijing) Co., Ltd. 中國電子科技集團公司第四十八研究所/The 48th Research Institute of China Electronics Technology Group Corporation 北京北方華創微電子裝備有限公司/NAURA Technology Group Co., Ltd 江蘇博睿光電股份有限公司/Jiangsu Bree Optronics Co., Ltd 南京芯干線科技有限公司/ Nanjing X-IPM Technology Co., Ltd. 蘇州博湃半導體技術有限公司/Suzhou Bopai Semiconductor Technology Co., Ltd. 深圳市先進連接科技有限公司/ Shenzhen Advancde Joining Technology Co.,Ltd. |
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屏幕尺寸 / Slides Size：16:9 |
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主持人 Moderator |
盛 況 / SHENG Kuang 浙江大學電氣工程學院院長、教授 Dean and Professor, School of Electrical Engineering, Zhejiang University 張清純 / Jon Zhang 復旦大學特聘教授、上海碳化硅功率器件工程技術研究中心主任 Distinguished Professor of Fudan University, Director of the Engineering Technology Research Center for SiC Power Devices |
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13:30-13:50 |
Physical Modeling of Charge Trapping Effects in SiC MOSFETs Tibor GRASSER——奧地利維也納工業大學微電子研究所所長、教授 Tibor GRASSER——Professor and Head of the Institute for Microelectronics at Technische Universität Wien, Austria |
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13:50-14:10 |
6500V SiC MOSFET器件研制及電力電子變壓器工程應用 Development of 6500V SiC MOSFET Devices and Engineering Application of Solid State Transformers 楊霏——北京智慧能源研究院功率半導體所副總師 YANG Fei——Deputy Chief Engineer, Power Semiconductor Institute, Beijing Intelligent Energy Research Institute |
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14:10-14:30 |
SiC功率器件制造裝備技術及發展趨勢 Technology and development trends of SiC power devices manufacturing equipment 鞏小亮——中國電子科技集團公司第四十八研究所、半導體裝備研究部主任 Xiaoliang GONG——Director of Semiconductor equipment research department, The 48th Research Institute of China Electronics Technology Group Corporation |
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14:30-14:50
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1200V SiC MOSFET抗輻射可靠性研究 Investigation of 1200V SiC MOSFET Radiation Ruggedness 任娜——浙江大學特聘研究員 REN Na——Professor of Zhejiang University |
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14:50-15:10 |
等離子刻蝕技術在第三代化合物半導體領域的應用 Application of Plasma Etching Technology in the Third-generation Compound Semiconductor Field 謝秋實——北京北方華創微電子裝備有限公司 第一刻蝕事業部副總經理 XIE Qiushi——Deputy General Manager of NAURA Technology Group Co., Ltd. |
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15:10-15:25 |
比電阻3.3毫歐.平方厘米的1200伏14毫歐SiC MOSFET 1200V 14mohm SiC MOSFET with Rsp,on of 3.3mohm.cm^2 雷光寅——復旦大學副研究員 LEI Guangyin——Associate Professor of Fudan University |
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15:25-15:40 |
茶歇 / Coffee Break |
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15:40-16:00 |
Packaging, Integration and fast switching in Power Electronics: what has been achieved and what´s next? Eckart HOENE——德國弗勞恩霍夫研究所研究員 Eckart HOENE——Research Fellow of Fraunhofer, Germany |
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16:00-16:20 |
電熱應力下碳化硅功率MOSFET損傷的多尺度探測表征方法 Multi-scale Detection and Characterization of SiC Power MOSFET Damage under Electro-thermal Stress 劉斯揚——東南大學教授 LIU Siyang——Professor of Southeast University |
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16:20-16:40 |
面向功率器件的高性能 High Performance AlN Ceramic Substrate for Power Devices 梁超——江蘇博睿光電股份有限公司副總經理 LIANG Chao——Deputy General Manager of Jiangsu Bree Optronics Co., Ltd |
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16:40-17:00 |
SiC等離子體波脈沖功率器件與應用研究 Research on 4H-SiC Plasma Wave Pulsed Power Devices and its Applications 孫樂嘉——西安電子科技大學副教授 SUN Lejia——Associate Professor of Xidian University |
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17:00-17:20 |
GaN HEMT與SIC MOSFET在戶用儲能PCS方向應用優勢 Advantages in household energy storage PCS using GaN HEMT and SiC MOSFET 傅玥——南京芯干線科技有限公司董事長兼CTO General Manger and CTO of All Rights Reserved Nanjing X-IPM Technology Co., Ltd. |
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17:20-17:35
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SiC功率器件高效無毒的界面改性 Efficient and non-toxic interface modification of SiC 鄭理——中國科學院上海微系統與信息技術研究所副研究員 ZHENG Li——Associate Professor of Shanghai Institute of Microsystems and Information Technology, Chinese Academy of Sciences |
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17:35-17:50 |
Condura.ultraTM無銀AMB氮化硅基板---車規級功率模塊用高性價比解決方案 Condura.ultraTM silver free AMB --- cost-effective solution for automotive power module 張靖——賀利氏電子中國區研發總監 ZHANG Jing——Director of Innovation China, Heraeus Electronics |
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17:50-18:05 |
4H-SiC MOSFET中界面碳團簇的形成和遷移率退化機理 Interfacial Carbon Cluster Formation and Mobility Degradation in 4H-SiC MOSFETs 張召富——武漢大學工業科學研究院研究員 ZHANG Zhaofu——Professor of The Institute of Technological Sciences, Wuhan University |
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18:05-18:20 |
SiC MOSFET熱阻精確測量技術研究 Research on the technique of accurately measuring thermal resistance of SiC MOSFET 劉奧——中國電子科技集團公司第五十五研究所 LIU AO——Nanjing Electronics Research Institute |
備注：日程或有微調，最終以現場為準。
【部分嘉賓簡介】
盛 況
浙江大學電氣工程學院院長、求是特聘教授
浙江大學杭州國際科創中心先進半導體研究院院長
盛況，浙江大學求是特聘教授，博士生導師，浙江大學電氣工程學院院長，浙江大學杭州國際科創中心先進半導體研究院院長。長期從事硅基和寬禁帶電力電子芯片、封裝及應用研究，包括芯片設計與工藝、器件封裝與測試以及在智能電網、軌道交通、新能源汽車、工業電機、各類電源等領域中的應用，2009年回國創建浙江大學電力電子器件實驗室（Power Electronic Device Lab, PEDL），是國內較早開展碳化硅和氮化鎵電力電子器件研發的團隊。
團隊承擔了電力電子器件及應用領域的多個國家級、省部級和橫向合作項目，包括國家重大科技專項、國家863主題項目及課題、國家重點研發計劃項目及課題、自然科學基金委杰出青年基金、自然科學基金委重點項目等十余項，在器件理論、芯片研制、器件封測和應用方面取得了一些成果，包括最早報道了碳化硅（SiC）功率集成芯片、在國內較早自主研制出了系列SiC芯片和模塊（600V~6000V/最高300A，SBD、JBS、MPS、JFET、MOSFET）等。團隊也和國內外著名企業開展合作推進成果的產業化。相關的成果在國際頂級學術期刊及會議發表論文200余篇，引用次數2700次以上，獲授權專利20余項（40余項申請中），2010年獲浙江省自然科學二等獎，2019年獲國家技術發明二等獎等。
張清純
復旦大學特聘教授
上海碳化硅功率器件工程技術研究中心主任
張清純，復旦大學特聘教授、上海碳化硅功率器件工程技術研究中心主任。長期從事SiC器件的研發和產業化。迄今撰寫過100余篇科技論文和SiC器件領域專著；多次受邀在國際碳化硅、功率半導體的學術會議上作大會報告；作為第一和合作發明人，擁有75多項美國專利；多次擔任ISPSD技術委員會成員和碳化硅器件分會主席；曾任國際電力電子技術路線圖研討會聯合主席等。研究方向為半導體物理與器件；寬帶半導體器件物理、工藝、測試、產業化及應用；器件模擬及仿真；電力系統。
Eckart HOENE
德國弗勞恩霍夫可靠性和微集成研究所負責人、研究員
楊霏
北京智慧能源研究院功率半導體所副總師
楊霏，博士，教授級高工，北京智慧能源研究院功率半導體所副總師。長期從事高壓碳化硅器件研制及生產條件建設，主持研制出1200V、6500V系列碳化硅MOSFET產品以及18kV碳化硅IGBT。主持863項目1項、國家重點研發計劃項目2項，北京市和國網公司科技項目20余項。授權發明專利32項，發表論文45篇，制訂碳化硅技術標準6項。
鞏小亮
中國電子科技集團公司第四十八研究所半導體裝備研究部主任
鞏小亮，中國電子科技集團公司第四十八研究所半導體裝備研究部主任。電科裝備第三代半導體領域技術專家。長期從事第三代半導體制造裝備技術研究與產業化，重點致力于大尺寸SiC外延生長設備開發，承擔了國家863計劃、湖南省科技重大專項等項目，發表論文10余篇，授權發明專利6項，牽頭制定行業標準2項，獲中國電科科學技術獎一等獎、中國電科“十大青年拔尖人才”等獎勵，正牽頭承擔第三代半導體裝備領域國家、省部級重大工程項目。
謝秋實
北京北方華創微電子裝備有限公司第一刻蝕事業部副總經理
謝秋實，北京北方華創微電子裝備有限公司第一刻蝕事業部副總經理。主持開發了針對先進封裝、功率器件、MEMS、化合物半導體等領域多款刻蝕設備，市場占有率在國內名列前茅。謝經理畢業于北京大學物理系及慕尼黑工業大學肖特基研究所。擁有半導體刻蝕領域論文3篇，授權專利15篇。
雷光寅
復旦大學寧波研究院寬禁帶半導體材料與器件研究所副所長
復旦大學研究員
雷光寅，博士、特聘研究員，復旦大學寧波研究院寬禁帶半導體材料與器件研究所副所長，主要負責研究所科技研發、科技服務的日常管理工作，同時還兼任復旦大學研究員。其長期從事功率半導體器件、封裝及可靠性評估研究，包括新型電子封裝材料、功率半導體封裝技術、集成化功率模塊封裝工藝開發、半導體模塊可靠性及失效機理分析等。雷光寅博士具有新材料開發、電子模塊設計15年以上工作經驗。2018-2020年，擔任上海蔚來汽車有限公司電動力工程部技術專家，全面負責設計開發先進電機控制系統在新能源車中的應用；2010-2018年，擔任美國密西根州福特汽車公司技術研發中心電驅動系統部資深研發工程師，負責電驅動系統電機控制器以及功率模塊的開發。迄今在IEEE Transactions on Power Electronics等高水平期刊發表SCI論文17篇，總引次數超過1500次。近五年獲美國、歐洲、中國授權發明專利17項。在國外學習工作期間，領導參與了五個大型研發項目。回國工作后，當選2018年度第八屆上海QR（創新長期）。
劉斯揚
東南大學教授
劉斯揚，東南大學教授，博導，長期致力于功率半導體器件基礎理論及關鍵技術的研究。入選國家高層次人才、江蘇省333高層次人才培養工程—中青年學術技術帶頭人，東南大學至善青年學者（A層次）。主要從事功率半導體器件設計及可靠性研究，主持國家自然科學基金、國家重點研發計劃、江蘇省自然科學基金等項目12項。在IEEE TIE、TPE、EDL、TED等國際權威期刊發表SCI論文92篇（其中第一作者28篇），在功率半導體領域頂會ISPSD等國際會議發表論文15篇（其中第一作者8篇），獲美國專利3項、中國發明專利32項。研究成果獲國家技術發明二等獎、江蘇省科學技術一等獎，教育部技術發明一等獎。
梁 超
江蘇博睿光電有限公司副總經理
梁超，博士，研究員高工，江蘇博睿光電副總經理。先后入選“江蘇省333高層次人才培養工程”、江蘇省六大人才高峰、“千百十”計劃高層次創新領軍人才；獲江蘇省科學技術進步二等獎1項、南京市科學技術進步二等獎1項等。主要研究方向第三代半導體光電材料，在發光材料方向開發出LED用高性能鋁酸鹽、硅酸鹽體系多個色系熒光粉，為高光品質照明、全光譜照明整體解決方案提供支撐；研究并開發出具有高導熱系數的AlN陶瓷基板及配套關鍵技術。共申請發明專利68件，授權發明專利54件（3件PCT專利分別于美國、韓國獲得授權），發表SCI收錄論文7篇，EI收錄論文6篇。
孫樂嘉
西安電子科技大學微電子學院副教授
孫樂嘉，西安電子科技大學微電子學院，副教授，IEEE member，2008年畢業于西北工業大學，獲工學學士學位，2011年先后于西安交通大學獲得工學碩士、工學博士學位。主要研究方向為半導體脈沖功率器件與應用共性技術、基于寬禁帶半導體的電力電子系統以及電源管理集成電路等相關研究。主持/參與國家自然科學基金、國家重點研發計劃、國防領域重點研發計劃等多項課題。在IEEE T-PEL、IEEE EDL、IEEE T-ED、IET-PE、SST等國際權威期刊發表SCI檢索論文20余篇，授權發明專利30余項。
傅 玥
南京芯干線科技有限公司董事長兼CTO
傅玥，南京芯干線科技有限公司董事長兼CTO。擁有20年功率半導體研發和量產經驗，IEEE高級會員；2023 IEEE ISPSD（全球最權威的功率器件會議）高壓器件（HV Track）技術委員會主席；2022 IEEE ISPSD（全球最權威的功率器件會議）執行委員會（Executive Committee）委員及高壓器件（HV Track）技術委員會主席；2018 IEEE APEC（全球最權威電源會議）分會主席（Section Chair)。
張召富
武漢大學工業科學研究院研究員
張召富，香港科技大學博士，劍橋大學博士后，2022年起任武漢大學研究員。2018 年畢業于香港科技大學，獲得博士學位；2019-2022 年在 Cambridge University 的 John Robertson 教授（應該皇家科學院 / 工程院雙院士）課題組擔任博士后。主要研究方向寬禁帶半導體材料與器件，具有豐富的第一性原理計算模擬和器件設計方面的經驗， 已經在 APL, TED, ACS AMI, Nat. Comm. 等期刊發表 SCI 期刊論文 100 余篇，包括一作 / 通訊作者文章 50 余篇；以一作者發表國際學術會議論文 18 篇，包括電子器件領域國際最頂級學術會議論文 IEDM 1 篇和特邀報告 2 篇；參與撰寫 Wiley 英文專著 1 章；谷歌學術 h-index 為 25 ，引用 2000 余次。擔任多個期刊青年編委和審稿人。
劉 奧
中國電子科技集團第五十五研究所高級工程師
劉奧，中國電子科技集團第五十五研究所高級工程師。長期從事碳化硅電力電子器件研制及應用的相關工作。參與國內多項碳化硅電子電子器件相關標準的制定，多次承擔有關碳化硅器件研發及應用的國家重大項目、在國際刊物上發表多篇學術論文，發表多項相關專利。
張 靖
賀利氏電子（中國區）研發總監
張靖博士，賀利氏電子中國區研發總監。張靖博士畢業于荷蘭代爾夫特理工大學，專注于高功率電子封裝工藝以及可靠性的研究。研究領域主要集中在第三代半導體器件先進封裝技術與可靠性評估方面。多項項目成果已被應用到相關產業當中，包括新能源汽車，高鐵，半導體照明等。張靖博士任IEEE封裝學會（EPS）荷比盧分會首任創會主席，國際寬禁帶半導體技術路線圖委員會（ITRW）執行秘書，并任封裝分會委員。張靖博士同時擔任上海碳化硅功率器件工程技術研究中心技術委員會委員，第三代半導體創新產業聯盟青年委員會委員，中國第三代半導體路線圖委員會封裝分會委員，納米燒結材料標準制定委員會成員。他還擔任復旦大學校外碩士研究生導師。張靖博士參與的歐盟項目ESiP曾獲歐盟ENIAC Innovation Award。
任 娜
浙江大學電氣工程學院特聘研究員、博士生導師
任娜，浙江大學電氣工程學院特聘研究員、博士生導師。2010~2015年期間博士就讀于浙江大學電氣工程學院，2016~2019年期間在美國加州大學洛杉磯分校做博士后。2010-2021年，十一年期間一直致力于碳化硅（SiC）電力電子器件的相關研究，其中包括器件物理機制、結構設計、工藝技術、芯片研制、器件測試與失效分析、性能與可靠性優化等方向，并取得了一系列研究成果。在器件領域國際知名期刊與會議上共發表約60篇論文，其中SCI論文32篇，獲得了3項美國專利和2項中國發明專利授權，正在申請10多項美國專利和10多項中國專利，并獲得2020年Materials期刊杰出論文獎、2017年APEC學術會議杰出報告獎、2021年IEEE Wipda Asia會議杰出論文獎。
2020年3月雙聘至浙江大學杭州國際科創中心先進半導體研究院，并入選2020年浙江大學杭州國際科創中心青年人才卓越計劃，在團隊帶頭人的指導下主持建成浙江大學杭州國際科創中心全套6英寸SiC芯片工藝線。領導工程師團隊與學生團隊，基于該6寸SiC芯片工藝線開展碳化硅功率器件的研發工作，并積極與國內外企業合作開發碳化硅產品技術，合作企業包括國網、華為、華潤、中芯紹興、中電科55所等等。
鄭 理
中國科學院上海微系統與信息技術研究所副研究員
鄭理，中國科學院上海微系統與信息技術研究所 研究員，上海市青聯委員。長期從事硅基化合物半導體界面調控和器件制備等研究工作，在硅基GaN界面改性及HEMT器件研制、SiC原位界面重構及MOSFET器件研制和Si/PbS量子點界面量子阱能帶自適應機制構建等方面開展了系列工作。發表 SCI 收錄論文60余篇，其中部分工作以第一/通訊作者在Nature Communications、IEEE Electron Device Letters等權威期刊發表，授權專利20余件。作為項目負責人主持國家自然科學基金面上項目、上海市創新行動計劃和中科院項目等。先后入選/榮獲中國科學院院長特別獎（2016）、上海市青年科技英才揚帆計劃（2017）、中國科學院優博（2018）、中國電子教育學會優博（2018）、上海市青聯委員（2019）、中國青科協會員（2020）、中科院青促會（2020）、上海市青年五四獎章（2021）、上海市青年科技啟明星計劃（2021）、上海市科技青年35人引領計劃（2021）、全國青年崗位能手（2022）和“振新杯”全國青年職業技能大賽金獎等。
備注：以上嘉賓簡介未經其本人確認，僅供參考。
【關于協辦單位介紹】
》勵德愛思唯爾信息技術（北京）有限公司
愛思唯爾是全球信息與分析領域的領導者，幫助科研和醫學專業人員推動科學發展、改善醫療成果從而造福社會。140多年以來，我們一直致力于與科研與醫學專業人員合作，支持他們更高效地開展工作。從學術出版起家，愛思唯爾提供知識資源和分析服務，幫助我們的用戶取得科研突破，推動社會進步。我們在戰略研究管理、研發表現、臨床決策支持和醫學教育領域提供數字化解決方案，包括ScienceDirect， Scopus， SciVal， ClinicalKey 和Sherpath。愛思唯爾是勵訊集團（RELX）的成員之一，勵訊集團（RELX）為全球專業人士和商業客戶提供科學、醫療、法律和商業領域信息分析服務及決策工具。
愛思唯爾在2021年與中科院產業戰略院合作在中科院院刊上發表了有關中美互聯網科研產出分析文章，被70多家國內媒體轉載，并得到國務院政策辦關注，從而研究中國高科技企業在內部創新環境優化支持。愛思唯爾從全球最大的學術出版社到科研信息分析服務的轉變，希望可以為中國企業科學家提供更多全球先進的科研工具及數據，加速企業創新速度，強化企業科研能力。
》中國電子科技集團公司第四十八研究所
中國電子科技集團公司第四十八研究所（以下簡稱48所）又名“長沙半導體 工藝設備研究所”，成立于1964年5月，隸屬于中國電子科技集團有限公司。現 有科研生產人員近1000人，其中享受國務院政府特殊津貼專家29人，研究員 33人。
48所技術力量雄厚，專業門類齊全，是國內唯一從事以三束（離子束、電子 束、分子束）為主的軍民兩用型骨干科研生產單位，產品包括第三代半導體裝備 以及集成電路裝備、光伏電池裝備、磁性材料裝備、冶金材料裝備、特種傳感器與系統，并具備裝備整線集成能力。產品銷售覆蓋含香港、臺灣在內的全國29個 省市、特區，出口到美國、德國、法國、西班牙、俄羅斯、澳大利亞、埃及、土 耳其等20多個國家和地區。
48所擁有國家第三代半導體技術創新中心（湖南）、國防科技工業有源層優 化生長創新中心、國家光伏裝備工程技術研究中心、中國-埃及可再生能源國家聯 合實驗室等5個國家級平臺和博士后科研工作站，取得重大科研成果380余項，其 中填補國內空白148項、達到國際先進水平138項、列為國家替代進口119項，擁有專利396項。
》北京北方華創微電子裝備有限公司
北京北方華創微電子裝備有限公司（ 002371.SZ 簡稱：北方華創）成立于2001年，是北方華創科技集團股份有限公司的全資子公司。北方華創微電子的主要產品包括刻蝕機、薄膜、氧化/擴散爐、清洗機、氣體質量流量計等半導體工藝裝備及核心零部件，廣泛應用于集成電路、半導體照明、光伏、平板顯示等領域，為半導體、新能源、新材料等領域提供解決方案。
》江蘇博睿光電股份有限公司
江蘇博睿光電股份有限公司成立于2009年9月，公司專業從事新型光電材料的研究、開發和應用工作，深度布局高性能稀土發光材料、界面連接材料、高導熱陶瓷基板、特殊結構封裝等領域，在第三代半導體封裝材料領域，已形成科研開發、規模生產和專業化服務的完整體系。公司為國家重點專精特新小巨人企業、國家高新技術企業；公司建有國家博士后科研工作站、江蘇省工程技術研究中心、江蘇省企業技術中心等科研平臺。
公司秉持技術創新驅動營銷增長的經營模式，憑借技術創新，公司全色系熒光粉產品及應用解決方案已覆蓋全光譜照明、激光照明、高顯色通用照明等應用場景，產品性能已全面達到甚至超過國際先進水平，全面滿足國內外封裝企業多樣化的技術需求，是國內LED熒光粉領域的龍頭企業，也是國際知名照明企業的熒光粉主要供應商之一和戰略合作伙伴。
》南京芯干線科技有限公司
芯干線科技是一家優秀的氮化鎵及碳化硅功率器件原廠，由資深海歸博士、電源行業精英和一群有激情與夢想的專業人士創建，專注于第三代半導體功率器件及模塊的設計研發，服務于未來電源科技。公司總部位于南京，在蘇州和深圳有辦公室，不只有一流的功率器件和模塊產品，還可以為客戶提供完整的氮化鎵電源系統解決方案。公司一直秉承精益求精的科研精神，現已推出了多種氮化鎵和碳化硅的功率器件。往后將繼續豐富第三代半導體器件及模塊的產品線，在提升核心競爭力的同時進一步加強客戶應用方案的細化，開拓新的應用領域，致力于成為一家世界領先的第三代半導體設計企業，為提升全球能源轉換效率及節能減排貢獻應有之力。
》蘇州博湃半導體技術有限公司
蘇州博湃半導體是半導體技術的高科技創新者和制造商，推動功率半導體、先進封裝技術及新能源應用的產業發展。蘇州博湃主要為客戶提供設備解決方案、材料解決方案以及工程解決方案，憑借全球領先的核心技術積累，吸納國內外先進的SiC功率半導體封裝技術與AMB覆銅陶瓷基板技術與工藝，致力于成為全球電子半導體產業創新及高品質解決方案的供應商。
》深圳市先進連接科技有限公司
深圳市先進連接科技有限公司（以下簡稱先進連接），坐落于被評為深圳市寶安區科技創新桃花源的全至科技創新園，是一家集納米銀燒結材料及芯片封裝用燒結設備研發、生產、銷售、咨詢及技術服務于一體的綜合性高科技公司。
先連科技創始于2015年，一直精耕于高端電子焊接材料、專用設備及工藝的研發、推廣，在國內率先實現上述技術產業化，并榮獲“第十屆全國創新創業大賽三等獎”、“深圳市創新創業大賽二等獎”，先后通過了ISO質量體系認證、研究生聯合培養基地、國家高新技術企業認證。
憑借專業的技術、創新的理念、對卓越的不懈追求以及具有企業家精神的管理團隊，我們不斷努力提升業績表現。我們通過發揮材料方面的專長，充分利用先連科技在納米銀技術應用的領先地位，致力于為客戶創造高質量解決方案，幫助客戶提升長期競爭力。
附：
一年一度行業盛會，第八屆國際第三代半導體論壇（IFWS）&第十九屆中國國際半導體照明論壇（SSLCHINA ）將于2023年2月7-10日（7日報到）在蘇州金雞湖凱賓斯基大酒店召開。在這場被視為“全球第三代半導體行業風向標”的盛會上，由2014年諾貝爾物理獎獲得者、日本工程院院士、美國工程院院士、中國工程院外籍院士、日本名古屋大學未來材料與系統研究所教授天野浩，美國工程院院士、美國國家發明家院士、中國工程院外籍院士、美國弗吉尼亞理工大學的大學特聘教授Fred LEE領銜200多個報告嘉賓，緊扣論壇“低碳智聯·同芯共贏”大會主題，將在開幕大會、主題分會及同期共計近30余場次活動中，全面展現第三代半導體產業鏈前沿技術進展及產業發展“風向"。
國際第三代半導體論壇（IFWS）是由第三代半導體產業技術創新戰略聯盟（CASA）在中國地區舉辦的、具備較強影響力的第三代半導體領域年度盛會，是引領全球第三代半導體新興產業發展，促進相關產業、技術、人才、資金、政策合力發展的全球性、全產業鏈合作的高端平臺和高層次綜合性論壇。論壇以促進第三代半導體與電力電子技術、移動通信技術、紫外探測技術和應用的國際交流與合作，全面覆蓋行業基礎研究、襯底外延工藝、電力電子器件、電路與模塊、下游應用的創新發展，成為全球范圍內的全產業鏈合作交流的重要平臺，引領第三代半導體產業發展方向。
中國國際半導體照明論壇（SSLCHINA）伴著中國半導體照明產業的發展一路成長起來，已成為半導體照明領域最具規模，參與度最高、口碑最好的全球性高層次論壇。十幾年的時間里，論壇盡最大力量打造國際性舞臺，邀請全球頂級專家，傳遞最前沿的產業、技術發展信息。
至今，SSLCHINA已連續舉辦了十八屆，IFWS也同期連續舉辦了七屆，全球超過1900位專家學者、企業領袖、投資人等蒞臨現場發布了精彩演講，參會觀眾覆蓋了70多個國家和地區，累計2.9萬余人到現場參會，集齊跨地區、跨領域的智慧合力，共同召喚產業發展新生態。無論是行業龍頭企業、初創團隊或是行業服務機構，論壇都是十分精準的品牌展示、產品推廣、技術交流、成果發布及尋求合作的優質平臺和窗口。十幾年來，論壇服務過的客戶遍及全球，涵蓋了大部分國內外知名的半導體材料、裝備、器件及應用端企業，數量近千家，服務次數超過1200次。通過論壇期間的交流與對接，很多企業結識了潛在的合作伙伴，為自身發展把握住了機會。更多詳情見附件：
論壇信息
會議時間：2023年2月7日-10日（7日報到）
會議地點：中國 - 蘇州 - 蘇州金雞湖凱賓斯基大酒店
程序委員會
主席：
張 榮——廈門大學黨委書記、教授
聯合主席：
劉 明——中科院院士、復旦大學芯片與系統前沿技術研究院院長、中科院微電子研究所研究員
顧 瑛——中科院院士、解放軍總醫院教授
江風益——中科院院士、南昌大學副校長、教授
李晉閩——中國科學院特聘研究員
張國義——北京大學東莞光電研究院常務副院長、教授
沈 波——北京大學理學部副主任、教授
唐景庭——中國電子科技集團公司第二研究所所長
徐 科——江蘇第三代半導體研究院院長、中科院蘇州納米所副所長、研究員
邱宇峰——廈門大學講座教授、全球能源互聯網研究院原院長
盛 況——浙江大學電氣工程學院院長、教授
張 波——電子科技大學教授
陳 敬——香港科技大學教授
徐現剛——山東大學新一代半導體材料研究院院長、教授
吳偉東——加拿大多倫多大學教授
張國旗——荷蘭工程院院士、荷蘭代爾夫特理工大學教授
Victor Veliadis——PowerAmerica首席執行官兼首席技術官、美國北卡羅萊納州立大學教授
主題論壇召集人（按姓氏拼音排列）：
F1-碳化硅功率電子材料與器件
主題分論壇主席：
盛 況——浙江大學電氣工程學院院長、教授
唐景庭——中國電子科技集團公司第二研究所所長
a.碳化硅功率電子材料與器件
召集人：
盛 況——浙江大學電氣工程學院院長、教授
柏 松——中國電子科技集團公司第五十五研究所研究員
張清純——復旦大學上海碳化硅功率器件工程技術研究中心主任
邱宇峰——廈門大學講座教授、全球能源互聯網研究院原院長
張玉明——西安電子科技大學微電子學院院長、教授
王德君——大連理工大學教授
袁 俊——九峰山實驗室功率器件負責人
b.芯片制造工藝及裝備
召集人：
唐景庭——中國電子科技集團公司第二研究所所長
王志越——中電科裝備集團有限公司首席技術官
杜志游——中微半導體設備(上海)有限公司高級副總裁
吳 軍——北方華創科技集團股份有限公司副總裁，首席科學家
F2-氮化物半導體電子材料與器件
主題分論壇主席：
張 波——電子科技大學教授
吳偉東——加拿大多倫多大學教授
陳堂勝——中國電子科技集團公司第五十五研究所首席科學家
馮志紅——中電科第十三所首席科學家、專用集成電路國家級重點實驗室副主任
a.氮化鎵功率電子材料與器件
召集人：
張 波——電子科技大學教授
吳偉東——加拿大多倫多大學教授
劉 揚——中山大學教授
孫 錢——中國科學院蘇州納米技術與納米仿生研究所研究員
張進成——西安電子科技大學副校長、教授
吳毅鋒——珠海鎵未來科技有限公司總裁
梁輝南——潤新微電子(大連)有限公司總經理
王茂俊——北京大學信息科學技術學院副教授
b.射頻電子材料與器件
召集人：
陳堂勝——中國電子科技集團公司第五十五研究所首席科學家
蔡樹軍——中國電子科技集團公司第五十八研究所所長
張乃千——蘇州能訊高能半導體有限公司董事長
張 韻——中國科學院半導體研究所副所長、研究員
敖金平——日本德島大學教授、江南大學教授
于洪宇——南方科技大學深港微電子學院院長、教授
馮志紅——中電科第十三所首席科學家、專用集成電路國家級重點實驗室副主任
劉建利——中興通訊股份有限公司無線射頻總工
F3-功率電子應用
主題分論壇主席：
劉 勝——武漢大學動力與機械學院院長、教授
趙麗霞——天津工業大學電氣工程學院常務副院長、教授
a.功率模塊封裝及可靠性
召集人：
劉 勝——武漢大學動力與機械學院院長、教授
趙麗霞——天津工業大學電氣工程學院常務副院長、教授
李世瑋——香港科技大學教授
陸國權——美國弗吉尼亞大學教授
羅小兵——華中科技大學能源與動力工程學院院長、教授
楊道國——桂林電子科技大學教授
王來利——西安交通大學教授
樊嘉杰——復旦大學青年研究員
姜 克——安世半導體全球研發副總裁、I&M事業部總經理
F4-襯底材料與裝備
主題分論壇主席：
沈 波——北京大學理學部副主任、教授
徐現剛——山東大學新一代半導體材料研究院院長、教授
陶緒堂——山東大學講席教授
唐景庭——中國電子科技集團公司第二研究所所長
a.碳化硅襯底材料生長與加工
召集人
徐現剛——山東大學新一代半導體材料研究院院長、教授
陳小龍——中國科學院物理研究所功能晶體研究與應用中心主任、研究員
孫國勝——中科院半導體研究所研究員
馮 淦——瀚天天成電子科技（廈門）有限公司總經理
b.氮化物襯底材料生長與同質外延
召集人：
沈 波——北京大學理學部副主任、教授
徐 科——江蘇第三代半導體研究院院長、中科院蘇州納米所副所長、研究員
黎大兵——中國科學院長春光學精密機械與物理研究所研究員
畢文剛——江蘇第三代半導體研究院副院長
楊 敏——江蘇南大光電材料股份有限公司首席技術官
c.超寬禁帶半導體材料與器件
召集人:
陶緒堂——山東大學講席教授
龍世兵——中國科學技術大學微電子學院執行院長、教授
張進成——西安電子科技大學副校長、教授
單崇新——鄭州大學副校長、教授
王新強——北京大學教授、北大東莞光電研究院院長
王宏興——西安交通大學教授
葉建東——南京大學教授
劉玉懷——鄭州大學教授
韓根全——西安電子科技大學教授
d.生長、加工裝備與量測設備
召集人：
唐景庭——中國電子科技集團公司第二研究所所長
王志越——中電科裝備集團有限公司首席技術官
杜志游——中微半導體設備(上海)有限公司高級副總裁
吳 軍——北方華創科技集團股份有限公司副總裁，首席科學家
F5-半導體照明與光電融合技術
主題分論壇主席：
江風益——中科院院士、南昌大學副校長、教授
曾一平——中科院半導體所研究員
a.全光譜LED材料、芯片、封裝及可靠性
召集人：
江風益——中科院院士、南昌大學副校長、教授
劉國旭——北京易美新創科技有限公司聯合創始人兼CTO
云 峰——西安交通大學教授
羅小兵——華中科技大學能源與動力工程學院院長、教授
伊曉燕——中國科學院半導體研究所研究員
郭偉玲——北京工業大學教授
汪 萊——清華大學電子工程系副教授、信息光電子研究所所長
汪煉成——中南大學教授
張建立——南昌大學研究員
b.半導體激光器
召集人：
曾一平——中科院半導體所研究員
張保平——廈門大學電子科學與技術學院副院長、教授
莫慶偉——老鷹半導體副總裁、首席科學家
劉建平——中科院蘇州納米技術與納米仿生研究所研究員
惠 峰——云南鍺業公司首席科學家、中科院半導體所研究員
F6-超越照明創新應用
主題分論壇主席：
羅 明——浙江大學光電系教授
瞿 佳——溫州醫科大學附屬眼光醫院院長、教授
顧 瑛——中科院院士、解放軍總醫院教授
遲 楠——復旦大學信息科學與工程學院院長、教授
楊其長——國際歐亞科學院院士、中國農業科學院都市農業研究所副所長、研究員
劉 鷹——浙江大學生物系統工程與食品科學學院院長、教授
a.光品質與光健康
召集人
羅 明——浙江大學光電系教授
瞿 佳——溫州醫科大學附屬眼光醫院院長、教授
郝洛西——同濟大學建筑與城市規劃學院教授、國際照明學會（CIE）副主席
林燕丹——復旦大學教授
熊大曦——中國科學院蘇州生物醫學工程技術研究所研究員
牟同升——浙江大學教授
魏敏晨——香港理工大學副教授
蔡建奇——中國標準化研究院視覺健康與安全防護實驗室主任、研究員
劉 強——武漢大學顏色科學與圖像傳播研究所所長、副教授
b.光醫療
召集人：
顧 瑛——中科院院士、解放軍總醫院教授
張鳳民——黑龍江省醫學科學院副院長，哈爾濱醫科大學伍連德書院院長、國家地方聯合工程研究中心主任
王彥青——復旦大學基礎醫學院教授
崔錦江——中科院蘇州醫工所光與健康研究中心副主任、研究員
蔡本志——哈爾濱醫科大學教授
董建飛——中國科學院蘇州生物醫學工程技術研究所研究員
陳德福——北京理工大學醫工融合研究院特聘副研究員
楊 華——中國科學院半導體研究所副研究員
c.光通信與傳感
召集人：
遲 楠——復旦大學信息科學與工程學院院長、教授
馬驍宇——中科院半導體研究所研究員
陳雄斌——中國科學院半導體研究所研究員
田朋飛——復旦大學副研究員
李國強——華南理工大學教授
林維明——福州大學教授
房玉龍——中國電子科技集團公司第十三研究所研究員
d.生物與農業光照
召集人：
楊其長——國際歐亞科學院院士、中國農業科學院都市農業研究所副所長、研究員
唐國慶——中關村半導體照明工程研發及產業聯盟副理事長、木林森執行總經理
劉 鷹——浙江大學生物系統工程與食品科學學院院長、教授
泮進明——浙江大學教授、杭州朗拓生物科技有限公司董事長
賀冬仙——中國農業大學教授
陳 凱——華普永明光電股份有限公司董事長、總裁
華桂潮——四維生態董事長
徐 虹——廈門通秮科技有限公司總經理
劉厚誠——華南農業大學教授
李紹華——中科三安光生物產業研究院院長
F7-新型顯示材料及應用
主題分論壇主席：
嚴 群——福州大學教授
孫小衛——南方科技大學電子與電氣工程系講席教授
畢 勇——中國科學院理化技術研究所研究員、激光應用中心主任
a.Mini/Micro-LED顯示材料與裝備
召集人：
嚴 群——福州大學教授
王新強——北京大學東莞光電研究院院長、北京大學教授
閆春輝——中民研究院常務副院長、納微朗科技（深圳）有限公司董事長
劉 斌——南京大學電子科學與工程學院副院長、教授
黃 凱——廈門大學物理科學與技術學院副院長、教授
馬松林——TCL集團工業研究院副院長
劉國旭——北京易美新創科技有限公司聯合創始人兼CTO
邱 云——京東方科技集團股份有限公司技術企劃部副總監
劉召軍——南方科技大學研究員
b.激光顯示三基色材料與器件
畢 勇——中國科學院理化技術研究所研究員、激光應用中心主任
趙德剛——中國科學院半導體研究所研究員
c.鈣鈦礦、量子點及柔性照明與顯示等
召集人：
孫小衛——南方科技大學電子與電氣工程系講席教授
廖良生——蘇州大學教授
徐 征——北京交通大學教授
段 煉——清華大學教授
鐘海政——北京理工大學教授
F8-固態紫外材料與器件
主題分論壇主席：
康俊勇——廈門大學教授
王軍喜——中國科學院半導體研究所研究員、中科院半導體照明研發中心主任
a.固態紫外發光材料與器件
b.紫外探測材料與器件
召集人：
康俊勇——廈門大學教授
王軍喜——中國科學院半導體研究所研究員、中科院半導體照明研發中心主任
黎大兵——中國科學院長春光學精密機械與物理研究所研究員
陸 海——南京大學教授
陳長清——華中科技大學教授
郭浩中——臺灣交通大學特聘教授
李曉航——沙特國王科技大學副教授
許福軍——北京大學物理學院副教授
日程安排
注冊權益收費表
備注：
＊中關村半導體照明工程研發及產業聯盟（CSA）或第三代半導體產業技術創新戰略聯盟（CASA）成員單位在此基礎上再享受10%優惠。
＊學生參會需提交相關證件。
＊會議現場報到注冊不享受各種優惠政策。
＊IFWS相關會議包括：開幕大會，碳化硅襯底材料生長與加工,碳化硅功率電子材料與器件,氮化物襯底材料生長與外延技術,氮化鎵功率電子材料與器件,固態紫外材料與器件,化合物半導體激光器技術,Mini/Micro LED及其他新型顯示技術,射頻電子材料與器件,超寬禁帶及其他新型半導體材料與器件，閉幕大會。
＊SSLCHINA相關會議包括：開幕大會，氮化物襯底材料生長與外延技術，固態紫外材料與器件，LED芯片、封裝與光通信，Mini/Micro LED及其他新型顯示技術，生物農業光照技術，教育照明與健康光環境，光醫療應用技術，化合物半導體激光器技術,閉幕大會。
*產業峰會包括：生物農業光照技術與產業應用峰會、車用半導體創新合作峰會、功率模塊與電源應用峰會、第三代半導體標準與檢測研討會、UV LED創新應用、Mini/Micro-LED技術產業應用峰會。
＊若由于某些原因，您繳費后無法參會，可辦理退款事宜，組委會將扣除一定的退款手續費。
＊自助餐包含：2023年2月8日午餐、2月9日午餐+晚餐。
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*備注：請微信掃碼查看并注冊，注冊成功后可在個人中心查看電子票信息、申請發票、為他人報名、分享海報等等。
*防疫提醒：目前全國各地防疫政策逐漸放寬，目前進/出蘇州不再查驗核酸、健康碼，組委會提醒參會代表臨行前能做好自我健康檢測，體溫等無異常者，佩戴好口罩即可現場參會。
即日起至2023年2月1日之前，完成注冊繳費即可享受折扣票（詳見上圖），中關村半導體照明工程研發及產業聯盟（CSA）或第三代半導體產業技術創新戰略聯盟（CASA）成員單位在此基礎上再享受10%優惠。學生參會需提交相關證件。會議現場報到注冊不享受各種優惠政策。
