近日，中國科學院上海微系統與信息技術研究所歐欣團隊與中國科學技術大學董春華團隊、華東師范大學程亞團隊以及深圳國際量子研究院劉駿秋團隊合作，在硅基絕緣體上碳化硅（SiCOI）平臺的微腔孤子光頻梳方面取得了重要進展。研究團隊在利用異質集成技術制備高Q值SiC光子微腔的基礎上，采用雙光束泵浦方式首次在室溫下實現了SiC光學頻率梳的鎖模。同時，通過SiC本征的二階非線性特性，實現了光頻梳從紅外到可見波段的轉換。

集成光子芯片有望為下一代超高速、超低功耗的信息技術帶來變革性突破。光子集成主要包含光源的產生、傳遞、處理三個方面。近年來，一種特殊的光源——微腔光學頻率梳，因其在精密測量、光譜學、相干通信領域的應用前景被廣泛關注。光學頻率梳技術于2005年獲得諾貝爾物理學獎，在此后的十幾年中，大量的研究工作致力于借助于成熟的微納加工工藝在芯片級的平臺上實現。

當前，硅、鈮酸鋰、III-V族、碳化硅、氮化硅、氮化鋁等非線性光子薄膜平臺先后被開發用于實現頻率梳產生。其中，碳化硅（Silicon carbide，SiC）作為第三代半導體，除了在射頻、功率電子和MEMS上有廣泛的應用，其優良的光學特性也使得SiC非常適用于集成光子應用。SiC在光學損耗、二階/三階非線性系數、CMOS兼容特性以及量子色心方面具有較為綜合的性能優勢，長期以來倍受關注。然而，基于SiC平臺產生頻率梳的性能有限，國際上已有報道噪聲態頻率梳，以及4K低溫下鎖模頻率梳。對于實際應用，室溫下獲得鎖模的SiC光學頻率梳更具意義。

圖1 SiC光學頻率梳頻譜、噪聲譜及其拍頻譜

中國科學院上海微系統與信息技術研究所歐欣課題組及其合作團隊在前期對硅基異質集成高質量SiC薄膜優化的基礎上，進一步在SiC的微腔孤子光頻梳方面取得了重要進展。研究團隊采用了輔助光熱補償的方法，來達到SiC孤子的穩定產生，并實現了SiC平臺的單孤子和多種孤子晶體的觀測。同時，通過SiC本征的二階非線性特性，在可見光波段生成具有同等頻率間隔的光頻梳，并對從紅外到可見光頻梳產生的動態過程進行了觀測。研究團隊基于SiC微腔實現的從紅外到可見波段的頻梳對未來拓寬光頻梳技術在光譜學上的應用以及實現頻梳的片上自參考鎖定具有重要的意義。

信息來源：中科院上海微系統所