據悉，東風旗下智新半導體碳化硅功率模塊項目將于2023年實現量產裝車。
同時，東風汽車與中國信科共建的汽車芯片聯合實驗室，正在推進車規級MCU芯片在漢落地，預計2024年實現量產；與中芯國際合作，已完成設計首款MCU芯片。
作為IGBT模塊的升級產品、第三代半導體，碳化硅功率模塊有著更低損耗、更高效率、更耐高溫和高電壓的特性。據介紹，碳化硅功率模塊項目于2021年1月在智新立項，目前課題已經順利完成，將于2023年搭載東風自主新能源乘用車，實現量產。該模塊能推動新能源汽車電氣架構從400V到800V的迭代，從而實現10分鐘充電 80%，并進一步提升車輛續航里程，降低整車成本。
公開資料顯示，今年10月，東風汽車宣布，與中國中車合資成立的智新半導體已啟動二期項目建設，年產能將達到120萬只，預計2024年建成，不僅能滿足東風公司到2025年產銷100萬輛新能源汽車對IGBT模塊的需求，還能為其他車企供貨。
2019年6月，東風公司與中國中車攜手，成立智新半導體有限公司，開始自主研發、生產車規級IGBT模塊。歷時兩年，2021年7月，年產30萬只的IGBT生產線在武漢市東風新能源汽車產業園正式投產，這也是國內首條IGBT模塊全自動化封測流水線。
