此次合作的目標(biāo)是意法半導(dǎo)體在未來的8英寸襯底制造中采用Soitec的SmartSiC?技術(shù)，為其器件和模塊制造業(yè)務(wù)提供動(dòng)力，預(yù)計(jì)將在中期量產(chǎn)。

 

“向8英寸SiC晶圓的過渡將為我們的汽車和工業(yè)客戶帶來巨大的優(yōu)勢(shì)，因?yàn)樗麄兗铀倭讼蛳到y(tǒng)和產(chǎn)品電氣化的過渡。“意法半導(dǎo)體汽車和分立器件業(yè)務(wù)部總裁Marco Monti表示。

 

“隨著電動(dòng)汽車的出現(xiàn)，汽車行業(yè)正面臨重大顛覆。我們尖端的SmartSiC?技術(shù)使我們獨(dú)特的SmartCut?工藝適應(yīng)碳化硅半導(dǎo)體，將在加速其采用方面發(fā)揮關(guān)鍵作用，“Soitec首席運(yùn)營(yíng)官Bernard Aspar說。Soitec的SmartSiC?襯底與意法半導(dǎo)體業(yè)界領(lǐng)先的碳化硅技術(shù)和專業(yè)知識(shí)相結(jié)合，將改變汽車芯片制造的游戲規(guī)則，樹立新的標(biāo)準(zhǔn)。

 

SiC是一種具有內(nèi)在特性的顛覆性化合物半導(dǎo)體材料，在電動(dòng)汽車和工業(yè)流程等關(guān)鍵、高增長(zhǎng)的功率應(yīng)用中提供優(yōu)于硅的性能和效率。它可實(shí)現(xiàn)更高效的電源轉(zhuǎn)換、更輕、更緊湊的設(shè)計(jì)，并節(jié)省整體系統(tǒng)設(shè)計(jì)成本，這些都是汽車和工業(yè)系統(tǒng)成功的關(guān)鍵參數(shù)和因素。

 

從6英寸晶圓過渡到8英寸晶圓將大幅提高產(chǎn)能，制造集成電路的有用面積提升幾乎兩倍，每個(gè)晶圓可以提升1.8-1.9倍的工作芯片。

 

值得注意的是，今年10月，意法半導(dǎo)體表示將在意大利建造一座價(jià)值7.3億歐元（約合人民幣50.28億元），年產(chǎn)超過37萬片的襯底項(xiàng)目，借此實(shí)現(xiàn)40%碳化硅襯底的自主供應(yīng)。

 

此前，為了提高歐洲的生產(chǎn)能力，歐盟推出了《芯片法案》，歐盟擬動(dòng)用超過430億歐元的公共和私有資金，用于支持芯片生產(chǎn)、試點(diǎn)項(xiàng)目和初創(chuàng)企業(yè)。通過增加投資、加強(qiáng)研發(fā)，擴(kuò)大歐盟芯片產(chǎn)能在全球市場(chǎng)占比，并防止對(duì)國(guó)際市場(chǎng)過度依賴。

 

意法半導(dǎo)體表示，新的集成SiC襯底制造設(shè)施將滿足汽車和工業(yè)客戶在向電氣化過渡期間不斷增長(zhǎng)的需求。這項(xiàng)為期五年的投資將于2026年完成，將得到意大利2.925億歐元的公共資金的支持，作為該國(guó)國(guó)家恢復(fù)和復(fù)原計(jì)劃的一部分，并獲得歐盟委員會(huì)的批準(zhǔn)。