近日，國內一批半導體項目迎來新的進展，涵蓋碳化硅、掩膜版、濺射靶材等領域。

希科半導體SiC外延片投產

11月23日，希科半導體科技（蘇州）有限公司（以下簡稱“希科半導體”）碳化硅外延片正式投產。

據“蘇州工業園區發布”消息，希科半導體成立于2021年，是一家致力于發展第三代半導體碳化硅(SiC)材料的高科技公司，主營6英寸及8英寸碳化硅外延片的研發及產業化，是蘇州工業園區重點引進和培育的第三代半導體企業。目前，希科半導體關鍵研發及生產設備、量測設備已投入使用，其樣片已通過國家重點實驗室等第三方機構檢測。

根據“蘇州道博環保技術服務有限公司”官網今年年初發布的希科的碳化硅項目環評公示，該項目擬投資7620萬元，預計建成后，可實現年研發碳化硅襯底外延片5000片。

希科半導體董事長兼總經理呂立平介紹，當前，希科半導體已實現了工藝設備、量測機臺、關鍵原材料三位一體的國產化，解決了碳化硅外延片產品生產的卡脖子問題。計劃未來3年繼續投入超3億元，建成年產5萬片的生產線，達產后年產值5億元。

芯聆半導體總部項目落戶蘇州

11月23日，芯聆半導體總部項目簽約落戶蘇州高新區，將致力于高端功放芯片細分領域的全鏈條發展。

據“蘇州高新區發布”消息，芯聆半導體成立于2021年，主要從事中大功率的高端功放芯片的開發。公司由國內資深的混合信號類功放設計專家團隊組建，對車規級功放芯片的設計、工藝、封裝、認證、市場渠道等擁有多年積累。

今年7月，芯聆半導體獲得由瑞聲科技領投的Pre A輪融資，芯聆半導體該輪融資將用于車規級Class D功放芯片的開發量產，及持續的研發和團隊投入。

目前，芯聆半導體多通道車規級Class D芯片正式流片，芯片滿足AEC-Q100標準，達到高效率、高可靠、高音質，低EMI的音頻功放水平，已實現車規級功放Class D芯片量產，預計在1-3年內完成汽車前裝的多款功放的適配開發，并形成車規級的產品線。

華潤微電子迪思高端掩模項目奠基

11月22日，華潤微電子迪思高端掩模項目奠基儀式在無錫高新區舉行。據介紹，無錫迪思微電子有限公司是華潤微電子旗下的重點企業，長期聚焦光掩模制造領域。

據悉，掩膜版為集成電路制造前道光刻核心工藝的關鍵材料。目前國內中高端掩膜版市場主要由國外企業壟斷。隨著國內晶圓廠擴產和先進工藝的推進，高端掩膜版的需求持續放量增長。

此次奠基的迪思高端掩模項目，投資約13億元，將建設40納米先進光掩模產線，助力進一步提高掩模制程能力，實現產能和技術水平的雙提升，同時還將填補國內高端掩模代工領域的空白。

掩模是IC制造的重要一環，是芯片下游產業生產流程銜接的關鍵部分。迪思高端掩模項目落成后，無錫迪思微電子將成為國內知名的開放式掩模工廠之一。

芯粵能SiC芯片制造項目潔凈室啟用

11月21日,廣東芯粵能碳化硅芯片制造項目潔凈室正式啟用，創造了國內6英寸和8英寸兼容碳化硅芯片項目建設記錄。

資料顯示，廣東芯粵能半導體有限公司位于廣州市南沙自貿區，是一家面向車規級和工控領域的碳化硅芯片制造和研發企業，產品主要包括碳化硅SBD/JBS、MOSFET、IGBT等功率器件，主要應用于新能源汽車、工業電源、智能電網以及光伏發電等領域。

芯粵能半導體總投資75億元，占地面積150畝，建成年產24萬片6英寸和24萬片8英寸碳化硅晶圓生產線，是目前國內知名的專注于車規級碳化硅芯片制造的企業，分別被廣東省、廣州市和南沙區列為重點建設項目。

項目潔凈室的正式啟用標志著工藝設備的有序搬入和調試，為2023年初項目試投產能盡快實現碳化硅芯片制造生產線批量投產做好準備。

合肥高端濺射靶材生產基地開工

11月23日，廣東歐萊高新材料股份有限公司在合肥新站高新區舉行了合肥歐萊高端濺射靶材生產基地開工儀式。

為實現高端濺射靶材的國產化替代，合肥歐萊高端濺射靶材生產基地項目計劃投資約3億元，建筑面積共43200平方米，計劃于2023年12月投產。

廣東歐萊高新材料股份有限公司成立以來專注于濺射靶材的研發生產，突破了濺射靶材生產制造的“卡脖子”技術，率先實現了TFT高純鋁旋轉靶材的國產化，其產品廣泛應用于半導體顯示（TFT/OLED）、半導體芯片、光伏、動力電池新能源、建筑和汽車玻璃、光學光通訊、裝飾鍍工具鍍等行業。與京東方、華星光電、惠科股份等國產液晶面板龍頭企業均建立了良好合作關系。

高端濺射靶材是新型顯示和半導體集成電路產業鏈上游的關鍵原材料。此次歐萊新材在合肥成立靶材生產基地，并設立半導體集成電路靶材研發中心，生產新型顯示靶材及半導體集成電路靶材，為國內新型顯示產業和半導體集成電路行業提供關鍵原材料，增強產業鏈供應鏈自主可控能力。

立琻半導體一期廠房落成

11月21日，立琻半導體（LEKIN）一期廠房落成典禮在蘇州太倉高新區舉行。最新消息，其廠房內部第一條生產線的設備已全部搬入，正準備進行調試。

據了解，該項目一期投資10億元，打造化合物半導體光電器件研發制造基地，總建筑面積15283平方米，主要產品包括高效紫外LED、紅外VCSEL、車用LED等高性能半導體光電器件。預期項目建成后，將成為國內新興的高性能光電半導體生產基地，進一步提高我國在化合物半導體核心器件上的競爭優勢。

資料顯示，立琻半導體成立于2021年3月，致力于提供光電子芯片、智能傳感、新型顯示等戰略新興領域的化合物半導體光電產品。在成立之初，立琻半導體成功競標收購了世界500強LG的光電化合物半導體事業部資產，具體包括近萬件專利、相關技術與成套工藝設備。

芯宇半導體項目月底投產

據“鹽城經開區發”披露，總投資1億美元的芯宇半導體項目11月底將全面竣工投產。

芯宇半導體項目由全球領先的移動存儲芯片封裝測試提供商香港艾發科技有限公司投資建設，主要從事存儲類芯片的設計、封裝測試及銷售，其中測試業務占70%，封裝業務占30%。由于經營業務對生產環境要求極高，生產車間嚴格按照萬級、千級無塵凈化標準進行建設。

“鹽城經開區發”介紹稱，目前，首批進場的150臺（套）設備已完成安裝調試，并開始試生產，前期人員招聘培訓也已完成。同時，第二批151臺（套）設備已于10月底全部到場，正在進行安裝調試，將于11月底全面竣工投產。屆時，項目可實現年產4320萬顆芯片，年銷售不低于17億元。

北京中科芯電分子束外延片項目簽約

近日，常熟經開區舉行金秋重點產業項目集中簽約儀式，其中包括北京中科芯電分子束外延片項目

據悉，北京中科芯電分子束外延片項目總投資5億元，其中設備投資約4.8億元，將建設砷化鎵分子束外延片規模化生產基地及MOCVD生產線，年產6寸微電子及光電子外延片超70萬片，達產后年銷售超過7億元，年納稅超6000萬元。

團隊由中國科學院半導體研究所博導曾一平領銜，成員多為國內半導體材料行業尖端人才。其核心產品指標達到國際一流水平，是國內極少數的量產供應商。

普興公司新產業基地首片SiC外延“出爐”

11月16日， 電科材料下屬普興公司新外延材料產業基地第一片硅外延和碳化硅外延相繼“出爐”，實現了新產業基地外延生產從0到1的突破，后續將進行新品全尺寸檢測評估并向客戶提供驗證樣片。

據“中電材料”消息，普興公司是中電科旗下控股公司，致力于高性能半導體材料的外延研發和生產。2021年9月，普興公司布局第三代半導體碳化硅外延業務，實施總投資16.7億元的外延材料產業基地建設項目。

新基地占地面積130畝，并于今年4月完成主廠房封頂，9月搬入首批生產、檢驗設備，11月實現了首片硅外延和碳化硅外延下線。根據此前的資料，普新公司將新購置各類外延生產及清洗檢驗設備共392臺（套），項目投產后，普興公司將達到年產300萬片8英寸硅外延片、36萬片6英寸碳化硅外延產品的生產能力。 

來源：全球半導體觀察