近期，由郝躍院士領銜總策劃，國內寬禁帶半導體研究領域第一套系列科技專著，“寬禁帶半導體前沿叢書”由西電出版社出版發行。西電出版社依托學校優勢學科地位，充分發揮戰略科學家影響力，積極面向國家科技發展戰略方向和需求，組織策劃、出版高水平學術專著，彰顯學校總體實力，助力國家科技攻關，是出版社服務學校“雙一流”建設的核心工作。

該叢書籌劃三年來，在郝躍院士的積極籌劃下，依托微電子優勢學科地位，邀請鄭有炓院士、劉明院士、江風益院士及北京大學、南京大學、中國科技大學、中山大學、西安電子科技大學、山東大學、中科院微電子研究所、中科院半導體研究所、中科院蘇州納米技術研究所等十余所高校、研究所近40位中青年微電子專家組成強大編委會。經西電出版社積極申報，成功入選2021年國家出版基金項目。

據了解，該叢書以服務國家重大戰略和學科發展需求為宗旨，致力于瞄準寬禁帶半導體基礎前沿與核心科學技術問題，從半導體材料的表征、機制、應用和器件的制備等多個方面，全面系統地介紹了寬禁帶半導體領域的前沿理論、核心技術及最新研究進展，具有科學性、創新性和前瞻性，市場需求迫切，是全國寬禁帶半導體研究領域系列的首套科技專著。

該叢書由12部專著組成，力求每一部闡釋一個專題，通俗易懂、圖文并茂、文獻豐富，包括《氮化鎵基半導體異質結構及二維電子氣》《氮化物半導體準范德華外延及應用》《氮化鎵單晶材料生長與應用》《氮化鋁單晶材料生長與應用》《氮化物半導體太赫茲器件》《氧化鎵半導體器件》《寬禁帶半導體紫外光電探測器》《寬禁帶半導體核輻射探測器》《寬禁帶半導體氧化鎵—-結構、制備與性能》《金剛石半導體器件前沿技術》《寬禁帶半導體微結構與光電器件光學表征》《氮化鎵微波功率器件》等著作。另外，為了生動反映彩色插圖的原貌，這套系列叢書采用了黑白插圖加二維碼彩圖的方式，將全書的圖文質量生動展現給讀者。

該叢書的出版，既是寬禁帶半導體領域最新研究成果的集中展示，也為從事寬禁帶半導體材料和器件研發的科技工作者在相關方向的研究提供了新思路、新方法的集中體現，對提升“中國芯”的自主創新和加快半導體產業高質量發展將起到重要的推動作用。

該叢書出版以來，相繼被中國科學報（網）、中國新聞出版廣電（網）報、科技日報（網）等國家級媒體報道，充分肯定了該叢書在寬禁帶半導體領域所作出的貢獻。

（來源：西電新聞網）