東莞證券發布研究報告稱，碳化硅電氣特性優越，有望成為最具前景的半導體材料之一。下游新能源汽車、光伏等領域驅動行業成長。目前海外龍頭企業具備先發優勢，國產廠商正加速驗證，政策支持+成本下降背景下，國產替代空間廣闊。

東莞證券主要觀點如下：

　　SiC電氣特性優越，有望成為最具前景的半導體材料之一。

　　半導體材料位于半導體產業鏈最上游，屬于芯片制造與封測的支撐性產業，是半導體產業鏈中細分領域最多的環節。近年來，全球半導體材料市場規模穩健增長，而從被研究和規模化應用的先后順序看，半導體材料發展至今已經歷了三個階段。其中，以SiC為代表的第三代半導體，具備耐高壓、耐高溫和低能量損耗等優越性能，可以滿足電力電子技術對高溫、高功率、高壓、高頻及抗輻射等惡劣工作條件的新要求，有望成為半導體材料領域最具前景的材料之一。

　　碳化硅下游應用廣泛，新能源汽車、光伏等驅動行業成長。

　　SiC產業鏈包括上游SiC襯底材料的制備、中游外延層生長、器件制造以及下游應用市場。從下游應用看，SiC襯底可分為半絕緣性襯底和導電性襯底，其中半絕緣SiC襯底主要用于制作微波射頻器件，用于5G通訊、雷達等高頻需求領域，導電型襯底則用于制作功率器件，用于新能源汽車、光伏發電等高壓需求領域。近年來，SiC功率器件在下游應用中嶄露頭角，應用范圍已從傳統的消費電子、工業控制、電力傳輸、計算機、軌道交通等領域，擴展至新能源汽車、風光儲、物聯網、云計算和大數據等新興應用領域，其中新能源汽車、光伏等領域的快速發展給SiC帶來增量需求，驅動碳化硅行業不斷成長。據Yole預測，到2025年，全球SiC市場規模將達到25.60億美元，2019-2025年復合增速高達29.53%。

　　政策支持+成本下降，碳化硅國產替代有望加速。

　　近年來，國家陸續出臺政策鼓勵SiC行業發展與創新，疊加SiC襯底向大尺寸演進，有效提升材料使用率，以及晶棒、襯底良率持續提升，未來碳化硅器件的生產成本有望持續下降，預計在高電壓場景中將先具備替代優勢。目前海外廠商在碳化硅領域占據先發優勢，國內企業仍在起步階段，技術不斷追趕同時產能尚在爬坡，隨著國內企業產品得到驗證進程加速，下游廠商認可程度不斷提升，海外企業與國內企業差距相對縮小，國產替代具備廣闊的市場空間。

（來源： 智通財經）