2022年11月7-10日， 一年一度行業盛會，第八屆國際第三代半導體論壇（IFWS 2022）&第十九屆中國國際半導體照明論壇（SSLCHINA 2022）將于蘇州國際博覽中心召開。其中，固態紫外材料與器件技術分會作為重要分論壇，目前已經確認最新報告嘉賓正式出爐！

第三代半導體材料禁帶寬度大，具有擊穿電場高、熱導率高、電子飽和速率高等優越性質。其在紫外器件中具備其他半導體材料難以比擬的優勢，展現出巨大的應用潛力。隨著環保及公共安全等領域的需求升級，固態紫外技術擁有廣闊的應用前景。氮化物半導體涉及藍/白光LED、紫外LED，微波射頻器件、功率電子器件等諸多應用，比如深紫外光源已用于日常生活、生產科研、國土安全等領域。

據組委會透露，固態紫外材料與器件分會將重點關注以氮化鋁鎵、氮化鎵為代表的紫外發光材料，以碳化硅、氮化鎵為代表的紫外探測材料，高效量子結構設計及外延，以及發光二極管、激光器、光電探測器等核心器件的關鍵制備技術，并涵蓋紫外器件的先進封裝材料及技術等。

目前分會已經確認有來自：日本三重大學、南京大學、中科院長春光機所、沙特國王科技大學、復旦大學、廈門大學、美國Bolb Inc.、鄭州大學、中科院寧波材料所、湖北大學、華中科技大學、中國科學院蘇州納米技術與納米仿生研究所等科研院校與代表企業的知名企業專家代表共同參與，將圍繞固態紫外材料與器件技術分享主題報告。

目前確認報告嘉賓如下：(仍有部分嘉賓報告正在確認中)：

Fabrication of 265 nm AlGaN-LEDs on Face-to-face annealed AlN/sapphire template

三宅秀人——日本三重大學教授 

提高AlGaN基DUV-LED效率的薄p-GaN上的銀基鏤空反射電極

周玉剛——南京大學電子科學與工程學院教授

氮化物的范德華外延：基底結構、多性能控制和紫外光電器件應用

孫曉娟——中科院長春光機所研究員

在可穿戴光電子學和電子學的柔性襯底上外延生長氧化鎵半導體

李曉航——沙特國王科技大學副教授

高效率深紫外 Micro-LED尺寸依賴特性研究

崔旭高——復旦大學信息科學與工程學院光源與照明工程系副教授

Ga2O3/GaN Heterostructure Ultraviolet Photodetectors

黃凱——廈門大學物理科學與技術學院副院長、教授

Light-extraction efficiency and performance of transparent ultraviolet C-band light-emitting diodes

張劍平——美國Bolb Inc.董事長兼首席技術官

AlGaN基深紫外發光器件設計與仿真研究

劉玉懷——鄭州大學電氣與信息工程學院教授、科技部電子材料與系統國家級國際聯合研究中心主任、河南省電子材料與系統國際聯合實驗室主任

微米級氧化鎵厚膜的載流子定向輸運與深紫外光電探測

張文瑞——中科院寧波材料所研究員

基于HfZrO2與b-Ga2O3異質結的高性能自驅動日盲紫外光探測器

黎明鍇——湖北大學材料科學與工程學院教授

Enhanced light extraction efficiency via double nano-pattern arrays for high-efficiency deep UV LEDs（TBD）

鄭志華——華中科技大學

室溫紫外GaN微盤激光器

司志偉——中國科學院蘇州納米技術與納米仿生研究所

部分嘉賓簡介

三宅秀人，三重大學區域創新研究研究生院教授，研究課題包括半導體工程、晶體生長、光電子學。

周玉剛，南京大學電子科學與工程學院教授。主要研究方向為GaN基半導體材料與器件，LED器件工藝與先進封裝，光電器件及系統的可靠性分析與壽命預測。周玉剛博士長期從事半導體GaN材料生長和器件研究。1996年起在AlGaN/GaN異質結生長及高電子遷移率晶體管（HEMT）器件結構設計方面做出了大量開創性工作。2004年到2013年，他參與香港微晶及廣東晶科電子的創建和發展，負責芯片研發，成功開發國際先進水平的倒裝焊大功率LED和晶片級無金線封裝，助公司獲得2011年香港工商業成就獎和中國LED產業獎。2013年2月起，他任南京大學電子科學與工程學院教授，承擔自然科學基金和國家重點研發計劃課題研究，并積極科技成果的轉化與應用。近年來發展了在線測量LED結溫和亮度的方法并應用于智能照明，在紫外LED的器件工藝與應用、高密度封裝等方面取得重要成果，部分成果得到了轉化。

李曉航，沙特國王科技大學副教授，先進半導體實驗室首席研究員。致力于第三代半導體超寬禁帶材料、器件、物理、設備的研究。擁有20項批準和在申的國際專利。是Nature Photonics等雜志的審稿人和Photonics Research的紫外光電特刊特邀主編(leading guest editor)。曾獲 AACG美國晶體生長協會：Harold M. Manasevit Young Investigator Award、 SPIE國際光學工程協會：DJ Lovell Scholarship、 IEEE Photonics Society光子學協會：Graduate Student Fellowship、Georgia Institute of Technology佐治亞理工學院：Edison Prize。實現在藍寶石上低閾值深紫外激光和260nm以下的深紫外激光、在同一襯底上半導體TE和TM深紫外激光 、實現半導體深紫外表面受激輻射、用低溫低成本實現高質量AlN藍寶石基板外延生長 。2018-今 創建半導體極化場工具箱Polarizationtoolbox。

崔旭高，復旦大學信息科學與工程學院光源與照明工程系副教授。主要從事III族氮化物材料生長和器件研究，在半導體材料生長、材料測試分析、器件制備、InGaN雙異質結太陽能電池、納米卷曲微管光學材料及LED納米復合陶瓷基板的理論研究和應用方面取得了顯著的成果。先后主持國家高技術發展研究計劃(863)項目1項，國家自然科學基金青年基金1項，教育部新教師基金1項，上海市自然基金1項，國家火炬計劃示范項目2項，江蘇省科技工業支撐計劃項目1項，并參加多項國家自然科學基金和其他項目。迄今發表論文30余篇，申請/授權發明專利10余項，參與編寫書目3本。崔旭高副教授在項目的管理和安排方面也積累了豐富的經驗，多項發明取得成果轉化。

黃凱，廈門大學物理科學與技術學院副院長、教授。研究領域深紫外LED、日盲紫外光電探測器、納米光子學、金屬表面等離子體學等。多次在Nanoscale Research Letters、Applied Physics Express、Scientific Reports等重要期刊上發表文章，授權發明專利3項。

張劍平，美國Bolb Inc.董事長兼首席技術官。張劍平博士于2014 年與Ling Zhou博士Ying Gao 和 Eun-hyun Park共同創立了 Bolb Inc.。此后一直擔任 Bolb Inc. 董事長兼首席技術官。張博士在 III 族氮化物半導體產業和學術界積累了20多年的經驗，并在深紫外發光二極管領域做出了開創性的工作。他于2003 年 獲得DARPA SUVOS 杰出表現獎，并為 100 多篇同行評審的出版物和 100 多項美國和國際專利和申請做出了貢獻。

劉玉懷，鄭州大學電氣與信息工程學院教授、科技部電子材料與系統國家級國際聯合研究中心主任、河南省電子材料與系統國際聯合實驗室主任。主要研究方向為氮化物半導體材料與器件，主持國家重點研發計劃政府間國際科技創新合作重點專項（基于氮化物半導體的深紫外激光器的研究）、國家自然科學基金面上項目、河南省科技攻關項目等13項。發表論文與會議報告215篇，國際會議邀請報告12次。日本專利公開1項、授權中國發明專利1項、實用新型項專利1項、軟件著作權5項。紫外LED技術轉移1項。目前主持第三批“智匯鄭州1125創新創業領軍團隊”三色LED集成芯片項目，參與寧波市2025重大科技專項“深紫外LED產業化”。

張文瑞，中科院寧波材料所研究員，主要從事寬禁帶氧化物半導體材料與器件的研究，研究致力于不斷完善氧化物薄膜的精準制備與載流子輸運調控能力，研發新一代功率電子器件與深紫外光電器件，以推動氧化物半導體在新能源產業和信息產業的發展應用。張文瑞博士在氧化物薄膜外延、載流子輸運調控與半導體器件設計研發等方面積累了豐富的研究經驗，與國內外高校、國家實驗室和產業界的科研團隊展開了深入密切的合作。代表性研究成果發展了新型功能氧化物和異質結界面的外延生長技術，在此基礎上揭示了包括激子傳導、小極化子傳導與疇壁傳導的載流子輸運機理與調控方法，進一步研究整流結器件與光電轉換器件的設計應用。以上研究成果在相關領域建立了較高的學術影響力，受到美國能源部亮點報道和學術期刊編輯推薦，并應邀在多個國際會議和學術機構作邀請報告。圍繞以上領域發表學術論文70余篇，其中第一及通訊作者論文20余篇，包括ACS Energy Lett., Adv. Funct. Mater., ACS Nano, Nano-Micro Lett.和IEEE EDL等，論文被引超3000次，H指數30。目前主持國家級人才項目、國家自然科學基金、浙江省自然科學基金和寧波市科技創新團隊項目，擔任30多種國際學術期刊(包括Nat.Commun., Sci. Adv.,和Adv. Mater.)的審稿人。

黎明鍇，湖北大學材料科學與工程學院教授。研究方向為新型超寬禁帶半導體材料、日盲紫外光探測器、采用第一性原理設計、研究新材料。國家自然科學基金面上項目2項、湖北省自然科學基金面上項目1項、教育部博士點基金等科研項目。授權專利11項。

孫曉娟，中國科學院長春光學精密機械與物理研究所研究員，國家優秀青年基金獲得者。主要從事寬禁帶半導體材料與器件相關研究工作，在氮化物材料生長、缺陷調控及器件研究等方面取得了系列科研成果。主持國家自然科學基金“優青”、科技部重點研發計劃子課題、國家自然科學基金面上項目等項目十余項，核心骨干參與國家自然科學基金“創新群體”、國家“杰青”、國家自然科學基金重大科研儀器研制項目、科技部重點研發計劃項目等。相關成果在Advanced Materials、Light: Science & Applications、Applied PhysicsLetters等期刊發表SCI論文60余篇，申請/授權發明專利80余項。

更多論壇信息：

會議時間：2022年11月7日-10日

會議地點：中國 - 蘇州 - 蘇州國際博覽中心G館

日程安排

注冊權益收費表

備注：＊中關村半導體照明工程研發及產業聯盟（CSA）或第三代半導體產業技術創新戰略聯盟（CASA）成員單位在此基礎上再享受10%優惠。

＊學生參會需提交相關證件。

＊會議現場報到注冊不享受各種優惠政策。

＊IFWS相關會議包括：開幕大會，碳化硅襯底材料生長與加工,碳化硅功率電子材料與器件,氮化物襯底材料生長與外延技術,氮化鎵功率電子材料與器件,固態紫外材料與器件,化合物半導體激光器技術,Mini/Micro LED及其他新型顯示技術,射頻電子材料與器件,超寬禁帶及其他新型半導體材料與器件，閉幕大會。

＊SSLCHINA相關會議包括：開幕大會，氮化物襯底材料生長與外延技術，固態紫外材料與器件，LED芯片、封裝與光通信，Mini/Micro LED及其他新型顯示技術，生物農業光照技術，教育照明與健康光環境，光醫療應用技術，化合物半導體激光器技術,閉幕大會。

*產業峰會包括：柔性顯示技術產業高峰論壇、生物農業光照技術與產業應用峰會、車用半導體創新合作峰會、功率模塊與電源應用峰會、第三代半導體標準與檢測研討會、UV LED創新應用、Mini/Micro-LED技術產業應用峰會、智慧照明設計與應用峰會。

＊若由于某些原因，您繳費后無法參會，可辦理退款事宜，組委會將扣除一定的退款手續費。

＊自助餐包含：11月9日午餐和晚餐、10日午餐。

論壇線上注冊平臺

IFWS&SSLCHINA 2022在線注冊通道

*備注：請微信掃碼查看并注冊，注冊成功后可在個人中心查看電子票信息、申請發票、為他人報名、分享海報等等。