2022年11月7-10日， 一年一度行業盛會，第八屆國際第三代半導體論壇（IFWS 2022）&第十九屆中國國際半導體照明論壇（SSLCHINA 2022）將于蘇州國際博覽中心召開。其中，氮化物襯底材料生長與外延技術分會作為重要分論壇，目前已經確認最新報告嘉賓正式出爐！

以碳化硅、氮化鎵等重要的第三代半導體材料，在大功率高頻器件中具有重要的應用。材料水平直接決定了器件的性能。對作為新材料的氮化鎵材料而言，尋找到更加合適的襯底是發展氮化鎵技術的重要目標。氮化物襯底材料的生長與外延非常重要。

據組委會透露，作為IFWS&SSLCHINA2022重要分會，氮化物襯底材料生長與外延技術分會將由北京大學理學部副主任沈波教授，江蘇第三代半導體研究院院長、中科院蘇州納米所副所長徐科研究員，中國科學院長春光學精密機械與物理研究所黎大兵研究員，江蘇第三代半導體研究院副院長畢文剛研究員，江蘇南大光電材料股份有限公司首席技術官楊敏博士等業內知名專家共同召集。目前已經確認有來自美國斯坦福大學、日本國立物質材料研究所、南京大學、中國科學院半導體所、北京大學、奧趨光電技術（杭州）有限公司、北京正通遠恒科技有限公司、武漢大學等科研機構與知名企業專家代表共同參與，就氮化物襯底材料生長與外延技術分享主題報告。

目前確認報告嘉賓如下：(仍有部分嘉賓報告正在確認中)：

·Adding efficiency to electronics with III-Nitride technology

Srabanti CHOWDHURY——美國斯坦福大學電氣工程副教授

·基于HVPE-Ga2O3氮化的GaN襯底技術

修向前——南京大學教授

·平片藍寶石襯底上高質量AlN材料MOCVD外延生長

趙德剛——中國科學院半導體所研究員

·TBD

王建峰——蘇州納維科技有限公司總經理

·AlGaN基低維量子結構外延和電導率調控研究

許福軍——北京大學物理學院副教授

·PVT法同質外延AlN生長和p型摻雜面臨的挑戰 

吳亮——奧趨光電技術（杭州）有限公司首席執行官

·定量陰極發光CL技術在氮化物半導體中的應用

劉兵武——北京正通遠恒科技有限公司總經理

·無損表征氮化鎵外延熱物性的瞬態熱反射技術

袁超-——武漢大學工業科學研究院研究員

·High output power and bandwidth of c-plane GaN-on-GaN micro-LED for high-speed visible light communication

王國斌——江蘇第三代半導體研究院研發部負責人

·利用AlN傳導層在GaN襯底上外延生長金剛石薄膜及其熱傳輸特性

桑立雯——日本國立物質材料研究所獨立研究員

部分嘉賓簡介

沈波，北京大學理學部副主任、寬禁帶半導體研究中心主任、物理學院長江特聘教授、國家杰出青年基金獲得者、基金委創新研究群體帶頭人，國家973計劃項目首席科學家、國家863計劃“半導體照明”重點專項總體專家組成員、國家863計劃“第三代半導體”重點專項總體專家組組長、國家“戰略性先進電子材料”重點專項總體專家組成員，享受國務院特殊津貼。先后在南京大學、中國科技大學和日本東北大學獲得學士、碩士和博士學位。曾任日本東京大學產業技術研究所研究員，東京大學先端科技研究中心、千葉大學電子學與光子學研究中心客座教授、日本產業技術綜合研究所訪問教授。

1995年迄今一直從事III族氮化物（又稱GaN基）寬禁帶半導體材料、物理和器件研究，在GaN基量子結構的MOCVD外延生長、強極化/高能帶階躍半導體二維電子氣輸運性質、 寬禁帶半導體缺陷物理、GaN基微波射頻器件和功率電子器件、AlGaN基深紫外發光材料和器件等方面取得了在國內外同行中有一定影響的研究成果。先后主持和和作為核心成員參加國家973計劃、863計劃和自然科學基金重點項目等20多項國家級科研課題，先后與華為、京東方、彩虹集團、廣東光大集團和中國電科13所、55所等企業開展了一系列科研合作。迄今發表學術論文300多篇，論文被引用4000多次，獲得/申請國家發明專利50多件，在國內外學術會議做大會和分會邀請報告20多次， 多次擔任國際學術會議顧問委員會、程序委員會、組織委員會主席和委員，先后獲國家技術發明二等獎、國家自然科學二等獎、江蘇省科技進步一等獎和教育部科技進步一等獎。部分研究成果實現了產業化應用，并產生了顯著的經濟和社會效益。

徐科，中國科學院蘇州納米技術與納米仿生研究所副所長、研究員，江蘇第三代半導體研究院院長。國家杰出青年基金獲得者。1988～1995年就讀于西安交通大學，獲碩士學位，1998年于中科院上海光學精密機械研究所獲博士學位。1999～2002年在日本千葉大學光電子研究中心做博士后，2002～2004年在日本科學技術振興事業團，參加超高速省電力高性能納米器件/系統研發項目，2004～2006年任教于北京大學，2006年起加入中科院蘇州納米所，任測試分析平臺主任。曾榮獲2007年“蘇州工業園區首屆科技領軍人才”稱號、2008年“首屆姑蘇創新創業人才”、“江蘇省雙創人才”稱號、2010年榮獲第十三屆中國科協“求是杰出青年獎”、2011年蘇州市市長獎，2012年榮獲全國產學研合作創新成果獎、中國科學院國際合作青年科學家獎，2013年獲得國家杰出青年基金資助，2013年蘇州市魅力科技人物。現任“863”計劃新材料領域主題專家、國家納米標準委員會委員。

一直圍繞高質量氮化物半導體材料生長、相關材料與器件物理開展研究。開展了多種與GaN晶格匹配的單晶體生長，在LiAlO2(100)襯底上用MOCVD方法首次外延生長出非極性m面GaN；系統研究了GaN的MOCVD和MBE生長機理，氮化物的極性選擇、極性控制，闡明了極性對氮化銦(InN)生長的特殊影響，是國際上最早發現InN窄帶隙的研究者之一；近年來重點開展氮化物的氫化物氣相外延(HVPE)生長研究、極低缺陷密度氮化物材料的物性研究，研發出可以連續穩定生產GaN單晶襯底的HVPE系統，開發出高質量完整2英寸單晶氮化鎵襯底，并實現批量生產；組織開展納米尺度空間分辨的綜合光電測試技術與裝備研制、微納尺度原位加工與測試技術的融合，并用于半導體中單個缺陷和低維結構的新奇物性研究。發表SCI論文70余篇，申請專利40余項，國際專利一項，國際會議特邀報告20余次。承擔了國家自然科學基金、973重大研究計劃、863項目、科技部國際合作項目、中科院裝備研制項目、江蘇省重大科技成果轉化專項、發改委戰略新興產業化示范項目等。

Srabanti CHOWDHURY，美國斯坦福大學電氣工程副教授。Srabanti Chowdhury是電氣工程（EE）副教授和斯坦福大學預科學院高級研究員。她領導斯坦福大學寬帶隙實驗室，在那里她的研究重點是寬帶隙（WBG）和超寬帶隙（UWBG）材料和器件工程，以實現高效緊湊的電子系統架構，包括功率RF和計算應用。除了氮化鎵之外，她的團隊還在探索鉆石的各種主動和被動電子應用，特別是熱管理。Srabanti獲得了加州大學圣巴巴拉分校電氣工程碩士和博士學位，從事垂直GaN開關的研究。2015年，她獲得了DARPA青年教師獎、NSF CAREER和AFOSR青年研究員計劃（YIP）。2016年，她在化合物半導體國際研討會（ISCS）上獲得了青年科學家獎。她是IEEE的高級成員，也是NAE工程前沿的校友。她于2020年獲得了阿爾弗雷德·P·斯隆（Alfred P.Sloan）物理學獎學金。迄今為止，她的工作已經產生了超過6個書籍章節、90篇期刊論文、110篇會議報告和26項已頒發專利。她為多個IEEE會議（包括IRPS和VLSI研討會）的計劃委員會以及IEDM的執行委員會服務。她擔任Transaction Electron Devices的副主編，以及IEEE Electron Device Society下屬的兩個委員會（復合半導體器件與電路委員會成員和功率器件與集成電路委員會）。她是美國能源部資助的能源前沿研究中心（簡稱ULTRA）的科學合作主任。

修向前，南京大學教授。主要從事基于III族氮化物寬帶隙半導體襯底材料與設備以及III族氮化物納米結構材料與器件等的研究和應用。2017年，主持的國家重點研發計劃“第三代半導體核心關鍵裝備”獲得立項。近5年，主持/參與863計劃、973、國家自然科學基金、國家自然科學基金重大項目、江蘇省自然科學基金等項目共10余項。共發表SCI/EI等學術論文80余篇，其中SCI論文60余篇。已獲得授權國家發明專利31項（第一發明人20余項），申請國家發明專利30余項。編寫論著9章。相關研究成果“III族氮化物半導體極化和缺陷研究”獲得2010年度“高等學校科學研究優秀成果獎（科學技術）”自然科學獎一等獎，本人排名第二。研究方包括GaN基Ⅲ族氮化物的襯底材料生長、性質和器件研究；氫化物氣相外延設備研制與應用；微納米氮化物半導體材料與器件研究。

趙德剛，中國科學院半導體所研究員、博士生導師、光電子研究發展中心主任，主要從事GaN基光電子材料生長與器件研究，對材料生長機理、材料物理、器件設計及器件物理有較深入的理解和認識，解決了GaN材料大失配異質外延技術等關鍵難題，研制出我國第一支GaN基紫外激光器、長壽命大功率藍光激光器和紫外雪崩光電探測器，還在碳雜質研究做出了系統性、創新性工作。主持和承擔了國家重點研發計劃、863、國家自然科學基金等多個項目，在Applied Physics Letters等著名學術刊物上發表SCI論文270多篇，獲得國家發明專利30多項，撰寫中文、英文專著各一章。在GaN器件方面，設計出能夠監測紫外波長的新型器件，提出了利用紫外探測器的響應光譜對p-GaN載流子濃度進行測量的新方法；研究了p-GaN的歐姆接觸工藝技術，實現了良好的歐姆接觸特性，揭示了歐姆接觸、空位缺陷和碳雜質對探測器的影響機理；研究了InGaN量子阱界面控制方法，分析了量子阱的電熒光光譜隨注入電流變化的機制，并提出了相應的物理模型；提出了降低吸收損耗、抑制電子泄漏的多種激光器新結構，闡述了V型缺陷和碳雜質破壞發光器件性能的物理機制；研制出我國第一支GaN基紫外激光器、長壽命大功率藍光激光器以及紫外雪崩光電探測器。

許福軍，北京大學物理學院副教授。主要研究領域為寬禁帶半導體材料和器件物理。近年來主要開展AlGaN 基深紫外發光材料和器件研究。在AlN、AlGaN及其低維量子結構外延生長、缺陷控制和AlGaN的電導率調控等方面開展了較系統的研究工作，在高質量AlN、高效率AlGaN量子阱以及高載流子濃度p型AlGaN方面均達到國際先進水平，并在團隊支撐下突破了高性能深紫外發光二極管（LED）器件研制的關鍵技術，正推動科研成果落地付諸產業化實踐。近年來，作為負責人承擔國家自然科學面上基金3項；作為子課題負責人參與國家重點研發計劃項目1項、北京市科委重點項目1項，山東省重點研發計劃項目1項和廣東省重點研發計劃項目1項。迄今以一作/通訊作者在Applied Physics Letters、Optical Express等期刊上共發表SCI 收錄論文30多篇，獲得/申請國家發明專利10多件。 

吳亮，奧趨光電技術（杭州）有限公司首席執行官。國際知名晶體生長工藝與模擬仿真科學家，有近20年半導體、光伏及各種單晶生長工藝研究、開發與研發領導經驗。曾供職于英特爾技術發展有限公司、比利時FEMAGSoft SA（高級研發工程師、駐北京首席代表等）、蘇州協鑫工業應用研究院有限公司（副院長，現協鑫中央研究院）、協鑫太陽能材料有限公司（總工程師）等，現任奧趨光電技術（杭州）有限公司CEO。吳亮博士曾承擔日本、德國、比利時等多家世界500強企業或政府組織在半導體材料領域的專業化合作研究，申請/授權國內國際專利50余項，在德國出版晶體生長專著一部，發表各種期刊/會議論文及各種國際/國內邀請報告100多篇/次）。 

袁超，武漢大學工業科學研究院研究員，長期從事寬禁帶器件表征和熱管理研究工作，在薄膜尺度熱反射表征方法(thermoreflectance)、聲子熱輸運理論、以及(超)寬禁帶半導體器件設計等領域具有一定的技術優勢和科研特色。承擔多個國家/省部級重大戰略需求的縱向科研項目，迄今共發表國際SCI論文30余篇。長期和國內外知名半導體企業和研究機構合作，擁有豐富的產學研經驗。

桑立雯，日本國立物質材料研究所獨立研究員。2010年畢業于北京大學，獲理學博士學位。2010年4月加入日本國立物質材料研究所(National Institute for Materials Science)進行博士后研究，2014年拿到該所終身職位，目前是該所國際納米材料研究中心(International Center for Materials Nanoarchitectonics (MANA),NIMS) 獨立研究者。2012年和2019年兩次獲得日本科學振興機構(JST)杰出青年先驅計劃PRESTO，2017年獲得國際缺陷領域the James W. Corbet Prize，2022年獲得日本國家文部科學省科學技術領域文部科學大臣若手科學者獎, 該獎項是日本青年研究人員最高獎。桑立雯研究員課題組主要從事III-V族氮化物界面調控及光電機械器件研究，已發表SCI論文110余篇，總引用次數2800余次(h指數26)，參與撰寫英文專著2部。

王建峰，蘇州納維科技有限公司總經理

 

劉兵武，北京正通遠恒科技有限公司總經理

更多論壇信息

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會議時間：2022年11月7日-10日

會議地點：中國 - 蘇州 - 蘇州國際博覽中心G館

日程安排

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備注：＊中關村半導體照明工程研發及產業聯盟（CSA）或第三代半導體產業技術創新戰略聯盟（CASA）成員單位在此基礎上再享受10%優惠。

＊學生參會需提交相關證件。

＊會議現場報到注冊不享受各種優惠政策。

＊IFWS相關會議包括：開幕大會，碳化硅襯底材料生長與加工,碳化硅功率電子材料與器件,氮化物襯底材料生長與外延技術,氮化鎵功率電子材料與器件,固態紫外材料與器件,化合物半導體激光器技術,Mini/Micro LED及其他新型顯示技術,射頻電子材料與器件,超寬禁帶及其他新型半導體材料與器件，閉幕大會。

＊SSLCHINA相關會議包括：開幕大會，氮化物襯底材料生長與外延技術，固態紫外材料與器件，LED芯片、封裝與光通信，Mini/Micro LED及其他新型顯示技術，生物農業光照技術，教育照明與健康光環境，光醫療應用技術，化合物半導體激光器技術,閉幕大會。

*產業峰會包括：柔性顯示技術產業高峰論壇、生物農業光照技術與產業應用峰會、車用半導體創新合作峰會、功率模塊與電源應用峰會、第三代半導體標準與檢測研討會、UV LED創新應用、Mini/Micro-LED技術產業應用峰會、智慧照明設計與應用峰會。

＊若由于某些原因，您繳費后無法參會，可辦理退款事宜，組委會將扣除一定的退款手續費。

＊自助餐包含：11月9日午餐和晚餐、10日午餐。

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