2022年11月7-10日， 一年一度行業盛會，第八屆國際第三代半導體論壇（IFWS 2022）&第十九屆中國國際半導體照明論壇（SSLCHINA 2022）將于蘇州國際博覽中心召開。其中，射頻電子材料與器件技術分會作為重要分論壇，目前已經確認最新報告嘉賓正式出爐！

第三代半導體材料具有更寬的禁帶寬度、更高的擊穿電場、更高的熱導率、更大的電子飽和速度以及更高的抗輻射能力，更適合制作高溫、高頻、抗輻射及大功率器件。氮化鎵微波器件具備高頻、高效、大功率等特點，在新一代移動通信等領域應用潛力巨大。GaN 已成為射頻功率應用中 LDMOS 和 GaAs 的重要競爭對手，其性能和可靠性不斷提高且成本不斷降低。

據組委會透露，作為IFWS 2022的重要分會之一，射頻電子材料與器件分會主題涵蓋氮化鎵微波器件及其芯片設計及在移動通信中的應用等各方面。分會由中國電子科技集團公司第五十五研究所首席科學家陳堂勝，中國電子科技集團公司第五十八研究所所長蔡樹軍，蘇州能訊高能半導體有限公司董事長張乃千，中國科學院半導體研究所副所長、研究員張韻，日本德島大學教授、江南大學教授敖金平，南方科技大學深港微電子學院院長、教授于洪宇，中電科第十三所首席科學家、專用集成電路國家級重點實驗室副主任馮志紅，中興通訊股份有限公司無線射頻總工劉建利等業內知名專家共同召集。

目前分會已經確認有來自：澳大利亞麥考瑞大學、日本京都大學、南京國博電子股份有限公司、南京理工大學、蘇州能訊高能半導體有限公司、中國電科十三所、山東大學新一代半導體材料研究院、中興通訊、北京昂瑞微電子技術股份有限公司、西安電子科技大學等科研院校與代表企業的知名企業專家代表共同參與，將圍繞射頻電子材料與器件技術分享主題報告。

目前確認報告嘉賓如下：(仍有部分嘉賓報告正在確認中)：

·Scalable nonlinear RF modeling of GaN HEMTs with industry standard ASM-HEMT compact model

Sourabh Khandelwal--澳大利亞麥考瑞大學

·TBD

Naoki Shinohara--日本京都大學教授

·5G移動通信用化合物器件研究

錢峰--南京國博電子股份有限公司副總經理

·28GHz氮化鎵基時間調制波束成形系統

黃同德--南京理工大學副教授

·氮化鎵推動5G、射頻能源及其他領域的創新

裴軼--蘇州能訊高能半導體有限公司副總裁

·TBD

蔡小龍--中興通訊高級技術預研工程師

·電流/功率截止頻率為135/310 GHz的高性能硅基InAlN/GaN HEMTs

崔鵬--山東大學新一代半導體材料研究院 研究員

·47GHz-52GHz功率放大器芯片套片設計

杜鵬搏——中國電科十三所正高級工程師、河北新華北集成電路有限公司副總經理

·國產突破，中國射頻前端產業引領5G 芯時代

黃鑫——北京昂瑞微電子技術股份有限公司副總裁

·基于雙通道AlGaN/GaN FinFET結構的高線性射頻器件研究

李昂——西安電子科技大學

部分嘉賓簡介

Naoki Shinohara，日本京都大學教授。他于1996年獲得了日本京都大學博士學位，并先后在京都大學的空間射頻研究中心和人類生存圈研究所從事太陽能衛星和無線能量傳輸等方向的研究，研究領域包括無線電力傳輸、微波電力傳輸和太陽能電力衛星等。他是IEEE、URSI、IEICE、IEEJ、WiPoT等協會會員，并作為IEEE杰出演講人在世界多個知名高校展開以"無線能量傳輸"為主題的講座。

錢峰，南京國博電子股份有限公司副總經理。研究員級高級工程師。1993年6月至2001年12月,歷任中國電科五十五所一部二室助理工程師、工程師;2001年12月至2006年6月,歷任中國電科五十五所一中心高級工程師、研究員級高級工程師;2006年6月至2011年3月,歷任中國電科五十五所集成電路設計部副主任、主任;2011年3月至2012年2月,任國博有限副總經理;2012年2月至2015年3月,任中國電科五十五所單片電路設計部主任;2015年3月至2018年9月,任中國電科五十五所副總工程師;2018年9月至2020年12月,任國博有限副總經理;2020年12月至今,任南京國博電子股份有限公司副總經理。 

裴軼  蘇州能訊高能半導體有限公司副總裁。2004年北京大學本科畢業，2009年獲加州大學圣巴巴拉分校博士學位。現任蘇州能訊高能半導體有限公司聯合創始人兼技術副總裁，正高級工程師。國家萬人計劃-科技創新領軍人才，國家第三代半導體技術創新中心第一屆技術專家委員會委員，第三代半導體聯盟標準委員會委員。IEEE高級會員，中國電子學會高級會員，中國電源學會元器件專業委員會委員，蘇州大學產業教授。研究興趣包含氮化鎵微波和毫米波器件、氮化鎵功率器件及應用、氮化鎵材料、工藝、可靠性和非線性模型等。發表和共同發表了100余篇期刊和會議論文，累計申請專利150余項。

崔鵬，山東大學新一代半導體材料研究院 研究員。2018年6月獲山東大學微電子學院博士學位。2018年7月至2021年7月在美國University of Delaware電子與計算機工程系從事博士后研究。主要從事寬禁帶半導體器件制備與研究，在低功耗器件、射頻器件、功率放大器線性度等方面取得了一些較有影響力的國際指標性成果：首次在氮化鎵（GaN）高電子遷移率場效應晶體管（無柵介質層）上實現亞閾值擺幅低于理論極限，其亞閾值擺幅可達到30 mV/dec, 為目前報道的無柵介質的GaN HEMT最低值，促進了GaN開關器件的功耗降低和尺寸縮小；制備出國際最高功率截止頻率特性的GaN-on-Si 器件，其功率截止頻率可達到270 GHz；研發的硅基InAlN/GaN高電子遷移率場效應晶體管以國際最高的柵長頻率乘積值，被 Semiconductor Today, ScienceDaily, everything RF, UDaily等分別報道；首次確立極化庫侖場散射與GaN HEMT器件線性度的關聯關系，建立器件層級提高GaN功率放大器線性度的可行性方案。迄今為止,在本領域權威期刊IEEE Electron Device Letters, IEEE Transactions on Electron Devices, Scientific Reports, Journal of Applied Physics等發表論文50余篇，其中第一作者SCI論文20篇，申請/授權國家發明專利5項。

黃同德，南京理工大學副教授。研究方向包括化合物微波集成電路芯片（MMIC）；CMOS毫米波集成電路芯片；微波器件物理與仿真模型建立。包括功率放大器，混頻器，低噪聲放大器，本振信號源等,應用目標為雷達制導探測，5G毫米波通信等前端系統；有源無源高頻器件建模，服務于芯片設計與系統優化。主持及參與科研項目包括江蘇省科技廳重點項目“面向5G毫米波通信的新型GaN基波束形成系統關鍵技術研發”；國家自然科學基金項目“新型高性能納秒級恢復時間氮化鎵低噪聲放大器研究”；留學人員科技創新項目擇優資助(B類)，“毫米波氮化鎵集成收發前端芯片研發”等。目前已發表SCI和EI學術論文26余篇，其中以第一作者身份在相關領域國際頂級期刊IEEE Trans.和Letters上發表論文10篇，五年內論文被引用273次，單篇最高他引次數為52次，所發表成果兩次被國際權威半導體期刊《Semiconductor Today》專題重點報道.

Sourabh Khandelwal，澳大利亞麥考瑞大學教授，Khandelwal博士在麥格理大學領導一個充滿活力的研究小組，專注于半導體器件建模和仿真。他是CMC GaN RF和功率器件的全球行業標準ASM-HEMT模型的主要作者。他撰寫了150多篇論文，并出版了3本關于GaN、FDSOI和FinFET技術的書籍。在此之前，Khandelwal博士曾在加州大學伯克利分校的BSIM小組和IBM半導體研究中心工作。

蔡小龍，中興通訊高級技術預研工程師

杜鵬搏，中國電科十三所正高級工程師、河北新華北集成電路有限公司副總經理，中國電科十三所MMIC芯片領域專家，河北省青年拔尖人才。主要從事微波/毫米波集成電路設計、測試及可靠性研究。多項研究成果達到國際先進水平，先后承擔國家重大項目10余項，發表相關論文10多篇，申請專利7項。獲得中國電科科學技術獎一等獎2項、三等獎2項，國防科學技術進步獎二等獎2項、三等獎1項。

黃鑫，北京昂瑞微電子技術股份有限公司副總裁。西安電子科技大學微電子學碩士，十五年4G/5G/IoT無線通信芯片研發、規劃、推廣經驗。現任昂瑞微副總裁，負責整個公司的戰略發展，產品定位和公共關系等。主導定義了十余款4G/5G射頻前端芯片，包括：L-PAMiD/F、L-FEM、MMMB、TxM、PAM等射頻前端模組。客戶包括榮耀、小米、三星、中興、摩托羅拉、諾基亞等國內外知名品牌。用于5G手機終端的射頻前端芯片，已在國內一線手機廠商實現超七千萬顆的規模出貨。

更多論壇信息：

會議時間：2022年11月7日-10日

會議地點：中國 - 蘇州 - 蘇州國際博覽中心G館

日程安排

注冊權益收費表

備注：＊中關村半導體照明工程研發及產業聯盟（CSA）或第三代半導體產業技術創新戰略聯盟（CASA）成員單位在此基礎上再享受10%優惠。

＊學生參會需提交相關證件。

＊會議現場報到注冊不享受各種優惠政策。

＊IFWS相關會議包括：開幕大會，碳化硅襯底材料生長與加工,碳化硅功率電子材料與器件,氮化物襯底材料生長與外延技術,氮化鎵功率電子材料與器件,固態紫外材料與器件,化合物半導體激光器技術,Mini/Micro LED及其他新型顯示技術,射頻電子材料與器件,超寬禁帶及其他新型半導體材料與器件，閉幕大會。

＊SSLCHINA相關會議包括：開幕大會，氮化物襯底材料生長與外延技術，固態紫外材料與器件，LED芯片、封裝與光通信，Mini/Micro LED及其他新型顯示技術，生物農業光照技術，教育照明與健康光環境，光醫療應用技術，化合物半導體激光器技術,閉幕大會。

*產業峰會包括：柔性顯示技術產業高峰論壇、生物農業光照技術與產業應用峰會、車用半導體創新合作峰會、功率模塊與電源應用峰會、第三代半導體標準與檢測研討會、UV LED創新應用、Mini/Micro-LED技術產業應用峰會、智慧照明設計與應用峰會。

＊若由于某些原因，您繳費后無法參會，可辦理退款事宜，組委會將扣除一定的退款手續費。

＊自助餐包含：11月9日午餐和晚餐、10日午餐。

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