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半導體產業的縮影與鴻溝:比亞迪自研芯片歷史

日期:2022-09-30 閱讀:553
核心提示:  近年來,汽車產業除了原材量價格上漲之外,聽到最多的就是缺芯,一顆小小的芯片身價甚至翻了上百倍,即便如此仍然是一芯難求
   近年來,汽車產業除了原材量價格上漲之外,聽到最多的就是“缺芯”,一顆小小的芯片身價甚至翻了上百倍,即便如此仍然是“一芯難求”,這也導致全球各大車企都曾因為缺少芯片進而選擇減產甚至停產。但就是在這樣的大環境下,有一家車企卻能獨善其身,它就是那個連芯片都要自己造的比亞迪。
 
  一、目前國內芯片產業現狀
 
  半導體號稱是科技界的“原油”,沒有半導體產品,任何科技產品都沒法生產。但是,國內目前的芯片產業依然重度依賴進口,不論是汽車領域還是其他高新技術產業都受到波及。
 
  在2021年,芯片成為我國第一大進口商品,是石油的兩倍還多,進口額近4400億美元,約2.8萬億人民幣。芯片進口額占GDP比例接近2.45%,中國每年進口集成電路的金額占中國所有進口金額的16%,也就是說每進口6塊錢的商品中,就有1塊錢是芯片,而這個數據還是在被美國制裁之后的數據。
 
  我們確實應該感謝美國的“當頭一棒“,讓我們意識到芯片對于國家科技發展的重要性。從2019年5月華為芯片被制裁開始,中美貿易戰已經過去整整3年多的時間,國家也在近些年開始大力發展半導體產業,到2021年中國的芯片產能已達到日產10億顆,但這其中還包括了在中國設廠的境外企業,如臺積電,三星,海力士等。所以刨除掉境外企業,目前國內芯片生產依然十分落后。
 
  其實國家早就注意到了這一狀況,并且制定了一系列方案來應對,但到目前為止,并沒有達到預期的效果。2015年《中國制造2025》計劃出爐,半導體自制,成為該計劃的重點核心產業。2025計劃中設定:到2020年,半導體自給率達到40%,2025年要達到70%。
 
  如今已經2022年,如果將所有國內生產的芯片都算上(很多都是低端芯片),自給率也只有36%,而2019年我國芯片自給率為30%左右,也就是說兩年的時間自給率增加了6%,平均每年增加僅3%,如果按照這個增速,到2025年我國芯片自給率也僅僅達到48%,與70%自給率這個目標相去甚遠。要達到2025年70%自給率這個目標,國產芯片仍然還有很遠的路要走。所以說,目前中國的芯片生產能力不足,很容易被卡脖子,尤其是高端芯片的生產以及汽車芯片。
 
  根據2021年中汽協數據,我國汽車芯片自給率只有5%左右,這也是為何上海疫情爆發之后,許多汽車主機廠因為缺少芯片而停產的原因所在,就是因為太過于依賴進口芯片。
 
  二、一段芯事:比亞迪自研芯片歷史
 
  提起比亞迪,很多人的第一印象是個汽車品牌。其實,在半導體領域,比亞迪也堪稱國產芯片“先行者”。比亞迪在2002年成立IC(集成電路)設計部,與造車和電池計劃幾乎同時起步。目前,比亞迪芯片已經在多個領域實現應用甚至是盈利。比亞迪擁有已授權專利1167 項,建立起了完整的自主知識產權體系,在芯片設計、晶圓制造、模塊封裝與測試、系統級應用測試等環節均有一定建樹。特別是在功率半導體、車規級芯片IGBT、SiC的研發方面,比亞迪有著5年打破外企壟斷,13年追平國際一流的輝煌業績。
 
  IGBT,又稱“絕緣柵雙極型晶體管”,它像是一種承擔“開關”功能的半導體器件,通過在電子設備中的高效快速開關,完成電流類型的轉換和放電規模掌控。IGBT器件類型有很多,比如應用于高鐵領域的、航天領域的、汽車領域的,乃至工程設備領域的等等,而比亞迪聚焦的就是車規級IGBT芯片。
 
  2009年成功研發出第一代IGBT芯片,一舉打破了國外的技術壟斷,并且在2018年,比亞迪還推出了IGBT4.0芯片。截止2020年底,比亞迪IGBT芯片累計裝車已超100萬輛,單車行駛里程超100萬公里。
 
  目前,比亞迪已經研發成功IGBT6.0,采用了90納米工藝制程,在所有車用芯片中是最小的。與幾納米的手機芯片不同,車載芯片的技術核心是工藝的成熟度,由于其特殊的使用環境,車載芯片也不需要做到那么小,車載芯片更重視的是可靠性、耐用性以及制造成本。并且從比亞迪的招股書中可以看到,比亞迪IGBT采用IDM模式,能夠自行設計、制造與封裝。
 
  比亞迪IGBT已經連續三年拿下車規級IGBT模塊全球第二、國內廠商第一的成績,但與排名第一的英飛凌相比,差距還是相當懸殊的。目前,英飛凌依然占據國內份額的60%-70%之間,而比亞迪則穩定在15%左右。當然,這與比亞迪長期奉行“自用優先”的發展路線也有關聯。不過,隨著比亞迪半導體的拆分上市,未來幾年比亞迪IGBT的市場表現將有巨大的上升空間。
 
  但隨著市場對電動車型的電池容量、電機功率、充電效率和損耗的要求提高,IGBT器件受制于材料特性,性能明顯出現瓶頸,器件和車廠紛紛轉向SiC(碳化硅技術)。據研究數據顯示,在750V高壓狀態下,碳化硅(SiC)部件比相同的硅基IGBT部件能效增加8-12%,傳導損耗減少14%。此外,碳化硅可以在高頻狀態下穩定工作,得益于此,以該材料制作的控制芯片不僅可以實現更快的開關頻次(約為IGBT的5-10倍),同時開關損耗比前者下降了75%,這就為相應的軟件管理策略預留了更大的空間。  而在SiC模塊領域,比亞迪目前已經推出1200V 1040A SiC功率模塊,突破了高溫封裝材料、高壽命互連設計、高散熱設計及車規級驗證等技術難題。在2020年7月推出的比亞迪漢EV(參數|詢價),通過配備自研的碳化硅電機驅動控制器,達成了3.9秒的0-100km/h加速時間和更亮眼的續航里程。
 
  雖然比亞迪在SiC領域有了比較大的突破,但從全球碳化硅市場占比看,比亞迪還排不上名次。目前科銳(CREE)占據了全球45%的市場份額,日本羅姆(Rohm)的子公司SiCrystal占據20%,II-VI占13%;中國企業方面,天科合達占到5.3%,山東天岳為2.6%,目前主要的市場份額仍掌握在以美歐日為首的國家手中。  來源: 愛卡汽車網
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