半導體產業網獲悉：9月23日，基本半導體宣布完成數億元C4輪融資，由德載厚資本、國華投資、新高地等機構聯合投資，現有股東屹唐長厚、中美綠色基金等機構繼續追加投資。
本輪融資將用于進一步加強碳化硅產業鏈關鍵環節的研發制造能力，提升產能規模，支撐碳化硅產品在新能源汽車、光伏儲能等市場的大規模應用，提升基本半導體在碳化硅功率半導體行業的核心競爭力。
據了解，基本半導體創立于2016年，研發方向是第三代半導體碳化硅功率芯片及模塊，覆蓋材料制備、芯片設計、封裝測試、驅動應用等產業鏈關鍵環節，核心產品包括碳化硅二極管和MOSFET芯片、汽車級碳化硅功率模塊、碳化硅驅動芯片等。公司擁有一支國際化的研發團隊，核心成員包括二十余位來自清華大學、中國科學院、英國劍橋大學、德國亞琛工業大學、瑞典皇家理工學院、瑞士聯邦理工學院等國內外知名高校及研究機構的博士。公司總部位于深圳，在北京、上海、南京、無錫、香港以及日本名古屋設有研發中心和制造基地。在無錫投產了汽車級碳化硅功率模塊專用產線，2025年預計產能達到400萬只模塊，將有力支持車企實現電機控制器從硅到碳化硅的替代。
基本半導體掌握領先的碳化硅核心技術，研發覆蓋碳化硅功率半導體的材料制備、芯片設計、封裝測試、驅動應用等產業鏈關鍵環節，累計獲得兩百余項專利授權，核心產品包括碳化硅二極管和MOSFET芯片、汽車級碳化硅功率模塊、碳化硅驅動芯片等，性能達到國際先進水平，服務于光伏儲能、電動汽車、軌道交通、工業控制、智能電網等領域的全球數百家客戶。
同時，基本半導體的優勢一方面在于產品創新，所研發的第三代650V、1200V系列碳化硅二極管和混合碳化硅分立器件，實現了更高的電流密度、更小的元胞尺寸和更強的浪涌能力。此外，在汽車級碳化硅功率模塊方面，基本半導體的半橋MOSFET模塊Pcore™2、三相全橋MOSFET模塊Pcore™6、塑封半橋MOSFET模塊Pcell™等產品采用銀燒結技術，綜合性能達到國際先進水平。
據了解，基本半導體于2021年9月完成C1輪融資，由松禾資本等機構聯合投資。2022年6月完成C2輪融資，由廣汽資本、潤峽招贏、藍海華騰等機構聯合投資。2022年7月1日，基本半導體完成C3輪融資，由粵科金融和初芯基金聯合投資。
同時，基本半導體的優勢一方面在于產品創新，所研發的第三代650V、1200V系列碳化硅二極管和混合碳化硅分立器件，實現了更高的電流密度、更小的元胞尺寸和更強的浪涌能力。此外，在汽車級碳化硅功率模塊方面，基本半導體的半橋MOSFET模塊Pcore™2、三相全橋MOSFET模塊Pcore™6、塑封半橋MOSFET模塊Pcell™等產品采用銀燒結技術，綜合性能達到國際先進水平。
在9月15日，埃安發布了Hyper SSR超跑，Hyper SSR超跑百公里加速1.9s，打破超跑2秒加速性能極限，搭載埃安獨創的兩擋四合一高性能電機，采用高鐵同款900V碳化硅芯片，能夠實現12000牛·米的輪上峰值扭矩，最大輸出功率可以達到900千瓦，帶來1.7G堪比火箭發射的強勁推背感；1225匹的綜合馬力，比F1賽事標準還要高出1.5倍。埃安獨創的兩檔四合一高性能電機選用基本半導體汽車級全碳化硅三相全橋MOSFET模塊Pcore™6，該碳化硅模塊支持900V的工作電壓，可使電機工作頻率提高2.5倍，同時降低80%的功率損耗。
Pcore™6汽車級全碳化硅三相全橋MOSFET模塊采用溝槽型、低導通電阻碳化硅MOSFET芯片，是基本半導體的一款旗艦型產品。該模塊專為混合動力和電動汽車核心牽引驅動器高性能、高效率應用需求而設計，結構非常緊湊。
作為國內碳化硅功率器件行業領軍企業，基本半導體研發覆蓋碳化硅材料制備、芯片設計、封裝測試、驅動應用等全產業鏈，并建立了完備的國內國外雙循環供應鏈體系。公司自研的碳化硅二極管和MOSFET芯片、汽車級碳化硅功率模塊、碳化硅驅動芯片等核心產品，性能達到國際先進水平，器件產品累計出貨超過2000萬顆。目前，基本半導體正和國內外多家頭部車企及電機控制器Tier1企業進行測試開發，并已獲得多家客戶的定點。公司2021年通線的無錫汽車級碳化硅功率模塊封裝產線也已進入量產階段。
據了解，基本半導體于2021年9月完成C1輪融資，由松禾資本等機構聯合投資。2022年6月完成C2輪融資，由廣汽資本、潤峽招贏、藍海華騰等機構聯合投資。2022年7月1日，基本半導體完成C3輪融資，由粵科金融和初芯基金聯合投資。
