9月，京都大學宣布來自該校材料化學系、立命館大學、東京都產業技術綜合研究所等的研究小組開發了一種新的金紅石型GeO2基半導體——主要是金紅石型GeO2（r-GeO2），作為下一代功率半導體材料引起了關注。該研究成果于2022年8月26日在線發表于美國物理學會的國際期刊《物理評論材料》。
據悉，這種r-GeO2材料有望成為實現低損耗和高電壓功率器件的下一代功率半導體材料。研究小組分析了整個成分范圍內rGexSn1-xO2混合晶體薄膜的合成和性能，并利用第一原理計算對r-GexSn1-xO2和r-GexSi1-xO2混合晶體薄膜進行了帶狀排列分析。結果證明可對GeO2-SnO2-SiO2混合晶體系統中帶隙等各種性能的控制，并揭示了控制r-GexSn1-xO2混合晶體中導電性的可能性以及r-GexSi1-xO2混合晶體作為阻擋層的用途。
目前超寬帶隙（UWBG）半導體作為下一代半導體材料，包括氮化鋁（AlGaN）、氧化鎵（Ga2O3）和金剛石，被認為有望用于制作低損耗、高電壓功率器件。不過UWBG半導體的基材成本高，以及難以控制pn兩極化傳導是器件開發的主要障礙。
在此背景下，金紅石型二氧化鈦（r-GeO2）作為下一代半導體材料最近吸引了大量的關注。因為r-GeO2可用更廉價的方法合成塊狀晶體，而且理論上已經預測了pn-雙態傳導的可能性。該研究小組表示，該結果將支持對包括r-GeO2在內的金紅石型氧化物半導體的進一步研究，并將其應用于功率器件。
（來源：粉體圈）
據悉，這種r-GeO2材料有望成為實現低損耗和高電壓功率器件的下一代功率半導體材料。研究小組分析了整個成分范圍內rGexSn1-xO2混合晶體薄膜的合成和性能，并利用第一原理計算對r-GexSn1-xO2和r-GexSi1-xO2混合晶體薄膜進行了帶狀排列分析。結果證明可對GeO2-SnO2-SiO2混合晶體系統中帶隙等各種性能的控制，并揭示了控制r-GexSn1-xO2混合晶體中導電性的可能性以及r-GexSi1-xO2混合晶體作為阻擋層的用途。
目前超寬帶隙（UWBG）半導體作為下一代半導體材料，包括氮化鋁（AlGaN）、氧化鎵（Ga2O3）和金剛石，被認為有望用于制作低損耗、高電壓功率器件。不過UWBG半導體的基材成本高，以及難以控制pn兩極化傳導是器件開發的主要障礙。
在此背景下，金紅石型二氧化鈦（r-GeO2）作為下一代半導體材料最近吸引了大量的關注。因為r-GeO2可用更廉價的方法合成塊狀晶體，而且理論上已經預測了pn-雙態傳導的可能性。該研究小組表示，該結果將支持對包括r-GeO2在內的金紅石型氧化物半導體的進一步研究，并將其應用于功率器件。
（來源：粉體圈）
