這家僅有12歲的年輕企業，攻克了領域內多項關鍵核心技術，取得460余項核心專利，獲評國家級專精特新“小巨人”企業、制造業單項冠軍示范企業。國際知名行業咨詢機構YOLE報告顯示，天岳先進半絕緣型碳化硅襯底市場占有率連續三年位居全球前三。

 

碳化硅襯底以其制作的器件具有耐高溫、抗高壓、高頻、大功率、抗輻射等特點，在新能源汽車、軌道交通、光伏發電等領域應用廣闊。在天岳先進展廳內，公司黨委書記竇文濤告訴記者，他們解決了碳化硅材料生長、襯底加工等一系列難題，實現在碳化硅領域的突破。

 

在元素周期表中，碳和硅的組合可以產生200多種晶型，而最適合半導體使用的4H單晶體生長難度最大。在碳化硅晶體生長爐內，溫度高達2300度。“最開始時，開爐就像開盲盒，能不能拿到4H單晶體全憑運氣。開一爐需要很長時間，拿到我們想要的數據需要數次試驗，時間不等人。”竇文濤說，公司在不斷增加設備的過程中，還實現了設備的自主研發，改變了高端半導體設備依賴進口的局面。

 

襯底直徑是衡量晶體制備水平的重要指標之一。“我們最初的產品是2英寸襯底，從2英寸到8英寸，我們用了10年。”竇文濤告訴記者，擴徑并不是簡單從2到3，而是從2.1、2.2開始，而且每一次擴徑意味著從設計到加工全流程的提升。

 

2015年，天岳先進4英寸碳化硅襯底投入生產，隨后的幾年里，公司通過自主創新，研發出半絕緣型碳化硅襯底產品，實現從0到1的突破。

 

今年6月，天岳先進6英寸導電型襯底開始大批量供貨，并與下游客戶簽署了總額為13.93億元的3年供貨合同。竇文濤說，天岳先進將持續加大8英寸導電型襯底產業化力度。

 

“碳化硅半導體材料生長溫度高，影響因素多，技術迭代周期相對較長。”竇文濤介紹，他們將采用AI技術、數字孿生技術，打造出數字化工廠，通過數字工廠和實體工廠聯動，壓縮技術迭代時間，提高研發速度。

 

天岳先進還將依托國家地方聯合工程研究中心、國家博士后科研工作站等多個研發平臺，為研發團隊的技術創新和人才培養提供有力支撐，并持續加大研發投入。“我們是一個典型的創新型企業，創造性地將研發分為基礎研究、工程化和產業化三個層面。”天岳先進董事長宗艷民表示，堅持科技創新是企業不變的追求，今年上半年，公司研發投入占營業收入的比例為33%。來源：大眾日報