半導體產(chǎn)業(yè)網(wǎng)訊：近日，晶盛機電(300316)表示，大尺寸是碳化硅襯底制備技術的重要發(fā)展方向，在8英寸碳化硅晶片尚未實現(xiàn)產(chǎn)業(yè)化的情況下，6英寸碳化硅晶片將成為市場主流產(chǎn)品。在下游市場需求快速增長和技術進步的驅動下，國內(nèi)碳化硅產(chǎn)業(yè)將迎來快速發(fā)展期。
晶盛機電是一家國內(nèi)領先的專注于“先進材料、先進裝備” 的高新技術企業(yè)，以“打造半導體材料裝備領先企業(yè)，發(fā)展綠色智 能高科技制造產(chǎn)業(yè)”為使命，圍繞硅、藍寶石、碳化硅三大主要半 導體材料展開。在硅材料領域，公司專注于光伏和集成電路領域兩 大產(chǎn)業(yè)的系列關鍵設備和核心的輔材耗材，公司在光伏產(chǎn)業(yè)鏈裝備 取得了行業(yè)認可的技術和規(guī)模雙領先的地位。
晶盛機電(300316)透露，目前公司已成功生長出行業(yè)領先的8英寸碳化硅晶體，并建設了6英寸碳化硅晶體生長、切片、拋光環(huán)節(jié)的研發(fā)實驗線，實驗線產(chǎn)品已通過下游部分客戶驗證，公司將持續(xù)加強技術創(chuàng)新和工藝積累，實現(xiàn)大尺寸碳化硅晶體生長和加工技術的自主可控，進一步提升公司在第三代半導體材料端的競爭力。
晶盛機電表示，公司大尺寸藍寶石晶體生長工藝和技術已達到國際領先水平。第五代新型單晶爐即將于2023年重磅上市，為行業(yè)注入全新動力。公司產(chǎn)品在半導體和光伏領域均取得了較高市場份額，目前整體供不應求，公司也在加速相應的產(chǎn)能擴建。
報告期內(nèi)，公司實現(xiàn)營業(yè)收入43.7億元，同比增長91.02%，凈利潤12億，超過100%，其中設備及服務營業(yè)收入35.7億元，同比增長83.78%；材料業(yè)務營業(yè)收入5.5億元，同比增長144.00%。截至2022 年6月30日，公司未完成設備合同總計230.40億元，其中未完成半導體設備合同22億元。
在半導體8-12英寸大硅片設備領域，公司產(chǎn)品在晶體生長、切片、拋光、外延等環(huán)節(jié)已實現(xiàn)8英寸設備的全覆蓋，12英寸長晶、切片、研磨、拋光等設備也已實現(xiàn)批量銷售，產(chǎn)品質量已達到國際先進水平。
藍寶石材料方面，公司大尺寸藍寶石晶體生長工藝和技術已達到國際領先水平，目前已成功生長出全球領先的700Kg級藍寶石晶體，并實現(xiàn)300Kg級及以上藍寶石晶體的規(guī)模化量產(chǎn)，是掌握核心技術及規(guī)模優(yōu)勢的龍頭企業(yè)。
碳化硅材料方面，公司已成功生長出行業(yè)領先的8英寸碳化硅晶體，并建設了6英寸碳化硅晶體生長、切片、拋光環(huán)節(jié)的研發(fā)實驗線，實驗線產(chǎn)品已通過下游部分客戶驗證，公司將持續(xù)加強技術創(chuàng)新和工藝積累，實現(xiàn)大尺寸碳化硅晶體生長和加工技術的自主可控，進一步提升公司在第三代半導體材料端的競爭力。
在輔材耗材領域，公司高品質大尺寸石英坩堝在規(guī)模和技術水平上均達到了行業(yè)領先水平，在半導體和光伏領域取得了較高的市場份額。同時，公司在金剛線領域實現(xiàn)了差異化的技術突破。
關于第五代單晶爐的情況，晶盛機電表示，公司開發(fā)的第五代新型單晶爐除了配置有更強大的硬件引擎之外，其最大的亮點在于改變了傳統(tǒng)的封閉控制系統(tǒng)模式，配置了基于開放架構的用戶可編程的軟件定義工藝平臺，提供可自行構建工藝時序、控制邏輯、核心算法的自主創(chuàng)新條件。將軟件開發(fā)權交給客戶，助力客戶在技術上持續(xù)創(chuàng)新，不斷提升競爭力。第五代單晶爐為光伏產(chǎn)業(yè)開辟了自研設備和通用設備外的平臺設備+專有技術的新局面，為客戶差異化競爭提供新的解決方案。第五代新型單晶爐即將于 2023 年重磅上市，為行業(yè)注入全新動力。
石英坩堝方面，公司于 2017 年開始布局石英坩堝，并在浙江、內(nèi)蒙和寧夏建立生產(chǎn)基地，實現(xiàn)了規(guī)模化生產(chǎn)，可提供半導體和光伏用的高品質大尺寸石英坩堝。公司產(chǎn)品在質量和技術水平領先，尤其是在氣泡密度、產(chǎn)品一致性等參數(shù)指標控制上取得了下游客戶和行業(yè)的認可。公司產(chǎn)品在半導體和光伏領域均取得了較高市場份額，目前整體供不應求，公司也在加速相應的產(chǎn)能擴建。
石英砂供供應方面，公司使用的高純石英砂以海外進口為主，同時也采購部分高質量國產(chǎn)石英砂。公司根據(jù)行業(yè)發(fā)展趨勢，基于供需關系提前做了相關戰(zhàn)略分析和市場預測，調整供應鏈戰(zhàn)略，與供應商協(xié)同進行戰(zhàn)略儲備，強化供應鏈保障。
據(jù)晶盛機電介紹，碳化硅作為第三代半導體材料的典型代表，具有高禁帶寬度、高電導率、高熱導率等優(yōu)越物理特征，在新能源汽車、新能源發(fā)電、軌道交通、航天航空、國防軍工等領域的應用有著不可替代的優(yōu)勢。碳化硅單晶材料主要分為導電型襯底和半絕緣襯底兩種，其中，在導電型襯底上生長碳化硅外延層，可進一步制成功率器件，并應用于新能源汽車、光伏發(fā)電、軌道交通、智能電網(wǎng)、航空航天等領域；在半絕緣型襯底上生長 GaN 外延層，可進一步制成微波射頻器件，應用于 5G 通訊、雷達等領域。
目前，新能源汽車、光伏和充電基礎 設施是碳化硅的主要應用領域，新能源汽車和光伏發(fā)電市場的蓬勃 發(fā)展帶動了碳化硅市場需求的快速增長，根據(jù)Yole數(shù)據(jù)，2021年 全球碳化硅器件市場規(guī)模約10億美元，預計到2027年，碳化硅器件的市場規(guī)模將超過70億美元。市場成長空間巨大。
碳化硅材料因其技術含量高而呈現(xiàn)難度大、良率低、制作成本 高的特點，目前先進技術及主要市場均被國外廠商占據(jù)。國內(nèi)碳化 硅材料領域的研究從20世紀90年代末開始起步，但受技術門檻較 高、良率低、成本高的因素制約，發(fā)展進程緩慢，導致行業(yè)的整體 產(chǎn)能遠不及市場需求，國內(nèi)碳化硅襯底主要依賴進口。目前國際上主要量產(chǎn)襯底尺寸集中在4-6英寸，先進廠商已研發(fā)出8英寸襯底 產(chǎn)品。國內(nèi)目前實現(xiàn)量產(chǎn)主要為4英寸，6英寸產(chǎn)能尚處于起步階段。為提高生產(chǎn)效率并降低成本，大尺寸是碳化硅襯底制備技術的重要發(fā)展方向，在8英寸碳化硅晶片尚未實現(xiàn)產(chǎn)業(yè)化的情況下，6 英寸碳化硅晶片將成為市場主流產(chǎn)品。在下游市場需求快速增長和技術進步的驅動下，國內(nèi)碳化硅產(chǎn)業(yè)將迎來快速發(fā)展期。 ?
