氧化鎵（β-Ga2O3）是超寬禁帶半導體的典型代表，禁帶寬度高達（~4.8 eV），臨界擊穿場強高達（~8 MV/cm），是研制高耐壓、大功率和高效節(jié)能半導體器件的理想半導體材料之一，可實現(xiàn)高擊穿、低功耗和低成本器件芯片三重優(yōu)勢，在電力傳輸轉(zhuǎn)換、電動汽車、高鐵等領(lǐng)域具有重大應(yīng)用前景。與當前產(chǎn)業(yè)界火熱的第三代半導體GaN和SiC相比，Ga2O3功率器件在相同耐壓情況下具有更低的導通電阻，應(yīng)用于電能轉(zhuǎn)換領(lǐng)域?qū)崿F(xiàn)更低的功耗和更高的轉(zhuǎn)換效率。因此，近年來，氧化鎵半導體已成為半導體國際研究熱點和大國技術(shù)競爭制高點。

 

2018年以來，在郝躍院士領(lǐng)導下，西安電子科技大學通過自主氧化鎵生長MOCVD設(shè)備、高質(zhì)量氧化鎵外延材料、高壓器件新結(jié)構(gòu)與新工藝等一系列技術(shù)創(chuàng)新，實現(xiàn)了氧化鎵功率二極管和功率晶體管性能的高速提升，如圖1和2，取得了多項里程碑成果，使我國氧化鎵功率器件研究水平進入國際前列。

 

圖1 西安電子科技大學氧化鎵功率二極管研究進展

圖2 西安電子科技大學氧化鎵功率晶體管研究進展

 

 

 

圖3 西安電子科技大學氧化鎵功率晶體管研究進展

 

由于p型摻雜困難，空穴遷移率低，氧化鎵功率器件中載流子雙極輸運及其電導調(diào)制效應(yīng)始終沒有實現(xiàn)，這是制約氧化鎵功率器件性能進一步提升的關(guān)鍵瓶頸。為此，本文構(gòu)筑了一種新型p-NiO/n-Ga2O3異質(zhì)型PN結(jié)二極管結(jié)構(gòu)。一方面，通過將PN異質(zhì)結(jié)、鎂注入終端、高k/低k泊松終端場板等相復(fù)合，利用高溫熱退火抑制非故意摻雜，使器件峰值電場強度得到極大的削弱；為高耐壓氧化鎵器件發(fā)展開拓了新技術(shù)途徑，實現(xiàn)了8.3 kV的超高耐壓。另一方面，得益于低導帶帶階PN異質(zhì)結(jié)的設(shè)計，超寬禁帶PN異質(zhì)結(jié)功率二極管實現(xiàn)了較低的開啟，正向偏置時，空穴勢壘降低，p區(qū)空穴躍過PN異質(zhì)結(jié)進入n區(qū)，當空穴濃度高于電子濃度后，誘導電子濃度上升，從而顯著降低了器件導通電阻，隨著正向電壓的增加微分電阻持續(xù)降低，在氧化鎵器件中實現(xiàn)了空穴超注入效應(yīng)。研制的氧化鎵功率二極管擁有超高耐壓和極低電阻，功率優(yōu)值P-FOM高達13.2 GW/cm2，是截止目前氧化鎵半導體器件的最高值。

 

 

 

圖4 (a)器件三維結(jié)構(gòu)示意圖，(b)不通器件結(jié)構(gòu)在8.3 kV耐壓時仿真所得電場圖，(c)器件擊穿圖，(d)器件正向?qū)▓D，(e)超寬禁帶半導體功率器件導通電阻-耐壓對比圖。