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芯塔電子推出新一代SiC MOSFET,性能達到國際一流水平

日期:2022-08-26 來源:半導體產(chǎn)業(yè)網(wǎng)閱讀:788
核心提示:半導體產(chǎn)業(yè)網(wǎng)獲悉:近日,國內(nèi)第三代半導體新銳企業(yè)芯塔電子正式宣布推出新一代1200V 40-80mΩ SiC MOSFET,器件各項性能達
半導體產(chǎn)業(yè)網(wǎng)獲悉:近日,國內(nèi)第三代半導體新銳企業(yè)芯塔電子正式宣布推出新一代1200V 40-80mΩ SiC MOSFET,器件各項性能達到國際領先水平。此舉標志著芯塔電子在第三代半導體領域取得了重大進展,進一步豐富了公司的產(chǎn)品系列,彰顯了芯塔電子在國內(nèi)SiC領域的競爭力。目前,該產(chǎn)品已經(jīng)給國內(nèi)軍工、新能源汽車、光伏儲能、充電樁等領域頭部企業(yè)進行了銷售。
 
 
芯塔電子新一代SiC MOSFET晶圓及器件
 
芯塔電子新一代SiC MOSFET基于XM2.0自主技術平臺。技術團隊歷經(jīng)數(shù)月的辛苦研究,針對芯片布局、結(jié)構、工藝進行全方面的設計優(yōu)化,并與國內(nèi)合作單位進行了多輪技術討論、調(diào)試工作,快速完成芯片流片,取得預期的芯片測試結(jié)果。新一代產(chǎn)品的材料、設計、代工等環(huán)節(jié)均在國內(nèi)完成,是真正意義上的純國產(chǎn)化產(chǎn)品,加快了中國SiC MOSFET器件的國產(chǎn)化進程。
 
 
芯塔電子新一代SiC MOSFET選型表
 
技術團隊通過優(yōu)化設計,結(jié)合先進的晶圓減薄技術,進一步提高了器件的功率密度和效率,可以應用在更高頻的環(huán)境,從而大幅降低外圍電路電感、電容、濾波器和變壓器的尺寸,對比前一代產(chǎn)品具有更小的芯片尺寸、更低的米勒電容、更高的抗干擾能力。新一代產(chǎn)品不但獲得了更高的性價比,同時也改善了器件動態(tài)特性,獲得了更低的開關損耗,以便滿足市場對高性能、高可靠性的新能源汽車及高端工業(yè)領域功率半導體器件需求。
 
 
芯塔電子1200V/40mΩ SiC MOSFET性能參數(shù)
 
芯塔電子本次發(fā)布的 SiC MOSFET 器件低優(yōu)值因子QG x RDS(ON) 是產(chǎn)品最大的亮點之一。優(yōu)值因子數(shù)值越低說明器件的綜合損耗越小,效率更高。在相同的測試條件下,芯塔電子 1200V/40mΩ SiC MOSFET的優(yōu)值因子比國外C品牌低25%,在一眾同類品牌中優(yōu)勢盡顯。
 
 
芯塔電子MOS產(chǎn)品優(yōu)值因子對比
 
通過與國外知名友商C公司競品性能參數(shù)對比圖可以看出,芯塔電子新一代1200V/40mΩ SiC MOSFET在導通電阻、柵電荷等方面展示出優(yōu)良特性。在TJ=150℃時,芯塔電子產(chǎn)品的導通電阻的變化率為1.3、C公司為1.7,相對競品更具優(yōu)勢和性價比。
 
 
1200V 40mΩ SiC MOSFET雙脈沖對比測試波形圖
 
 
 
1200V 40mΩ SiC MOSFET雙脈沖對比測試數(shù)據(jù)
 
雙脈沖測試結(jié)果來看,芯塔電子1200V/40mΩ  SiC MOSFET與國外知名友商C公司的最新一代同規(guī)格競品相比開通和關斷更快,開通損耗降低14%,關斷損耗降低18%。從短路電流測試結(jié)果來看,芯塔電子1200V/80mΩ SiC MOSFET在VDD = 600 V , VGS = 20 V , VGD = -5 V , RG = 25 Ω的測試條件下,短路時間≤5μs,短路電流為279A,達到國際一線品牌產(chǎn)品性能。
 
 
1200V 80mΩ SiC MOSFET短路電流測試
 
整體而言,芯塔電子 SiC MOSFET具有業(yè)內(nèi)領先的優(yōu)值因子系數(shù),在應用環(huán)境中,具備損耗低、整體效率高的明顯優(yōu)勢,器件多項性能及各項技術已經(jīng)達到國際一流水平,可以很好的實現(xiàn)國產(chǎn)化替代。
 
 
芯塔電子新一代SiC MOSFET晶圓
 
SiC MOSFET是具有代表性的碳化硅功率器件,其高頻、高效、高溫的特性特別適合對效率或溫度要求嚴苛的應用場景。相比于傳統(tǒng)的硅基IGBT,SiC MOSFET可帶來一系列系統(tǒng)級優(yōu)化,包括提高效率、提升功率密度、降低冷卻要求以及降低系統(tǒng)級成本,可廣泛應用于新能源汽車、光伏儲能、UPS、充電樁、功率電源等領域。下游需求不斷擴大的態(tài)勢下,芯塔電子的SiC器件將以國際先進的性能和高可靠性,滿足諸多目標應用的需求,公司未來的發(fā)展前景也將會愈發(fā)廣闊。
 
 
在行業(yè)競爭風起云涌的今天,賦予芯塔電子全新的戰(zhàn)略定位。在全球化競爭的舞臺上,芯塔人銳意進取,以全球化的視野和前瞻的思路,創(chuàng)新求變,順應潮流。未來,芯塔電子將依托中國廣闊的市場優(yōu)勢、強大的團隊科研實力和行業(yè)資源植根安徽,打造新一代功率半導體民族品牌。不斷加強國內(nèi)產(chǎn)業(yè)鏈的合作和協(xié)同創(chuàng)新,持續(xù)推動第三代半導體產(chǎn)業(yè)技術進步,助力國家“雙碳”戰(zhàn)略。
 
芯塔電子簡介
 
芯塔電子是國內(nèi)領先的第三代半導體功率器件和應用解決方案提供商,堅持以自主創(chuàng)新為核心,致力于先進半導體功率器件的國產(chǎn)化。公司擁有業(yè)界資深技術團隊,創(chuàng)始人倪煒江博士是中國第三代半導體功率器件研發(fā)和量產(chǎn)的先驅(qū)者之一。核心團隊來自浙江大學、中科院、海外知名院校及業(yè)界知名公司,具有深厚的產(chǎn)品研發(fā)能力和產(chǎn)業(yè)化經(jīng)驗。
 
產(chǎn)品應用領域:
 
風電光伏、高端電源、5G通訊、新能源汽車、充電樁、儲能、電能質(zhì)量治理、工業(yè)變頻、白色家電等。
 
聯(lián)系方式:
 
郵箱:sale@topelectronics.cn
 
官網(wǎng):www.topelectronics.cn
 
地址:安徽省蕪湖市服務外包產(chǎn)業(yè)園三號樓18層
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