化合物半導體應在LED或電子器件中廣泛用于節能，其功能與其層狀結構有關。與多層蛋糕不同的是，我們不能夠對晶圓進行切片以查看其內部。這種情況下，您可以求助于無損的薄膜測量技術，例如X射線衍射法（XRD）。對于半導體和單晶晶圓，無論是用于生長研究還是芯片設計，使用高分辨X射線衍射對結構層質量、厚度、應力和合金組分進行測量的過程已成為電子和光電子多層半導體芯片的研發核心所在。

研發基地的測量工具基礎設施不同于制造基地

通常，化合物半導體公司要發展為成熟的公司，需要經歷一個從實驗室研究逐步發展到晶圓廠生產的發展過程。而晶圓廠和大多數研究實驗室的顯著差異在于設備的性能標準不同，這是由于伴隨質量要求的提升而必須達到的標準發生變化所致。另一個與實驗室研發的不同點是：生產企業為了提高利潤，減少人工參與需求和進一步降低污染，將更多地采用自動化生產。

 

如何實現從實驗室到晶圓廠的方法轉移？

 

馬爾文帕納科了解化合物半導體外延片和器件制造商對XRD解決方案的需求。無論客戶處于從開發到生產的哪個階段，馬爾文帕納科均可為其提供全方位支持的系統。MRD XL高分辨衍射儀采用完全模塊化設計，在研發初期，您可以使用儀器核心檢測部分用于研發，然后在投產后增購晶圓片生產專用附件和軟件。該方法可避免因“固定”解決方案耗巨額初期費用。

馬爾文帕納科憑借多年經驗，通過制造具有前瞻性和靈活性的檢測設備，可始終滿足客戶和市場發展需求

 

擁有能跟上產品及制造商發展步伐的測量設備可提高企業利潤！

 

這不但是對于在一臺機器上生產多個不同產品線產品的小型晶圓廠，且對于測量復雜性日益增大的大型晶圓廠同樣適用。MRD XL可靈活用于從研究到中試規模生產，最后再到大規模生產，并在不斷進化的過程中，逐步提高MRD XL的測量能力，使企業考慮成本支出、預算和時限時，有了更大的靈活性。
 

手動將晶圓片放入測量設備需要大量人力，且可重復性低于裝有預校準裝置的機器人
 

自動化顯然是實現所需潔凈室環境的重要因素。隨著機器人能力不斷進步，也許會出現無需人為干預的“熄燈”工廠，屆時相關SEMI標準的重要性肯定會有所提升。我們需要遵循更多的要求，例如SEMI E5（SECS-Ⅱ）和E30（GEM）標準，其為設備和主機或通信公司之間進行通信所適用的關鍵協議。

MRD XL是由一個包含測量室的基本模塊和一個具有自動化功能的前端模塊組成，從而將實驗室測量功能（例如在晶圓片表面進行的In-plane測量）整合到規模生產方法中去

 

在快速發展的半導體行業中，決策必須著眼于未來。對于選擇與馬爾文帕納科合作的芯片制造商和開發人員而言，這不是一個值得擔心的問題，因為它永遠不必擔憂投資從實驗室到晶圓廠的設備很快會被新型號所取代。馬爾文帕納科的解決方案以數十年的經驗和豐富的專業知識為基礎，可輕松運行超過十年。

 

化合物半導體已取得了一定的發展，例如出現了“熄燈”工廠、向更大晶圓尺寸的轉型以及化合物半導體中超晶格復雜性的提升，它還將有更加難以預料且與眾不同的發展。馬爾文帕納科會不斷進行軟硬件改進和升級，以確保我們的客戶及解決方案可隨時應對和戰勝未來的挑戰。

X'Pert³ MRD/ XL 高分辨X射線衍射儀

X’Pert³ MRD/XL 系列高分辨X射線衍射儀專為薄膜測量而設計，出眾的性能與靈活的配置，使其在全球用于最龐大的客戶群，其主要功能包括：

• 薄膜材料：單晶外延（GaN、GaAs 等）；多晶薄膜（ZnO 等）；非晶薄膜 

• 測量方式：對稱衍射；非對稱衍射；反射率；搖擺曲線；雙軸掃描；倒易空間 Mapping 和正空間 Mapping

• 應用要求：厚度和超晶格周期；應力和馳豫；失配和成分；曲率半徑；襯底材料取向；組分分析

• 樣品尺寸：最大可達Ф300mm，Mapping范圍200x200mm 

• 自動裝載系統可選
  
  激光粒度儀及納米粒度儀

  
  
  符合SEMI標準的晶圓廠必須具有始終如一、高質量且可靠的化學機械拋光（CMP）工藝，無論使用于基板拋光還是加工過程，晶圓表面也需達到適當的平整度，以確保所有沉積層嚴格按照要求互相疊放。馬爾文帕納科Mastersizer 3000  超高速智能激光粒度儀和納米粒度儀Zetasizer可幫助您嚴格控制漿液的質量標準。
  
  關于馬爾文帕納科
  馬爾文帕納科的使命是通過對材料進行化學、物性和結構分析，打造出更勝一籌的客戶導向型創新解決方案和服務，從而提高效率和產生可觀的經濟效益。通過利用包括人工智能和預測分析在內的最近技術發展，我們能夠逐步實現這一目標。這將讓各個行業和組織的科學家和工程師可解決一系列難題，如最大程度地提高生產率、開發更高質量的產品，并縮短產品上市時間。