報告顯示，公司主要從事高端半導體設備及泛半導體設備的研發、生產和銷售。公司瞄準世界科技前沿，基于在半導體設備制造產業多年積累的專業技術，涉足半導體集成電路制造、先進封裝、LED外延片生產、功率器件、MEMS制造以及其他微觀工藝的高端設備領域。公司的等離子體刻蝕設備已應用在國際一線客戶從65納米到14納米、7納米和5納米及更先進的集成電路加工制造生產線及先進封裝生產線。公司MOCVD設備在行業領先客戶的生產線上大規模投入量產，公司已成為世界排名前列的氮化鎵基 LED設備制造商。公司主要為集成電路、LED 外延片、功率器件、MEMS 等半導體產品的制造企業提供刻蝕設備、MOCVD 設備及其他設備2022年6月底，公司設備累計付運臺數達2654個反應臺，在客戶73條生產線全面量產。

 

在邏輯集成電路制造環節，公司開發的 12 英寸高端刻蝕設備已運用在國內外知名客戶 65 納米到 5 納米及更先進的芯片生產線上；同時，公司根據先進集成電路廠商的需求，已開發出 5 納米及更先進刻蝕設備用于若干關鍵步驟的加工，并已獲得行業領先客戶的批量訂單。公司目前正在配合客戶需求，開發新一代刻蝕設備和包括大馬士革在內的刻蝕工藝，能夠涵蓋 5 納米以下更多刻蝕需求和更多不同關鍵應用的設備。

 

在 3D NAND 芯片制造環節，公司的電容性等離子體刻蝕設備可應用于 64 層、128 層及更高層數 NAND 的量產，同時公司根據存儲器廠商的需求正在開發新一代能夠涵蓋 200 層以上極高深寬比的關鍵刻蝕應用以及其他關鍵刻蝕應用的刻蝕設備和工藝。此外，公司的電感性等離子刻蝕設備已經在多個邏輯芯片和存儲芯片廠商的生產線上量產，根據客戶的技術發展需求，正在進行下一代產品的技術研發，以滿足 5 納米以下的邏輯芯片、1X 納米的 DRAM 芯片和 200 層以上的 3D NAND 芯片等產品的刻蝕需求，并進行高產出的電感性等離子刻蝕設備的研發。
 

公司的 MOCVD 設備 Prismo D-Blue®、Prismo A7®能分別實現單腔 14 片 4 英寸和單腔 34 片4 英寸外延片加工能力。公司的 Prismo A7®設備已在全球氮化鎵基 LED MOCVD 市場中占據領先地位。公司研發了用于制造深紫外光 LED 的高溫 MOCVD 設備 Prismo HiT3®，已在行業領先客戶端用于深紫外 LED 的生產驗證并獲得重復訂單；用于 Mini LED 生產的 MOCVD 設備Prismo UniMax®，實現了單腔 41 片 4 英寸外延芯片加工能力，發光波長的均勻性達到 1s 0.8

納米。該設備已在領先客戶端開始進行規模生產，并取得 180 臺的客戶訂單；制造硅基氮化鎵功率器件用 MOCVD 設備已在客戶芯片生產線上驗證；此外，制造 Micro LED 應用的新型MOCVD 設備以及用于碳化硅功率器件應用的外延設備等也正在開發中。
 

公司所開發的 LPCVD 設備具有創新的設計，獨立的知識產權和優秀的階梯覆蓋率和填充能力，能夠滿足先進邏輯器件接觸孔填充應用，以及 64 層、128 層和 200 層以上 3D NAND 中的多個關鍵應用，目前已通過關鍵客戶的工藝驗證，并積極推進設備在客戶產線進行量產驗證。公司還在持續研發新的填充工藝方案，以滿足更高深寬比接觸孔及溝道電極的需求。公司的原子層沉積設備的研發也在積極推進中，所開發的設備能夠滿足先進存儲器件和邏輯器件金屬阻擋層的

應用，以及先進邏輯器件中金屬柵極的應用。
 

面向 28 納米及以下的邏輯器件、存儲器件和功率器件等的廣泛應用，公司正在開發擁有自主知識產權的外延設備（EPI），以滿足客戶先進制程中鍺硅外延生長工藝的電性和可靠性需求。產品有極其創新的外延反應器設計，能夠實現最佳的氣流場均勻性和高溫加熱均勻性，也有獨特的預清潔反應器設計，能夠達到極佳的表面清潔效果。目前該設備研發進展順利，已進入樣機的制造和調試階段。