近日,北京國聯萬眾半導體科技有限公司(以下簡稱“國聯萬眾”)公示碳化硅高壓功率模塊關鍵技術研發項目環評報告表。


國聯萬眾成立于2015年3月,注冊資金12978萬元,由中國電子科技集團公司第十三研究所控股,中國電子科技集團公司、北京市投資公司、順義區投資公司、骨干團隊合伙制平臺等股東參股。公司主營業務為第三代半導體氮化鎵/碳化硅芯片、器件,其中氮化鎵射頻功放芯片已成為埃賦隆(Ampleon)供應商;公司研發生產的碳化硅電力電子二極管產品已投入市場;MOSFET已開發出產品,正在為格力、比亞迪等公司提供產品試用。
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根據環評報告表,國聯萬眾碳化硅高壓功率模塊關鍵技術研發項目,為第三代半導體材料及應用聯合創新基地擴建項目,總投資額31302.34萬元,用地3000平方米,主要研發 3300VMOSFET 芯片及3300V 高壓功率模塊封裝技術,預計將于2023年1月開工,建設周期為五年。



目前,該公司第三代半導體材料及應用聯合創新基地項目(一期)為在建項目,主要進行第三代半導體材料研發及制造生產、第三代半導體材料及器件的生產。
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