半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)網(wǎng)獲悉 8月8日，成都高新西區(qū)高投芯未高端功率半導(dǎo)體器件及模組研發(fā)生產(chǎn)項(xiàng)目建設(shè)正式啟動(dòng)。項(xiàng)目總投資約10億元，建成投產(chǎn)后將為森未科技在內(nèi)的功率半導(dǎo)體設(shè)計(jì)企業(yè)提供IGBT特色授權(quán)委托加工服務(wù)，包括IGBT芯片、模組及方案組建產(chǎn)品等，實(shí)現(xiàn)年?duì)I收9億元。
據(jù)成都日?qǐng)?bào)報(bào)道，該項(xiàng)目占地30畝，計(jì)劃分兩期建設(shè)。其中，一期將建設(shè)一條8英寸超薄IGBT（絕緣柵雙極型晶體管）特色背面晶圓線，一條高端功率半導(dǎo)體集成封裝生產(chǎn)線，計(jì)劃今年年底完成廠房封頂。一期項(xiàng)目建成后，將形成年產(chǎn)120萬(wàn)只功率半導(dǎo)體模塊制造能力，10萬(wàn)套集成組件生產(chǎn)能力。
據(jù)了解，按規(guī)劃，項(xiàng)目一期計(jì)劃2022年底完成廠房封頂，2023年6月完成包括潔凈廠房在內(nèi)的所有裝修工作。2023年第三季度封裝產(chǎn)線進(jìn)入聯(lián)調(diào)階段，2023年第四季度投入試生產(chǎn)。2024年第一季度，IGBT背面超薄晶圓特色工藝平臺(tái)也將投入使用。二期擴(kuò)產(chǎn)建設(shè)預(yù)計(jì)將于2025年啟動(dòng)。
