半導體產業網獲悉:7月29日,士蘭微披露公告稱,公司與廈門半導體投資集團有限公司于2017年12月18日在中國廈門共同簽署了《關于化合物半導體項目之投資合作協議》,雙方合作在廈門市海滄區建設一條4/6吋兼容的化合物半導體生產線,總投資50億元,其中一期總投資20億元,二期總投資30億元。

根據《投資合作協議》,雙方在廈門市海滄區共同投資設立了廈門士蘭明鎵化合物半導體有限公司(簡稱“士蘭明鎵”)。
截至2021年底,士蘭明鎵已完成第一期20億元的投資,形成了每月7.2萬片4英寸GaN和GaAS高端LED芯片的產能,其產品在小間距顯示、mini LED顯示屏、紅外光耦、安防監控、車用LED等領域得到廣泛應用。
士蘭明鎵啟動化合物半導體第二期建設,即實施“SiC 功率器件生產線建設項目”。士蘭明鎵擬建設一條6吋SiC功率器件芯片生產線,項目總投資為15億元,建設周期3年,最終形成年產14.4萬片6吋SiC功率器件芯片的產能(主要產品為SiC MOSFET、SiC SBD)。本項目已于2022年7月29日取得了《廈門市企業投資項目備案證明》(編號:廈海工信投備(2022)247 號)。
士蘭微表示,本項目符合國家產業政策,屬于重點鼓勵建設的項目。士蘭明鎵作為士蘭微化合物半導體產品的主要供應商之一,本項目是實現士蘭微在電動汽車、新能源市場整體戰略布局的規劃之一,有利于加快實現士蘭微SiC功率器件的產業化,滿足日益增長的新能源領域的市場需求,推動士蘭微主營業務持續成長。