其中，碳基半導體被認為是后摩爾時代的顛覆性技術之一，也是我國唯一在半導體領域突破點！一路向寬，一路向窄，究竟哪種半導體材料能夠突破重圍，誰將掌握未來芯片市場？與此同時，碳基半導體如何從走出實驗室的“玻璃房”，將自身的潛力真正發揮出來，仍然是業內關注的焦點與面臨的難點。其應用探索至關重要！

 

基于此，2022年8月3-5日，DT新材料以“探索碳基半導體產業化應用”為主題，將在浙江·寧波舉辦第二屆碳基半導體材料與器件產業發展論壇（CarbonSemi 2022）促進我國科研界與產業界之間的深度交流合作為目的，邀請行業知名專家、青年學者、國內重點企業開展產學研會議和交流活動，推動我國半導體技術與產業快速發展。

 

 

碳納米材料擁有抗輻照、高工藝兼容性、柔性輕質、生物安全、豐富的量子效應等特有屬性，低成本、低功耗的碳基器件為未來智能物聯網絡發展有望提供有力的技術支撐，受到了國際學術界和應用研發機構的廣泛關注。但是面向碳納米管集成電路芯片加工，大面積高取向、高均一性、高密度的碳管表面排列急需亟待解決，取向密度和均勻度控制也需要進一步優化。

 

 報告題目：單一手性碳納米管的產業化制備

 

【嘉賓介紹】劉華平，中科院物理所研究員，博士生導師，曾入選國家海外高層次人才青年項目。他是國際上最早利用凝膠色譜分離碳納米管手性結構，并取得國際領先成果的人員之一。他發展了多種分子調控技術，實現了近20種單一手性碳納米管毫克量級分離。作為第一作者或通訊作者在Science Advance, Nature Communications, Nano Letters，ACS Nano，Adv. Funct. Mater.等國際學術期刊發表論文70余篇，研究成果曾被Nanowerk news, Research blogging 等門戶網站報道，曾獲日本飯島獎、中國第五屆納米之星創新創業大賽團隊組二等獎，獲授專利10余項。

 

 報告題目：新型碳基二維半導體材料C3N在微電子應用領域研究現狀

 

【報告摘要】作為首個被成功制備的類石墨烯結構碳基二維半導體材料，C3N以其高穩定性、高遷移率、可調帶隙、自旋電子磁性等系列性質受到了廣泛的關注。本報告旨在分享C3N這一新型碳基二維半導體材料當前的一些研究進展，并提出該材料進一步發展中面臨的關鍵問題。

 

 報告題目：電場催化合成制備高純半導體碳納米管水平陣列

 

【報告摘要】低維納米材料由于極小的尺度和低維的特性，具有與宏觀材料不同的物性，從而具有廣闊的應用前景。眾所周知，材料的電子學特性是影響其各種物性的最重要的一個方面，低維納米材料的電子學特性及其在各種電子學器件中的應用一直都是科研和產業所關注的一個重要領域。與電子在材料內部運動時會受到尺度和維度的影響一樣，電子在材料外部以及從材料到空間的過程也都會受到材料的尺度和維度的影響。我這里主要向大家介紹我們在這一方面的一些研究成果。內容包括從低維納米材料的電子的逸出，電子與低維納米材料的相互作用和應用，以及利用低維納米材料獨特的電子態在納米材料生長方面的一些結果，揭示了低維納米材料的電子學特性在外場下的響應，納米材料超小尺度帶來的電子衍射的新特性，電場催化制備超高純度半導體碳納米管的新方法。

 

 報告題目：碳基半導體材料檢測與關鍵設備

 

【嘉賓介紹】林彩霞，泰克高級應用工程師，主要負責泰克華東區域的技術支持工作，為泰克半導體領域測試專家。多年以來一直在從事測試測量相關工作，積累了豐富的測試經驗。目前主攻方向包括低電平信號測試、射頻/射頻元器件測試以及寬帶信號產生與分析、信號完整性測試、半導體自動化測試系統等。

 

 

但是，碳基器件并不是取代硅基器件。畢竟硅基器件是時代產物，已經形成非常強大的產業基礎，深入眾多應用場景與器件，它的技術研發、產業鏈條、配套工藝設備等商業基礎都十分完善。所以一項新技術想取代這么成熟的產業，瓜分原有市場，這是很難的！碳基材料最突出的優勢就是可以低成本制作柔性器件，比如柔性傳感器、人工視覺、智能織物等等。碳基器件，可以作為一個分支，在未來的功能器件應用領域會起到補充作用。

 

報告題目：硅時代的二維集成電路器件

 

【報告摘要】隨著物聯網（IoT）和邊緣計算需求的快速增長，晶體管持續微縮遇到了材料性能下降的問題。此外，復雜場景下的特殊電子應用對材料異質結構集成提出了挑戰。二維半導體即使在單原子層仍具有優異的電學和光電性能，這使得它們在納米尺度上比體材料具有性能優勢。豐富的電子能帶結構和無晶格失配的范德華異質結構可以進一步開發新的器件結構和機制，以滿足各種特定電子系統的需求。在本報告中，我們介紹了2D半導體在開發從器件到系統的特定電子應用方面的進展、機遇和挑戰。針對晶體管通道用超薄高性能納米片，考慮了通道材料優化、接觸特性、2D半導體的介電集成。然后研究了2D半導體的特性以實現特定的電子功能，包括計算、存儲和感知。最后，針對傳統材料難以解決的問題，討論了功能化陣列的具體應用，如內存和計算的融合以及一體化系統。總結了2D半導體在促進更集成系統方面面臨的挑戰及其前景。

 

報告題目：基于碳納米管網絡的儲層計算

 

【嘉賓介紹】華中科技大學光學與電子信息學院、武漢光電國家研究中心雙聘教授，博士生導師。2004年畢業于香港中文大學自動化與計算機輔助工程系微納系統實驗室，獲哲學博士學位，2004-2005年繼續從事博士后研究工作。2014-2015在加州大學洛杉磯分校微系統實驗室訪問交流。長期從事微納電子器件與集成電路系統方面的科研工作，發表和與人合作發表論文逾80篇，已授權國家發明專利和集成電路布圖設計專有權30余項，申請國際專利（PCT）2項（授權1項）。主要研究方向為碳基器件與系統、FPGA芯片應用與嵌入式系統，近年來的主要研究興趣是碳基新器件、集成電路芯片和AI系統。

 

報告題目：碳基信息存儲與感知記憶

 

【嘉賓介紹】劉舉慶，南京工業大學教授，博士生導師。主要從事信息存儲、信息顯示與柔性電子等領域研究。已發表論文80余篇，申請或授權發明專利20余項,在國際和各類雙邊會議上作邀請報告30余次。目前主持包括國家重點研發計劃課題、國家自然科學基金優青/面上等多項。獲教育部高等學校科學研究成果一等獎、江蘇省高等學校科學技術研究成果一等獎。

 

南京電子器件研究所研究員 

報告題目：碳納米管射頻器件研究進展

 

【報告摘要】碳納米管作為獨特的一維材料體系，展現出高遷移率、高導熱、高強度和高彈性等優異性能，可超越現有技術性能和形態的射頻器件。碳納米管擁有極高的遷移率，基于其陣列材料的器件頻率特性可達太赫茲頻段；碳納米管射頻擁有低本征電容特性，展現極佳的線形傳輸特性，實現高線形射頻電路，滿足高速寬帶移動通信的信噪比需求；同時，還可在聚合物上構建柔性射頻器件和電路，解決全柔性電子的數據無線收發技術空白。我們將報告當前碳納米管射頻器件的研究進展，以及未來技術發展趨勢。

 

報告題目：印刷碳基薄膜晶體管技術與應用

 

【報告摘要】印刷薄膜晶體管器件作為印刷電子領域中最重要的組成單元之一，已成為科學界和產業界研究的重點。半導體碳納米管具有優越的電性能以及物理、化學性質穩定、容易墨水化以及后處理溫度低等特點，使其成為構建柔性印刷薄膜晶體管最理想的半導體材料之一。然而印刷碳納米管薄膜晶體管電子器件存在閾值調控困難、功耗偏高、n性器件穩定性差等難題。針對這些問題，我們研究小組一直在從事低電壓增強型印刷碳納米管CMOS晶體管和低功耗CMOS電路構建以及在新興領域中的應用探索。本次報告將重點介紹我們研究小組在這方面的最新研究進展，重點講述在可穿戴電子、物聯網、類神經元器件和太空探測等新興領域中的應用探索等方面的最新成果。

 

清華大學集成電路學院副教授 

報告題目：推動摩爾定律的新型石墨烯器件

 

【報告摘要】石墨烯具有多種優異的特性，非常適合用來實現新一代的微電子器件。報告將重點展示基于石墨烯的先進器件在延續和超越摩爾定律發展中的重要作用。一方面，將介紹團隊研制的目前世界上柵長最小的晶體管。利用石墨烯薄的單原子層厚度和優異的導電性能作為柵極，通過其側向電場來控制垂直的MoS2溝道的開關，從而實現亞1 nm的物理柵長，突破了現有晶體管柵結構及尺寸限制。另一方面，將介紹團隊基于石墨烯信息傳感能力及熱聲特性在新型智能電子器件、芯片與集成系統方面的研究進展。包括首個石墨烯聲源器件、石墨烯人工喉、石墨烯電子皮膚，以及面向新一代人機交互的集成眼動交互和觸覺感知的協同界面等，展示了石墨烯器件在智能信息交互方面的潛力。

 

 

光電子技術作為光子技術和電子技術結合而成的熱點技術，在科學技術的發展中起著巨大的推動作用，是未來信息產業的核心技術。“光學”相關技術也將推動以5G、物聯網、大數據為特征的人工智能時代加速到來。尤其是碳基新材料推動光電子技術的突破！

 

報告題目：單頻金剛石拉曼激光器研究進展

 

【報告摘要】CVD金剛石是一種優異的激光增益介質，具有超高的熱導率、高拉曼增益系數和超寬的通光范圍，在高功率、高亮度激光領域有重要前景。高功率單頻激光器在冷原子物理、精密測量、激光導引星等領域具有重要應用價值。基于拉曼增益的無空間燒孔、類均勻加寬線型特性，金剛石拉曼激光器是一種極具潛力的高功率單頻激光光源。本報告總結單頻金剛石拉曼激光器的最新研究進展，詳細論述金剛石單頻拉曼激光各項特性，并簡要闡述單頻金剛石拉曼激光的預期發展。

 

報告題目：基于先進碳材料的光電子和能源器件

 

【嘉賓介紹】主要從事光電功能材料、低維半導體材料、光電器件和傳感器等方面的研究，特別是微納、柔性、可印刷的新型半導體材料，如二維材料（石墨烯、過渡金屬硫族化合物TMDCs等），納米碳材料，量子點和有機半導體等新材料。以新型半導體材料和光電功能材料構筑場效應晶體管、發光二極管、存儲器、光探測器、傳感器等器件，采用電子束光刻（EBL）、聚焦離子束刻蝕（FIB）等微納加工方法，制備納米器件、微納集成電路和光學超材料，研究材料物理性質、器件物理、光電子器件及其集成和應用。

 

報告題目：新型石墨烯納米光電子器件物理研究

 

【報告摘要】石墨烯獨特的線性狄拉克能帶結構使其成為物理，材料和信息領域的研究熱點，同時石墨烯極高的載流子遷移率和優異的物理化學性能也為后摩爾時代半導體光電器件的發展提供了新的思路。（1）石墨烯是研究固體中的電子光學的理想平臺，通過輸運測量我們在彈道輸運石墨烯器件中觀察到了電子的Fabry–Pérot干涉現象。（2）我們通過超導量子干涉實驗首次證實并測量了雙層石墨烯中的導電邊緣態，并基于這一結果制備了具有高開關比的場效應晶體管。（3）石墨烯可以承載高達109 A/cm2的大電流密度，并且在溫度超過3000 K時依然能夠保持穩定，是高性能納米光源和電子源的理想選擇。

 

報告題目：石墨烯基光電探測器

 

【報告摘要】本報告主要介紹石墨烯/硅異質結的響應機理和器件性能，設計并制備石墨烯/過飽和摻雜硅、石墨烯/微納圖案化硅等異質結構，將探測器響應波段拓展到短波紅外波段，研究柵壓對探測器響應度、噪聲等參量的影響規律，并引入中間介質層改進載流子輸運，來提高器件性能，證明石墨烯/硅異質結器件具有寬波段響應、高增益和與CMOS工藝兼容等優點。

 

報告題目：金剛石基金屬氧化物pn異質結器件光電性能的研究

 

【報告摘要】總結關于金剛石基金屬氧化物相關pn異質結器件光電特性研究的一般發現。分別介紹兩種納米金屬氧化物類型（ZnO 和WO3）在p型硼摻雜金剛石基異質結中的外延生長、光致發光性能。進一步探討高溫下異質結的電學整流特性、電傳輸行為和負微分電阻行為，并對基于納米金屬氧化物/p型金剛石異質結的光電應用以及電輸運行為進行展望。高性能金剛石基pn異質結光電性能的研究將有助于進一步發展用于高溫和高功率應用的光電納米器件。

 

報告題目：單步微雕的范德華納米光機電耦合器

 

【報告摘要】納米光機電耦合器是能夠在光、電、力的經典或量子自由度之間發生耦合，并互相操控或檢測的納米諧振子系統，具有廣泛的應用前景。層狀二維原子晶體具有豐富的物理屬性和新奇量子自由度，自身又是力學性能良好的薄膜，因此近年來備受關注。然而，懸浮單原子層的二維材料的高質量加工仍然面臨諸多挑戰。在此報告中，我們會介紹將范德華異質結單步微雕成為懸浮納米結構新方法。該方法可復合多種功能層二維原子晶體，并利用支撐層增強懸浮異質結力學結構。加工完成的器件具有優異抗輻射性能、超快電致熱輻射響應、且可以天然作為機械諧振子工作，展示了單步微雕法制備的范德華異質結納米光機電耦合器中自旋、光、電、力多場耦合的研究前景。

 

 

半導體材料作為重要的基礎材料廣泛應用于晶體管、集成電路、電力電子器件、光電子器件等領域，已經發展成為衡量國家科技與國防實力的重要標志。同時，半導體器件由同質結、異質結轉向基于量子阱、量子線、量子點器件的設計與制造，這一轉向改變了半導體材料的發展方向，在傳統第1、第2代半導體材料發展的同時，加速發展寬禁帶第3代半導體材料的趨勢。目前，以碳化硅（SiC）、氮化鎵（GaN）為代表的第3代半導體材料迅猛發展，是支撐新一代移動通信、新能源汽車、高鐵、能源互聯網等重點領域發展的核心材料。而以氮化鋁（AlN）、金剛石、氧化鎵（Ga2O3）等為代表的超寬禁帶半導體材料正憑借著更優異的高頻功率特性、高溫性能穩定和低能量損耗等優勢引起了學術界的廣泛關注，將逐漸發展成為支撐信息、能源、交通、先進制造、國防等領域發展的重點新材料。

 

中國科學院寧波材料所研究員 

報告題目：碳基芯片散熱材料界面調控

 

【嘉賓介紹】江南，博士、國家海外高層次特聘專家。1997年博士畢業于日本大阪大學，現任中科院寧波材料技術與工程研究所研究員。目前主要從事功能碳素材料，包括CVD金剛石、石墨烯、石墨高導熱復合材料及其相關器件研發和產業化應用工作。

 

（本報告由中國科學院寧波材料所特聘青年研究員代文代講）

 

報告題目：寬禁帶半導體材料與器件：歷史、現狀及發展趨勢

 

【報告摘要】寬禁帶半導體即第三代半導體（SiC 和GaN）是支撐新能源汽車、高速列車、能源互聯網、新一代移動通信等產業自主創新發展和轉型升級的重點核心材料和電子元器件，契合節能減排、智能制造、信息安全等國家重大戰略需求，被列為國家科技創新2030重大項目“重點新材料研發及應用”重要方向之一。碳化硅(SiC)作為新興的第三代半導體材料，具有更寬的禁帶寬度，更高的擊穿場強，更高的熱導率等優異性能，是第三代半導體的主要方向，成為繼以Si、Ge等材料為主的第一代半導體及以GaAs、InP等化合物材料為主的第二代半導體后的又一重要突破，已在光電子、功率、微波等方向得到廣泛應用。本報告將回顧寬禁帶半導體材料特性、應用優勢及技術發展歷程，著重講述SiC半導體在材料生長、器件研發及其在現代電力電子應用上的顯著優勢。針對SiC MOSFET技術，介紹目前國內外的發展現狀、產業化應用及未來發展趨勢。

 

報告題目：氮化鎵射頻功率器件的研究與應用

 

【報告摘要】氮化鎵是最重要的寬禁帶半導體之一，已經用在短波長發光二極管和激光器上，也將是下一代高頻、高功率和高溫電子器件的關鍵材料。基于微波的無線電力傳輸技術，是一個正在興起的技術。本報告針對低功率微波整流應用，設計和制造了準垂直結構的GaN肖特基二極管。采用重摻雜外延層和圖形化的肖特基陽極，降低了GaN SBD的串聯電阻。對于反向擊穿電壓50V的器件，開啟電阻為1.45Ω，結電容為0.87 pF。設計并測試了微波整流電路。源于優秀的二極管器件性能和微波電路設計，在工作頻率905 MHz和輸入功率23 dBm的條件下，轉換效率達到92%。在2.45 GHz和輸入功率25 dBm的條件下，轉換效率達到91%。在905 MHz工作頻率下，實現了傳輸距離3米，發射和接收功率分別為39 dBm和12.5 dBm。

 

報告題目：寬禁帶半導體器件及系統研究與產業前景

 

【報告摘要】以GaN和SiC等為代表的第三代半導體材料及器件具有優良的高溫高壓及高頻特性，被認為是下一代電力電子和微波射頻技術的核心。日本、美國及歐洲等國家均將第三代半導體納入國家發展戰略規劃，中國第三代半導體產業亦形成了以長三角、珠三角等為代表的產業集群。近年來，報告人在GaN器件及其系統方向取得了一系列研究成果：1）先進GaN器件工藝研發：如源漏無金歐姆接觸等。2) GaN功率器件及電源系統開發：采用PFC技術，開發300-4000W的高效工業電源。3) GaN射頻器件及5G小基站射頻前端：可應用于微小基站的高回退效率Doherty功率放大器。4）GaN氣體傳感器：可在高溫環境中實現對CO, H2S, H2等氣體及顆粒物的高靈敏度探測。

 

報告題目：金剛石半導體的新進展

 

【嘉賓介紹】王宏興，西安交通大學教授，電子物理與器件教育部重點實驗室主任。中國真空學會常務理事，陜西真空學會常務副理事長。2001年在日本德島大學獲得博士學位，其后作為高級研究員、執行董事、研發經理等職在日本Seki technotron 等公司工作。于2013年全職回國加入西安交通大學。主要研究領域為：半導體生長用MOCVD，MPCVD；III-V氮化物材料及發光器件；大尺寸單晶金剛石及電子器件；金剛石基GaN復合器件；量子光源及傳感器。多項成果被采納用于規模化生產。擁有100余項專利，發表文章120余篇。

 

報告題目：打造寧波SiC谷，機遇與挑戰

 

【報告摘要】以碳化硅（SiC）為代表的第三代半導體是支撐新一代新能源汽車、高速軌道列車、特高壓輸變電等產業自主創新發展和轉型升級的核心材料。和Si材料相比，SiC半導體特別適于制造高溫、高頻、抗輻射及高功率的器件,是攸關國家安全、產業升級、助力實現碳達峰、碳中和的國家戰略的新興產業。

 

寧波作為中國產業升級的重要動力引擎，依托當地優秀的產業生態，在產業化過程中探索解決了SiC功率器件應用場景中可靠性和經濟性的問題，使SiC器件在新能源領域的廣泛應用成為可能，借助托碳化硅優秀的材料特性加速崛起，助力十四五規劃中雙碳目標如期實現。

 

報告題目：金剛石半導體材料器件研究新進展

 

【嘉賓介紹】張金風，西安電子科技大學微電子學院教授。2000年和2006年分別獲得西安電子科技大學電子科學與技術學士學位和微電子學與固體電子學博士學位，隨后留校任教。主要研究氮化鎵(GaN) 和金剛石(C) 半導體材料和器件。出版國內第一部氮化物半導體領域專著《氮化物寬禁帶半導體材料和電子器件》（科學出版社, 2013）及其英文版（CRC Press, 2017）, 發表學術論文70余篇，授權國家發明專利10余項，獲得教育部高等學校科學研究優秀成果獎技術發明獎一等獎和陜西省科學技術獎一等獎。研究成果包括IEEE Electron Device Letters對中國金剛石場效應管研究的首次和第二次報道（均為2017年）和Applied Physics Letters首次對中國金剛石核探測器的研究報道（2020）。

 

（本報告由西安電子科技大學副教授任澤陽代講）

 

報告題目：金剛石量子器件的制備與調控

 

【嘉賓介紹】王亞，中國科學技術大學物理學院近代物理系教授，博士生導師。于2012年獲得中國科學技術大學理學博士學位。之后在德國斯圖加特大學做博士后研究，2016年回到中科大工作。主要從事固態量子體系的制備、量子控制以及量子計算網絡等方面的研究。

 

武漢大學特聘研究員 

報告題目：熱反射檢測技術在金剛石集成器件領域的應用進展

 

【報告摘要】金剛石常和寬禁帶器件集成，提高器件散熱能力實現高功率。然而，金剛石集成會產生較大的界面熱阻，成為器件散熱的主要瓶頸。此外，金剛石薄膜和塊體材料的熱導率也受材料內部缺陷的影響。金剛石集成材料的界面熱阻和熱導率測試在半導體領域是一項巨大挑戰。近年來，一些國內外研發團隊開發了一種稱為熱反射(Thermoreflectance)的測試方法，為金剛石界面熱阻和熱導率優化提供了有效解決方案。本報告將綜述國內外團隊以及本人在熱反射檢測領域的研發成果，介紹該方法的原理、發展歷程以及針對不同類型的金剛石材料應用。同時，結合本人近年的研究，討論如何實現熱反射方法的無損測試，滿足寬禁帶工業產線上的測試需求，為器件研發和生產提高效率并降低成本。

 

報告題目：金剛石射頻器件研究進展

 

【報告摘要】金剛石具有優異的性質，例如高熱導率，高臨界擊穿電場，高載流子遷移率，高飽和漂移速度以及寬禁帶寬度，是制作高頻功率器件的理想候選材料。目前金剛石微波功率器件主要基于氫終端金剛石。本報告主要介紹國內外在金剛石射頻器件領域的最新研究進展。同時，介紹我們在金剛石半導體材料外延和射頻器件研究的一些最新進展。我們在（001）取向單晶金剛石襯底上外延生長了高質量金剛石外延層，外延層具有低的雜質濃度和高的晶體質量，基于此制備了氫終端金剛石場效應晶體管器件，100 nm Al2O3介質的金剛石晶體管器件最大飽和電流密度達到500 mA/mm，最大跨導20.1 mS/mm。由于高質量的金剛石單晶襯底和柵介質，器件工作漏壓達到-58 V，2GHz下輸出功率密度達到4.2 W/mm，4GHz和10GHz下輸出功率密度分別達到3.1 W/mm和1.7 W/mm。我們建立了氫終端金剛石的仿真模型，發現存在2個電場峰值，分別為柵邊界位置和漏電極。增加柵介質厚度，金剛石表面的電場強度降低。使用柵場板可以有效降低柵介質和金剛石表面的電場強度，提升器件的擊穿電壓。

 

報告題目：金剛石表面物性與器件

 

【報告摘要】不同于傳統窄帶隙半導體材料，金剛石5.47eV的寬帶隙材料屬性使得金剛石物理性能對表面態非常敏感。了解金剛石表面態物性對金剛石器件設計、性能解讀具有非常重要的理論價值。報告從金剛石能帶視角對硅、氧等金剛石終端進行剖析，并展示了一些表面態相關物性與應用。

 

元素六亞洲戰略業務總監 

報告題目：金剛石在半導體產業鏈的應用

 

【嘉賓介紹】畢業于湖南大學機械設計制造及其自動化專業。現任元素六亞洲戰略業務總監。

 

當然，除了聽大咖報告中帶來碳基半導體材料及產業化應用領域未來發展趨勢與突破性成果最新進展分享以外， 論壇還設置“碳基芯片國產化內部研討會”（8月3日下午）、產業化產品展示參觀、會場互動、茶歇社交等環節，并面向全國廣大科研工作者和工程技術人員進行征文活動、學術海報。（主題包含但不僅限于：碳基納電子學、碳基材料、金剛石、碳化硅、氮化鎵等第三代半導體、碳基器件、功率器件等器件、集成電路方向及工藝等。）

 

找科研合作伙伴？看最新應用？聽最前沿技術？對接產學研資源？解決技術難題？……

 

這個七夕（8月3-5日），相約寧波，參與第二屆碳基半導體材料與器件產業發展論壇（CarbonSemi 2022），加速探索碳芯產業化道路。

 

論壇具體日程

 

您好！

 

歡迎您參加“2022（第二屆）碳基半導體材料與器件產業發展論壇”。為保證每一位與會代表的健康安全，做好疫情防護工作。目前寧波全部為常態化防控區域。

 

會議主辦方將按照政府頒布的會議管理規定及寧波市防控辦的通知要求，遵守疫情防控期間會議管理要求，請您配合主辦方落實會議的檢測防控措施確保活動正常舉辦。

 

具體安排事項如下：

 

1 對國內疫情低風險地區人員，實施3天日常健康監測，落實三天兩檢”。

 

2 疫情高中風險區參會，請提供當地防疫部門提供的核酸檢測證明，7日內有效。

 

3 請參會嘉賓和代表近期勿出境，赴港澳臺以及內地疫情中高風險地區。

 

4 支付寶甬行碼獲取方式：打開支付寶-搜索甬行碼-填寫信息生成綠碼即可。現場配合工作人員進行體溫檢測。

 

5 參會嘉賓在會議期間請隨時佩戴口罩，會議中切勿摘取。簽到注冊時，會務組會發放2只口罩給參會嘉賓，供會議期間使用。

 

6 發現頻繁咳嗽、發燒者請及時跟會務組委會聯系，進行必要措施。

 

真誠感謝您的支持與配合！

 

CarbonSemi會務組

 

寧波·8月

 

 

Mable

 

手機號碼:18989362825

 

郵箱:liushuang@polydt.com

 

Luna

 

手機號碼: +86 13373875075

 

郵箱: luna@polydt.com