半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)網(wǎng)獲悉,近日,長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)技術(shù)有限公司公開(kāi)多項(xiàng)專利,其中一條名稱為“半導(dǎo)體光刻補(bǔ)償方法”,公開(kāi)號(hào)為CN114675505A。
專利摘要顯示,本申請(qǐng)實(shí)施例屬于半導(dǎo)體制造技術(shù)領(lǐng)域,具體涉及一種半導(dǎo)體光刻補(bǔ)償方法,包括:通過(guò)機(jī)臺(tái)組合對(duì)晶圓進(jìn)行光刻,機(jī)臺(tái)組合至少包括第一機(jī)臺(tái)和第二機(jī)臺(tái);通過(guò)第一機(jī)臺(tái)進(jìn)行光刻得到第一曝光結(jié)構(gòu);獲取第一曝光結(jié)構(gòu)的套刻誤差的第一測(cè)量值;根據(jù)第一測(cè)量值對(duì)第二機(jī)臺(tái)的初始下貨值進(jìn)行補(bǔ)償。在進(jìn)行半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的制作過(guò)程中,可以通過(guò)測(cè)量第一機(jī)臺(tái)加工形成的第一曝光結(jié)構(gòu)的套刻誤差,將第一測(cè)量值對(duì)第二機(jī)臺(tái)的初始下貨值進(jìn)行補(bǔ)償,以便得到第二機(jī)臺(tái)的最優(yōu)下貨值,后續(xù)第二機(jī)臺(tái)進(jìn)行光刻時(shí),第二機(jī)臺(tái)根據(jù)其最優(yōu)下貨值進(jìn)行光刻加工,有利于保證后續(xù)第二機(jī)臺(tái)加工形成的曝光結(jié)構(gòu)的套刻誤差準(zhǔn)確性,從而減少重工次數(shù)。