除了次世代感測元件，臺亞2021年開始籌建積亞半導體（Pro-Asia Semiconductor Corporation）專注開發以碳化硅（SiC）襯底的高功率元件。今年更進一步規劃下半年擴大臺亞現有廠房潔凈室區域，投入氮化鎵（GaN）磊晶及元件的研發及生產，預計于2023年前提供樣品供合作客戶進行驗證。

 

臺亞新任總經理衣冠君表示，臺亞過去在磊晶及分離器件制造技術上已有相當深厚的基礎，將擴大加強與上游IC設計公司及下游封測及產品的合作，將可于短時間內制作出高電子遷移率晶體管（Power HEMT）樣品，提供給客戶進行驗證。

 

臺亞將以氮化鎵為基礎的第三代半導體的功率器件作為主要產品，其相對于硅基的元件可以耐更高的電壓，比起碳化硅的元件能有有更低的功耗，未來將結合氮化鎵與碳化硅，發展出高頻高效的射頻器件及模塊。

 

臺亞新總經理衣冠君曾任半導體設備大廠科林研發資深總監、德州儀器、茂德、茂硅等半導體公司，擁有超過20年豐富半導體制造廠管理經驗。臺亞半導體公司自2019年由光磊科技更名以后，持續推動產品由光電朝向硅電多元化發展。

 

而為應對市場需求成長，臺亞于今年將投入8億元新臺幣擴產高階產品，包括高性能光耦元件、長波長VCSEL/LED、與長波長PD等，新產能自今年上半年開始拉升。

 

而在23日股東會會后衣冠君總經理受訪時更進一步揭露，臺亞在于第三代半導體的時程規劃與目標，未來將持續采穩健的投資以支持第三代半導體研發及應用，爭取在全球眾多競爭者中脫穎而出。（來源：工商時報）