半導體產業網獲悉，近日，SiC賽道火熱，比亞迪、意法半導體、科友半導體、恒普科技紛紛宣布了與SiC相關的新產品、新技術以及新產線。

 

據比亞迪半導體公眾號消息顯示，近期，比亞迪半導體全新推出1200V 1040A SiC功率模塊，模塊功率再創新高。

 

消息顯示，相較于市場主流的SiC功率模塊，1200V 1040A SiC功率模塊采用了雙面燒結工藝，即SiC MOSFET上下表面均采用燒結工藝進行連接，具備更出色的工藝優勢與可靠性。

 

該模塊成功克服了模塊空間限制的難題，在不改變原有模塊封裝尺寸的基礎上將模塊功率大幅提升了近30%，主要應用于新能源汽車電機驅動控制器。它突破了高溫封裝材料、高壽命互連設計、高散熱設計及車規級驗證等技術難題，充分發揮了 SiC 功率器件的高效、高頻、耐高溫優勢。

 

公開資料顯示，在SiC功率器件領域，比亞迪半導體于2020年取得較大技術突破，推出了首款1200V 840A/700A三相全橋SiC功率模塊，并實現在新能源汽車高端車型電機驅動控制器中的規模化應用。

 

自2005年布局功率半導體領域以來，比亞迪半導體先后在功率芯片發布完全自主研發的2.5代、4.0代、5.0代車用IGBT技術，并于2022年自主研發出最新一代精細化溝槽柵復合場終止IGBT6.0技術，產品性能及可靠性大幅提升，達到國際領先水平。

 

科友半導體6英寸SiC晶體厚度突破32mm
 

6月17日，科友半導體宣布，以其自主設備和技術研發的6英寸SiC晶體在厚度上實現突破，達到32.146mm，業內領先。此外，其自主研發的SiC長晶爐（感應爐）已有99%的部件實現國產替代。

 

2021年11月，哈爾濱新區報報道曾指出，科友半導體已完成6英寸第三代半導體襯底制備，正在進行8英寸襯底研制。

 

在產業化方面，2021年10月，科友半導體產學研聚集區項目一期在建的生產車間大樓封頂并進行二次結構砌筑。據悉，一期生產車間大樓建成后將鋪設100臺套設備。項目全部達產后，最終形成年產碳化硅襯底近10萬片，高純半絕緣晶體1000公斤的產能；PVT-SiC晶體生長成套設備年產銷200臺套。據悉，科友半導體產學研聚集區項目一期預計將在今年8月份正式投產。

 

據外媒消息，意法半導體在近日開啟一條全新的SiC功率器件封裝產線。

 

據悉，新產線所在工廠位于摩洛哥卡薩布蘭卡-塞塔特地區的博斯克庫拉。擴建工程耗資2.44億美元，擴建完成后將使工廠現有生產面積擴大7500平方米，成為該公司第二大工廠，并成為意法半導體向歐洲供應碳化硅器件戰略的關鍵組成部分。

 

除此之外，意法半導體近期還傳來將與格芯合建晶圓廠的消息。消息稱，GlobalFoundries（格芯）與意法半導體考慮在法國政府補助下，合作興建一座半導體晶圓廠。據推測，雙方新建的晶圓廠或將專注于汽車等行業所需的芯片。

 

同時，意法在2022財年第一季度還簽署了多項合作協議，包括與德國模塊大廠賽米控簽署了一項為期4年的技術合作，共同開發針對電動汽車的eMPACK功率模塊。該模塊已被一家德國整車廠選用，合同金額在10億歐元左右。

 

意法半導體碳化硅產品進展順利，現已成為公司營收的重要組成部分。根據其發布的財報，截至2022財年第一季度，公司的碳化硅產品已經在75個客戶的98個項目中送樣測試，其中工業應用和電動汽車應用各占一半。

 

意法半導體預計，2022年來自碳化硅產品的營收在7億美元左右，而這一數字在2024年將達到10億美元。

 

SiC晶體生長進入電阻爐時代
 

據恒普科技官方消息顯示，今年6月恒普科技推出新一代2.0版SIC電阻晶體生長爐。據悉，此次量產推出的爐型是基于恒普上一代6、8英寸電阻爐的全新版本，積極對應市場對SIC電阻晶體生長爐的行業需求。

 

業內消息顯示，國內SIC晶體生長爐大多數采用的是感應發熱的方式。

 

據悉，感應發熱晶體生長爐設備因其投資低、維護便利、熱效率高等優點，被行業廣泛使用。隨著碳化硅8英寸時代的到來，坩堝的直徑增長，制作中原料分解、晶體面型熱應力帶來的復雜缺陷的調節等問題隨著出現，其性能漸漸難以契合較高的技術難點使用。

 

為了解決行業痛點，恒普科技推出了以軸徑分離為核心技術，石墨發熱的SIC晶體生長技術平臺，與新工藝組合，突破性的解決晶體長大、長快、長厚的行業核心需求。

 

新一代石墨發熱晶體生長爐，在籽晶徑向區域主動調節其區域溫度，軸向溫度通過料區熱場調節其區域溫度，從而實現軸徑分離。

 

晶體生長時，隨著厚度的增加，籽晶區域熱容發生變化，熱導也會發生很大的變化，這些參數的變化都會影響到籽晶區域的溫度，由于籽晶區域有徑向平面的發熱體，可以主動調節徑向平面的溫度，實現徑向平面的可控熱量散失。隨著原料分解，料的導熱率發生變化（注：二次傳質的舊工藝），會在料的上部結晶，料區熱場可以根據料的狀態主動調節料區溫度。設定生長工藝時，只需直接設定籽晶區域溫度曲線，和軸向溫度梯度溫度曲線，“所見即所得”，降低了工藝耦合的難度和避免了工藝黑箱。