據了解，雙方聯合成立培養實踐基地旨在加強產學研合作，聚焦碳化硅和氮化鎵材料，培養兼具豐富理論知識和實踐能力的高層次材料工程人才。中電化合物以此為契機，加大人才引進力度，以創新為抓手，持續研發投入，打造公司的核心競爭力。

 

中電化合物公司是由中國電子下屬的華大半導體投資的一家做碳化硅SiC晶體、襯底、外延片和GaN外延片產品的專業化寬禁帶半導體材料制造企業。2019年，中電化合物半導體項目落戶在寧波杭州灣新區，是浙江省首個第三代半導體項目，總投資10.5億元，規劃建設年產7萬片6吋SiC同質外延片生產線，和年產1萬片GaN外延片生產線；包含SiC晶體生長、襯底加工、外延生長、材料檢測工序。

自成立以來，中電化合物就聚焦在大尺寸、高性能的碳化硅材料和氮化鎵外延材料的研究、開發、生產和銷售，產品可廣泛用于電動汽車、新能源、柔性電網、工業裝備、家用消費電子設備等眾多領域。經過3年耕耘，中電化合物已引進全球先進的碳化硅和氮化鎵外延片生長爐和各種高端檢測設備數十套，并建成了含十級超凈車間的材料生產線，專注于碳化硅和氮化鎵材料的研究和開發，為客戶提供有競爭力的解決方案。

此外，在2021年12月，中電化合物中標寧波市重大科技任務攻關暨揭榜掛帥項目，聯合寧波比亞迪半導體有限公司和中國科學院寧波材料技術與工程研究所，共同建設“車規級MOS器件用大尺寸SiC材料研發、驗證及產業化”項目。目前，中電化合物的碳化硅年產能已達2萬片，未來3年將達到8萬片，已向客戶提供了650V/1200V/1700V系列SiC外延片和GaN外延片等產品。