SiC刻蝕環是半導體材料在等離子刻蝕環節中的關鍵耗材，在半導體芯片產業鏈上是一種不可或缺的重要材料。SiC刻蝕環對純度要求極高，因此只能采用CVD工藝進行生長SiC厚層塊體，隨后經精密加工而制得，主要用于半導體刻蝕工藝的制備環節。長期以來，圍繞半導體及其配套材料的發展一直是我國生產制造中的薄弱環節，但因其技術壁壘高，長期被美、日、德等國所壟斷，一直是被“卡脖子”的關鍵材料之一。

 

湖南德智新材料有限公司董事長柴攀表示，此次半導體用碳化硅蝕刻環項目，總投資約2.5億元，主要用于半導體用碳化硅蝕刻環的研發、制造，投產后年產值超1億元。

 

2018年，德智新材落戶動力谷自主創新園。隨后，其自主設計的國內最大化學氣相沉積設備完成調試投入使用。這個設備能在高溫、高真空環境下合成鏡面納米碳化硅涂層。目前，“德智新材”成為國內最大單晶太陽能生產企業——隆基股份等龍頭企業的供貨商，并與吉林大學、中南大學等知名高校建立長期合作關系。

 

“該項目對于國內外的該產品領域來說，都有著一定的前瞻性和拓展性。”業內人士分析認為，此項目技術含量高、成長能力強、經濟效益好，對突破國外的技術封鎖，進一步推動國內半導體產業轉型升級、壯大株洲經濟規模具有十分重大的意義。

 

【來源：天元區人民政府-新區動態】