半導體產業網獲悉：由富樂華半導體科技研發的活性釬焊（AMB）氮化硅覆銅陶瓷基板突破國外技術長期壟斷，一舉填補我國功率半導體行業空白。在近日舉行的科技工作者日慶祝活動上，該企業研發團隊榮獲優秀科技創新團隊稱號。

半導體器件不斷向大功率、小型化、集成化和多功能方向迅猛邁進，對封裝基板的性能也提出非常苛刻的要求。陶瓷基板在這個過程中成為一項廣泛應用的基礎材料，其中的尖端技術AMB氮化硅覆銅陶瓷基板備受日本功率半導體技術領域控制。富樂華自2019年起在博士團隊帶領下加大自主研發力度，攻克技術壁壘，實現彎道超車，成功開發出獨具高熱導、耐高溫和較低熱膨脹系數，且機械強度高、耐腐蝕絕緣性好、抗輻射能力強的AMB氮化硅陶瓷覆銅基板，為創建富樂華功率半導體研究院，夯實鏈主企業地位營造了強大磁場效應。

 

富樂華科技創新團隊擁有6名博碩精英人才，由王斌博士領銜研發。該團隊先后獲得11項發明專利授權，研發的系列化試制產品已通過全球40余家企業樣品認證，使一條又一條擁有自主知識產權的自動化生產線迅速形成，產品各項性能均達到世界先進水平，有力提升了我國功率半導體模塊器件領域在國際市場上的核心競爭力和話語權。該團隊領銜博士先后榮獲省雙創人才、蘇北發展特聘專家等稱號。

 

據了解，富樂華功率半導體研究院項目由江蘇富樂華半導體科技股份有限公司全額投資建設，其主要產品DCB覆銅陶瓷載板、AMB活性金屬釬焊載板產品技術、市場份額均位居國內第一、國際一流，獲批鹽城唯一省首席數據官試點、鹽城潛在獨角獸企業。公司聯合中科院硅酸鹽研究所、香港科技大學、電子科技大學建立研究院，對功率半導體行業基礎材料進行研究攻關，解決半導體行業基礎材料“卡脖子”難題。

2021年12月29日，江蘇富樂華功率半導體研究院竣工。總投資2億元，占地31.2畝。購置高分辨場發射SEM、TDM熱翹曲分析儀、多功能氬離子刻蝕、紅外傅里葉光譜儀、電子陶瓷流延機、磁控濺射機、紫外光刻機等先進檢測分析測試及實驗設備。建設分析測試中心、材料結構及失效分析實驗室、先進連接技術實驗室、封裝結構設計及模擬實驗室和中試車間。目前科研主樓、報告廳、實驗室等已投入使用，研發人員已入駐辦公。全面運營后每年可實現科技成果轉化2-3件。