2022年5月18日，濰坊市青州市與北京賽微電子股份有限公司合作投建的“青州聚能國際硅基氮化鎵功率器件半導體制造項目”舉行主廠房封頂慶典，同時慶祝青州聚能國際半導體制造有限公司成立一周年。

 

第三代半導體氮化鎵（GaN）屬于國家鼓勵發展的高新技術產業，同時也是國家“十四五”規劃綱要中的科技前沿攻關領域，發展前景廣闊。聚能國際硅基氮化鎵功率器件半導體制造項目計劃總投資10億元，規劃最終形成總體產能60,000片/年，一期產能30,000片/年。聚能國際一期產能建設投資5億元，總規劃占地面積40畝，建筑總面積約為1.3萬平方米，其中生產凈化車間建筑面積約為1萬平方米。

 

2021年4月1日，“青州聚能國際硅基氮化鎵功率器件半導體制造項目”簽約儀式在賽微電子FAB廠區舉行。濰坊市委副書記、市長劉運出席，他表示濰坊工業基礎良好，產業門類齊全，擁有大批先進制造業企業，當前致力于打造國內高端制造業高地。濰坊將落實好服務企業專員制度，全力支持賽微電子青州項目做大做強。2021年9月3日，濰坊市人民政府出臺了《濰坊市促進集成電路產業高質量發展的若干政策》，提出加快培育集成電路設計企業，推動芯片制造研發擴產，壯大集成電路封測產業規模，支持產業核心和關鍵技術攻關等，尤其強調支持第三代半導體、半導體材料以及集成電路設計等特色產業園區建設，同時為其產品生產，研發機構以及高端人才提供財政補貼。2022年5月18日，“青州聚能國際硅基氮化鎵功率器件半導體制造項目”在各方的共同努力下完成主廠房的封頂建設。在主廠房封頂慶典上，聚能國際首席運營官王永海表示，我們目前已完成基建施工和主體廠房封頂，下一階段啟動建設潔凈室機電工程，計劃在今年10月開始搬入設備，爭取在今年內完成設備的安裝與調試。

 

賽微電子于2018年7月投資設立聚能創芯，主要從事功率與微波器件，尤其是氮化鎵(GaN)功率與微波器件的設計、開發；于2018年6月投資設立聚能晶源，主要從事半導體材料，尤其是氮化鎵(GaN)外延材料的設計、開發、生產;作為公司GaN業務一級平臺公司，聚能創芯匯聚了業界領先團隊，擁有第三代半導體材料生長、工藝制造、器件設計等全產業鏈技術能力及儲備，且截至目前在6-8英寸硅基GaN外延晶圓、GaN功率器件及應用方面已形成系列產品。

 

鑒于GaN(氮化鎵)業務市場需求旺盛、自主研制產品性能優異，但卻嚴重受制于外部不可控產能的實際情況，賽微電子與濰坊市青州市政府合作投建此條硅基氮化鎵制造產線，有利于賽微電子進一步完善GaN業務的全產業鏈IDM布局。在現有產業鏈合作基礎上進一步加強產能保障，把握GaN業務發展的關鍵機遇窗口，逐步形成自主可控、全本土化、可持續拓展的GaN材料、設計、制造能力，促進第三代半導體業務的長遠發展。

 

北京賽微電子股份有限公司以半導體業務為核心，面向物聯網與人工智能時代，同時布局并大力發展MEMS與GaN業務，目前已在國內外擁有多座中試平臺及量產工廠，服務客戶包括國際知名的DNA/RNA測序儀、光刻機、計算機網絡及系統、硅光子、紅外、可穿戴設備、新型醫療設備、汽車電子等巨頭廠商以及細分行業的領先企業，涉及產品范圍覆蓋了通訊、生物醫療、工業汽車、消費電子等諸多領域，致力于成為一家國際化的知名半導體科技企業集團。