半導體產業網獲悉：近日，比亞迪半導體發布光伏逆變專用IGBT，T型拓撲結構BG80T12G10S5模塊和I型拓撲結構模塊BG150I07N10H5模塊。

光伏逆變器的“心臟”——IGBT模塊

在“碳達峰”“碳中和”背景下，太陽能、風能、熱能、生物能等可再生能源的規模化應用成為世界能源發展的必然趨勢。在眾多發電技術中，太陽能光伏發電是綠色環保概念中的重要發電方式之一，而光伏逆變器是太陽能光伏發電的核心設備,光伏逆變器的性能可以影響整個光伏系統的平穩性、發電效率和使用年限。

 

隨著光伏裝機容量的持續增長，市場對IGBT的需求也迅速攀升。據公開資料顯示，光伏逆變器的性能可以影響整個光伏系統的平穩性、發電效率和使用年限。而在逆變電路中，都需使用IGBT等具有開關特性的半導體功率器件，控制各個功率器件輪流導通和關斷，再經由變壓器藕合升壓或降壓，最終實現直流轉交流的轉換。因此，IGBT（絕緣柵雙極晶體管）作為光伏逆變器的核心元器件，在光伏等領域的應用極為廣泛。

 

 

比亞迪半導體憑借在車規級IGBT領域近二十年的技術沉淀，針對光伏逆變IGBT也進行前瞻布局和大力開發。自2013年參與比亞迪集團太陽能光伏逆變模塊項目，至今已與業內多家知名企業合作開發光伏逆變模塊并成功應用，期間積累了豐富的光伏逆變IGBT模塊開發經驗。比亞迪半導體全面布局及開拓光伏市場 ，于2021年成功開發出T型拓撲結構BG80T12G10S5模塊和I型拓撲結構模塊BG150I07N10H5模塊。

 

該兩款IGBT模塊采用光伏逆變市場的典型應用拓撲，模塊結構緊湊、性能高效，適用于各類光伏逆變器，如光伏逆變和儲能等。與行業同類產品相比，溫升更低、可靠性更高。

圖片BG80T12G10S5模塊實拍圖

圖片BG80T12G10S5模塊拓撲結構圖

 

 

BG150I07N10H5模塊實拍圖

 

 

BG150I07N10H5模塊拓撲結構圖

 

針對不同的應用領域，IGBT也展現出不同的技術特點。光伏IGBT對于可靠性的要求非常高，新能源發電輸出的電能需要通過光伏逆變器將整流后的直流電逆變為符合電網要求的交流電后輸入電網，這種線路需要將IGBT模塊性能用到極致，所以對IGBT芯片也提出了更高的可靠性要求。

 

比亞迪半導體T型拓撲結構BG80T12G10S5模塊和I型拓撲結構模塊BG150I07N10H5，主要有以下特性：

 

 

1結構緊湊，封裝體積小

 

2采用DBC工藝

 

3采用比亞迪半導體IGBT5.0技術的低損耗IGBT

 

4低寄生電感設計

 

5耐沖擊能力

 

6Pin針工藝

 

 

光伏逆變IGBT模塊參數

 

 

為形成完善的產業鏈布局，構建自主可控的技術基礎，比亞迪半導體于 2005 年組建 IGBT 團隊，于2007 年組建 IGBT 模塊生產線，經過近二十年的技術積累和應用實踐，比亞迪半導體IGBT 芯片設計能力、 晶圓制造工藝和模塊封裝技術持續迭代升級，被廣泛應用于新能源汽車、光伏、工控等領域。基于對下游應用需求的深刻理解和在相關領域深厚的技術積累，公司還先后開發了IGBT、IPM、 SiC 器件等功率半導體產品，多個產品性能指標達到行業領先水平。

 

比亞迪半導體IGBT 已經歷多次技術迭代升級，在減小模塊尺寸、提高輸出功率、降低功率損失方面將持續不斷優化。

 

未來，隨著比亞迪半導體在光伏領域的持續發力，IGBT優越的性能、高可靠性、優秀的產品競爭力，必將為新能源產業高質量發展提供推動力，助力實現“雙碳”目標！