半導體產業網消息：2022年4月，恒普科技推出SiC感應晶體生長爐的新一代技術平臺，突破SiC行業晶體長不快、長不厚，長不大的三大缺點，解決行業核心需求。
隨著電動汽車的碳化硅車型的陸續密集推出，帶動當下SiC器件需求的井噴。在未來一段時間內SiC襯底的供應依然無法滿足市場的需求。
而當下國內主流的SiC晶體生長速度在0.1~0.2mm/h,晶體厚度在15~25mm,晶體尺寸從4英寸全面向6英寸切換。國際上主流的SiC晶體生長的速度在0.2~0.3mm/h，晶體的厚度30~40mm，晶體尺寸由6英寸轉向8英寸。
無論是技術追趕，還是市場需求，在晶體質量（缺陷等）保證的前提下，把SiC晶體長快、長厚、長大，都是行業急迫需要解決的核心需求。
在這個背景下，恒普科技推出新一代感應發熱技術平臺，并以新技術平臺為基礎，推出了2款感應式SiC晶體生長爐，解決SiC晶體長不快、長不厚、長不大的缺點。
新感應晶體生長平臺特點（部分）：
1、全尺寸
●同時推出6英寸、8英寸的2款爐型，滿足行業晶體尺寸加大的需求。
2、無籽晶托或超薄籽晶托
●自由熱膨脹，利于應力的釋放，減少由應力產生的缺陷。
●料區與籽晶區，更靈活的溫度梯度調節。
3、固定式水平線圈
●無需調節線圈的軸向移動，減少工藝變量，提高工藝穩定性。
●對籽晶區的溫場做到更精細的調整，使溫度更均衡。
4、新熱場
●裝入更多原料，且利用率高。
●料區溫度分布對長晶影響的敏感度下降。
●增加了蒸發面積，可在超低壓力下生長。
●傳質效率提高且穩定，降低再結晶影響（避免二次傳質）。
●減少邊緣缺陷的擴徑技術。
生長后期，降低碳包裹物的影響。
5、先進技術
新爐型標準配置了，溫度閉環控制與高精度壓力控制等先進技術。
a.溫度閉環控制
SiC晶體在2000℃以上的高溫下生長，對溫度的穩定性要求極高，但由于SiC粉料揮發等原因，無法做到溫度控制，而是采用功率控制（或溫度控制+功率控制組合），恒普科技的新技術就解決了這個痛點。
b.高精度壓力控制
SiC晶體生長爐在晶體生長時，通常壓力控制的波動在±3Pa,恒普科技的新技術可以將壓力控制在±0.3Pa，提高了一個數量級。
寧波恒普真空科技股份有限公司 是一家以材料研究為基礎，以高溫熱場環境控制為技術核心的金屬注射成形（MIM）領域和寬禁帶半導體領域的關鍵設備供應商，主要從事金屬注射成形（MIM）脫脂燒結爐、碳化硅晶體生長爐、碳化硅同質外延設備等熱工裝備的研發、生產和銷售。
