半導體產業網訊：4月12日，中車時代電氣發布公告，公司控股子公司株洲中車時代半導體有限公司擬投資4.62億元，實施碳化硅芯片生產線技術能力提升建設項目。
該項目主要內容為對時代半導體位于石峰區田心工業園區內的碳化硅芯片線廠房進行改造升級，包括改造既有設備，新增工藝設備及工藝輔助設備，信息化軟件新增或實施服務，裝修潔凈室，配套進行廠務擴容，新增公用設備等。項目建設工期預計為24個月。
項目建成達產后，將把該公司現有的平面柵碳化硅MOSFET芯片技術能力提升到滿足溝槽柵碳化硅MOSFET芯片研發能力，現有4英寸碳化硅芯片線將提升到6英寸碳化硅芯片線，產能也將從1萬片/年的能力提升到2.5萬片/年。
響應國家要求及公司整體發展戰略，時代電氣致力于打造先進的功率半導體器件自主核心技術，依托強大的應用及產業平臺，強化“芯片-模塊組件-裝置-系統”完整產業鏈，形成器件技術推動裝置進步、裝置技術拉動器件技術的良性循環，其生產的全系列高可靠性IGBT產品打破了軌道交通核心器件和特高壓輸電工程關鍵器件由國外企業壟斷的局面，目前正在解決我國新能源汽車核心器件自主化問題。
公告顯示，通過項目的實施，該公司可形成面向新能源汽車、軌道交通方向的碳化硅芯片量產生產線，并進一步研發高性能的新產品，可以進一步推進時代半導體工藝技術進步，提升產業化水平，不僅可以較好地滿足下游新能源、光伏以及儲能的爆發式需求，又可以提升國家第三代半導體關鍵芯片自主化，提升國際競爭力，對保障第三代半導體產業的可持續發展具有重要意義。
