半導體產業網消息:3月31日,金沙江半導體與西北大學物理學科高性能計算中心正式簽約,雙方將致力于推進GaN IDC電源在微模塊數據中心能效性能研究項目。

▲深圳前沿科技研發有限公司總經理閔軍輝與西北大學物理學院周波教授現場簽約
深圳前沿科技研發有限公司總經理閔軍輝、西北大學物理學院朱海燕教授和周波教授出席簽約儀式。由于疫情原因,中國通信學會副秘書長歐陽武,徐州金沙江半導體有限公司總經理陳振和中國科學院電工研究所張伯駒研究員以視頻方式致辭,并見證項目簽約。

▲深圳前沿科技研發有限公司總經理閔軍輝與西北大學物理學院周波教授現場簽約
據了解,金沙江半導體是中國領先的氮化鎵芯片應用、研發和生產企業。通過本地化供應鏈,促進快充、IDC電源和電動汽車功率芯片的快速發展,致力于利用先進科技實現全球碳中和的使命。本次簽約的GaN IDC電源在微模塊數據中心能效性能研究項目,金沙江半導體作為甲方實體單位,中國科學院電工研究所張伯駒研究員為項目技術開發主要負責人。
氮化鎵功率半導體的全球領導者GaN Systems公司和徐州金沙江半導體近期曾聯合宣布,在互聯網數據中心(IDC)領域,首次成功開展氮化鎵(GaN)電源應用的現場試驗,這是GaN在IDC電力基礎設施領域普及進程的重要里程碑。該項測試,正是在西北大學物理學科高性能計算中心展開,并將在全國范圍選擇更多的數據中心和超算中心進行合作和推進。
參與測試的電源是在北京設計,運用了GaN Systems公司和徐州金沙江半導體公司的技術和芯片。測試得到了宏光半導體和深圳前沿科技研發公司的大力支持。經理論推算,50%負載下新電源模塊的能源效率大約為98%,比傳統硅基功率半導體電源的能源效率提高4個百分點。獨此一項,可以降低數據中心的總能耗10個百分點。如果配合推進數據中心UPS電源及制冷系統的電源替代,節能效果有望達到20%。