日前,深圳市時創意電子有限公司宣布推出新一代eMMC嵌入式存儲芯片產品,已正式量產。
據悉,該產品基于長江存儲第三代512Gb TLC 3D NAND打造,具備高密度,高速率,高可靠性等優點,廣泛應用在手機、平板電腦等嵌入式存儲領域,具備廣闊的市場前景。
據悉,該產品基于長江存儲第三代512Gb TLC 3D NAND打造,具備高密度,高速率,高可靠性等優點,廣泛應用在手機、平板電腦等嵌入式存儲領域,具備廣闊的市場前景。

(E128CYNT2ABE00 產品圖示)
隨著5G和人工智能技術的應用范圍越來越廣,移動設備對存儲芯片的性能、容量和數據穩定性等要求不斷提高,市場對更大容量、更高性能和更低成本的存儲芯片解決方案的需求愈加明顯。
為了滿足電子產品對大容量高性能存儲芯片日益增長的市場需求,時創意研發團隊通過多年技術積累,厚積薄發,推出了新一代eMMC嵌入式存儲產品,并采用了長江存儲Xtacking架構第三代512Gb TLC 3D NAND。該產品的推出進一步豐富了時創意的存儲產品線,同時為市場提供高性價比、高性能的存儲芯片產品解決方案。
此次發布的eMMC存儲芯片,采用SMI最新基于LDPC ECC糾錯引擎的主控芯片,搭配長江存儲Xtacking架構第三代TLC 3D NAND閃存顆粒。產品覆蓋了64GB~512GB容量段,降低了存儲芯片成本,同時,在產品性能上亦得到進一步提升。

(128GB 樣品CrystalDiskmark測試截圖)

(128GB 樣品Androidbench測試截圖)

(128GB 樣品Androidbench測試截圖)
此次發布的eMMC產品搭載遵循onFI 4.1技術規范,VCCq支持1.2V電壓,擁有4 Plane的閃存架構,NAND最高速度可達1600MB/s,對比長江存儲的上一代3D NAND閃存顆粒,具有更高的I/O速度,更高的數據存儲密度,同時在功耗上做了進一步優化。此款產品采用時創意自主算法的固件架構,并通過了5萬+次SPOR(異常掉電)測試、168小時高低溫老化測試和數據保持測試,以及一系列的其他嚴格標準測試,確保產品穩定可靠,可以滿足手機、平板、物聯網、安防、智能穿戴等多個行業的市場應用和需求。