近日，方正證券發布研究報告稱，隨著國家越來越重視芯片、高端裝備等領域的國產化，SiC行業發展迅速，各廠商加速布局。2021年一季度國內新增SiC項目合計投資金額已經超過2020年全年的水平，達到了2012-2019年合計值的5倍以上。并且因為SiC材料能夠實現在射頻器件和功率器件上對硅基材料的性能完美替代，該行認為，SiC器件未來將逐步替代傳統硅基器件。相關企業：三安光電(600703.SH)、天岳先進-U(688234.SH)、鳳凰光學(600071.SH)、時代電氣(688187.SH)等。
性能完美替代，SiC器件未來將逐步替代傳統硅基器件：受益于優秀的材料特性，隨著量產和技術成熟帶來的成本下降，在新能源時代，SiC即將迎來屬于它的性價比“奇點時刻”：在新能源汽車的主逆變器、車載充電器、快速充電樁、光伏逆變器等場景中均有廣泛的應用空間。碳化硅更是電驅系統向高電壓升級的核“芯”，解決電動汽車里程焦慮和充電速度慢兩大核心痛點，眾多車企對800V電壓平臺的持續布局再次拉升了碳化硅器件的需求。2030年碳化硅市場規模將超300億美元，2021到2030年復合增速預計高達50.6%。
全球碳化硅產業格局：美國廠商占據主導地位，國內度過產業化元年。Wolf speed的出貨量占據了全球的45%。2021年是國內SiC產業化元年，2021年一季度國內新增SiC項目合計投資金額達到630億元，超過2020年全年的水平，達到2012-2019年合計值的5倍以上。
碳化硅產業“得材料者得天下”：產業放量的核心看襯底工藝的突破。碳化硅襯底是整個碳化硅產業鏈中成本占比最大、技術門檻最高的環節，對產業放量起著決定性作用。根據該行的模型測算，2026年全球SiC襯底有效產能為330萬片，距離同年的襯底629萬片的需求量仍有較大差距。在業內形成穩定且較高的良率規模化出貨前，整個行業都將持續呈現供不應求的格局。因此，對于下游廠商而言，誰能夠鎖定頭部材料廠商的優質產能，誰就能夠在這一輪產業浪潮中提前搶灘登陸，搶占先機。目前上游大廠(如wolf speed)的長期供貨訂單基本都被國際半導體巨頭鎖定。
IDM模式可能會成為未來產業主流模式，同時可能會出現上下游互相滲透的現象。碳化硅產業具有IDM整合制造模式生存發展的土壤。上游襯底廠商把握著碳化硅產業鏈最核心的產能資源，這為它們帶來了產業鏈內的話語權和主動權，以及向下游器件端延伸的天然優勢;下游器件廠商則具備完善的產線、成熟的客戶孵化和客戶資源等一系列先發優勢，有望通過并購和合作等方式向上游材料端延伸。
風險提示：上游材料端良率及產能提升不及預期;下游滲透率提升不及預期;SiC成本下降不及預期等。
本文來源于方正證券研究微信公眾號，分析師：呂卓陽、陳杭
