存儲器市場除了最為人熟知的內存DRAM和閃存NAND FLASH、NOR FLASH外，近年來，能夠突破性能與技術瓶頸的第四代存儲器/新型存儲器，如PCM（相變存儲器）、FeRAM（鐵電存儲器）、MRAM(磁性存儲器)及ReRAM(阻變存儲器)逐漸受到市場的關注。而在四種新型存儲器中，ReRAM在密度、工藝制程、成本和良率上的優勢使其備受企業和市場青睞。
日前，由昕原半導體（杭州）有限公司（以下簡稱“昕原半導體”）主導建設的大陸首條28/22nm ReRAM（阻變存儲器）12寸中試生產線順利完成了自主研發設備的裝機驗收工作，實現了中試線工藝流程的通線，并成功流片（試生產）。
公開資料顯示，昕原半導體專注于ReRAM領域，是一家集核心技術、工藝制程、芯片設計、IP授權和生產服務于一體的新型IDM公司。該公司的核心產品覆蓋高工藝嵌入式存儲、高密度非易失性存儲、存內計算及存內搜索等多個領域。
早前在2021年4月，昕原半導體官方表示，業界首款28nm制程ReRAM芯片流片成功。據悉該芯片主要應用于防偽認證，也應用于移動設備的各種配件、家電、電子煙等AIoT的廣大市場，且已與行業內頭部廠商達成合作意向。
據悉，新型存儲器需要在傳統CMOS工藝里增加一些特殊的材料或工藝，這些特殊材料或工藝的開發則需要經過大量實驗及測試驗證。而由于傳統CMOS代工廠受限于資源緊缺或迭代速度較慢，工藝開發速度大大減緩。此次昕原自行搭建的28/22nm ReRAM 12寸中試生產線使得ReRAM相關產品的快速實現變成了可能。
公開資料顯示，目前Crossbar、昕原半導體、松下、Adesto、Elpida、東芝、索尼、美光、海力士、富士通等廠商都在開展ReRAM的研究和生產，其中專注IP授權的Crossbar對于ReRAM的基礎技術研發走在了前列。
