美國白宮更新關鍵和新興技術清單（ list of Critical and Emerging Technologies，簡稱“CET清單”），涉及超算、通信和網絡技術、人工智能（AI）、半導體和微電子等19類技術，美國政府表示該清單有助于為即將出臺的美國技術競爭力和國家安全戰略提供信息。此次白宮在其關鍵和新興技術名單上增加了5個新的技術領域，包括高超音速能力、定向能源、可再生能源發電和儲存、核能和金融技術。

 

 

日本《朝日新聞》2月8日報道，日本政府已經制定了扶植半導體產業的具體政策。作為新建工廠獲得補貼的條件，企業被要求必須連續生產十年。在人才培養方面，日本政府還將在全國多所國立高等專科學校設置相關課程。報道稱，一旦半導體產品斷供，智能手機和汽車等諸多行業都將陷入生產停滯。眼下需求的快速增長導致全球性的半導體短缺，企業被迫展開貨源爭奪戰。美國通過了確保重要物資穩定供應的法案，對半導體行業提供支持。日本也在所謂“維護經濟安全”的呼聲中，試圖提供巨額補貼。

 

 

當地時間2月7日報道稱，美國、中國、韓國等國家正投入巨資擴大芯片產業，現在歐盟也在效仿。歐盟內部市場專員蒂埃里·布雷頓將在2月8日公布歐盟的《芯片法案》。根據該法案，到2030年，歐盟將投入大約450億歐元用于支持芯片生產、試點項目和初創企業，最重要的是建設大型芯片制造工廠。具體來看，300億歐元促進芯片產業，120億歐元用于量子芯片等試點項目。目標是到2030年，歐盟在全球芯片生產的份額將從目前的10%增加到20%。

 

 

荷蘭光刻機巨頭阿斯麥（ASML）近日警告稱，如果不采取緊急行動振興半導體產業，歐洲就有可能跌落至在全球半導體領域毫無影響力的境地。該公司首席執行官彼得·溫尼克認為，全球芯片行業短期內沒有供應過剩的風險。

 

在全球“缺芯”持續困擾眾多產業之際，發展半導體產業已經成為全球多個國家地區的共識。彼得·溫尼克在致投資者的信中預計，今年，中國、歐盟、日本、韓國和美國在芯片行業的資本支出預計將從2021年的1500億美元增加一倍。他表示：“我們意識到，這引發了對潛在供應過剩的擔憂……然而，我們認為，半導體行業明顯的增長前景確實需要大幅提高產能。”他相信芯片行業會設法避免供應過剩的情況。“行業合作伙伴將付出足夠的努力，以維持一個無障礙、高效的創新生態系統。”彼得·溫尼克表示。

 

他提出，歐洲有必要改善由上至下的整個芯片產業鏈，包括從芯片組件和電子產品等。阿斯麥還呼吁歐洲成立一個芯片聯盟，并盡快集體討論出一份“長期半導體創新路線圖”。該公司警告稱：“如果不采取行動，歐洲半導體產能(在全球占比)將降至4%以下，這將使其在全球范圍內幾乎無關緊要。”

 

阿斯麥認為，要提振歐洲芯片產業，這份法案遠遠不夠。對于歐洲來說，無論是芯片產業上游的產能，還是芯片產業下游的需求，目前都遠遠落后于美國和亞洲。

 

 

墨西哥汽車工業協會（AMIA）表示，拖累墨西哥汽車業的全球半導體短缺應在今年全年恢復正常，芯片供應應在2022年下半年達到疫情前的水平。AMIA主管Fausto Cuevas在新聞發布會上表示:“我們預計半導體短缺將在全年企穩，接近下半年時可能會回到疫情爆發前的水平。”

 

 

據Gartner的最新預測顯示，2022年全球電動車(純電動和插電式混合動力車)出貨量將從2021年的400萬輛增加至600萬輛。另外，全球公共電動車充電樁將在2022年從上一年的160萬個增加至210萬個。Gartner預測，電動乘用車將占到2022年電動車總出貨量的95%，客車、貨車和重型卡車僅占5%。Gartner分析，由于中國要求車企在2030年實現電動車占總銷售量40%的目標，并且車企正在紛紛建立新的電動車制造工廠，因此Gartner預計大中華區將占2022年全球電動車出貨量的46%，達到290萬輛，位居全球榜首。西歐和北美將分別以190萬輛和85.53萬輛位居第二和第三。

 

 

當地時間2月4日，美國眾議院以222票贊成、210反對的投票結果通過了近3000頁的《2022美國競爭法案》獲美眾議院通過。該法案將劃撥520億美元巨額投資和補貼，支持半導體制造行業，擴大本國芯片工廠的建設。據路透社華盛頓報道，該法案旨在提高美國對中國的競爭力，支持美國芯片產業，其中包括為半導體制造和研究提供520億美元補貼。報道稱，拜登政府正在說服國會批準資金，以幫助促進美國的芯片生產，因用于汽車和電腦的關鍵零部件短缺加劇了供應鏈瓶頸。

 

 

當地時間2月7日，拜登政府將33家中國實體列入商務部的“未經核實名單”(Unverified List)，對這些實體從美國出口商獲取產品實施新的限制，并要求希望與這些中國公司做生意的美國公司進行額外的調查。這33家大多數都是半導體行業內的公司，也包括光學公司、一家風機渦輪葉片公司以及大學的國家實驗室和其他公司。目前，“未經核實名單”中共有175家實體，除中國外還包括俄羅斯和阿拉伯聯合酋長國實體。突發！美商務部下黑手，33家中國企業加入所謂的“未經核實名單”

 

韓國將創建一個芯片工程師數據庫，以監控他們進出該國的行程，防止關鍵技術落入外國競爭對手手中。據《日經亞洲評論》報道，上述措施是加強知識產權保護五年計劃的一部分，要求列出在電池、有機發光二極管顯示器（OLED）、船舶和鋼鐵等12項在“國家核心技術”方面具有先進知識的人員名單，企業和研究機構將為符合這些標準的人員登記。韓國政府則追蹤這些名單上人員的行程。另外，數據庫將不限于韓國國民，受雇于韓國公司或外國企業當地子公司的外國工程師也將包括在內。據了解，在過去的5年中，韓國發生了397起技術泄露事件。對于三星電子等依賴技術優勢的巨頭來說，技術泄露已經成為一個日益嚴重的問題，韓國政府旨在遏制此類事件的發生。

 

 

 

2月10日消息，羅姆將在2022年春季之前開始量產被視為新一代半導體的氮化鎵（GaN）半導體。這是能提高供電和控制效率的“功率半導體”，據稱和此前的硅半導體相比，新產品能把電流切換時的損耗減少6成。羅姆將在日本濱松市的工廠建設生產設備，首先面向5G基站等供貨。除氮化鎵半導體以外，羅姆還在量產新一代碳化硅（SiC）功率半導體。碳化硅功率半導體更高耐壓，將面向純電動汽車的核心零部件銷售，實現兩種功率半導體的分棲共存。

 

 

2月11日，據華爾街日報消息，自1月下旬以來，日本兩家生產閃存芯片的工廠因污染問題而發生停產事件，這一問題可能會影響已經陷入困境的半導體供應鏈。這兩家工廠由日本鎧俠與總部位于美國加州圣何塞的Western Digital合作經營。兩家工廠生產的NAND閃存芯片用于包括智能手機、電腦和服務器在內的許多產品。

 

 

AMD官方正式宣布，已獲得了有關收購賽靈思的所有必要批準，預計將于 2022 年 2 月 14 日前后完成收購。2020年10月，AMD宣布計劃斥資350億美元(股票形式)收購FPGA大廠賽靈思，以豐富自家產品線，與現有CPU處理器、GPU顯卡、加速計算卡形成完整的高性能計算體系。未來，AMD極有可能在增加CPU、GPU中集成賽靈思FPGA IP，從而和Intel、NVIDIA展開更有針對性的競爭。

 

AMD總裁兼CEO蘇姿豐曾指出，這筆收購將為AMD帶來一支卓越的團隊。AMD通過有效整合賽靈思在FPGA方面的優勢，能夠提供具有更廣泛高性能的計算產品組合，提供從CPU到GPU、ASIC、FPGA系統級解決方案。同時，借助賽靈思在5G、通信、自動駕駛和行業領域的資源，AMD能夠將高性能計算能力帶入更多領域，擴展到更廣泛的客戶群體中。

 

 

當地時間周二（2月8日），格芯首席執行官Tom Caulfield在一份聲明中表示，公司簽署了更多長期合作協議，有30家客戶承諾出資合計32億美元以幫助公司擴產，以支持強勁的芯片需求。據《巴倫周刊》報道，Caulfield表示，2021年，格芯“通過利用普及半導體解決方案的需求和在半導體供應鏈中發揮關鍵作用，加速了我們的商業計劃”。“我們執行得很好，相信我們將在2022年實現強勁的收入和盈利增長。”

 

格芯首席財務官David Reeder則表示，當前的芯片短缺問題不會在2022年得到解決。他指出，終端市場的需求正以中位數到高位數的速度增長，但在格芯所在的市場上，目前已宣布的新增產能在未來五年內僅以每年4%的速度增加。

 

 

據外媒報導，富士康呼應中國制造2025 正準備投資規模高達600億人民幣的半導體計劃。而據知情人士透露，該項目大部分事業費用將由珠海政府資助，并被列為頂級科技項目之一，并獲得補貼及稅收減免等優惠。消息顯示，富士康正在跟珠海市政府談判投資半導體事宜，目前已經進入最后階段了。

 

根據爆料消息，富士康及子公司夏普聯合與珠海市政府成立一家合資公司，項目總投資約600億元人民幣，不過大部分投資都會來自于珠海市政府以國家高新技術的名義申請補貼及稅收減免。該晶圓廠將于2020年開始建設，富士康也將借此來挑戰臺積電等代工行業領先者。該工廠將制造用于超高清8K電視的芯片、攝像頭圖像傳感器以及工業應用和連接設備的各種傳感器芯片，最終將擴大珠海工廠的12英寸產能，為機器人和自動駕駛汽車制造更先進的芯片。晶圓廠將不止為富士康制造芯片，也為其他廠商開放代工服務。

 

 

2月10日，蘇州東微半導體股份有限公司（簡稱“東微半導”）正式登陸科創板，股票代碼為“688261”。東微半導本次公開發行股票數量為1684.41萬股，發行價格為130元/股/。東微半導業績整體呈穩健增長態勢，此次上市欲圍繞主營業務發展，致力于成為國際領先的功率半導體廠商。此次上市，東微半導計劃募資93869.10萬元，分別用于超級結與屏蔽柵功率器件產品升級及產業化項目、新結構功率器件研發及產業化項目、研發工程中心建設項目和科技與發展儲備資金。其中，科技與發展儲備資金擬投入45700萬元，占總募資金額的48.68%。東微半導計劃將款項分別用于補充流動資金和產業并購及整合。

 

 

曠達科技集團股份有限公司1月26日發布公告稱，公司重要參股公司芯投微電子科技（上海）有限公司與合肥高新技術產業開發區管委會于當日簽訂了《芯投微濾波器芯片研發生產總部項目投資合作協議書》。公告資料顯示，芯投微設立合肥芯投微電子有限公司作為項目主體公司，在合肥高新區建設濾波器芯片及模組研發、設計及生產總部項目，該項目總投資55億元人民幣，分兩期實施。

 

 

泰科天潤官方消息，目前泰科天潤碳化硅芯片量產線已進入生產狀態中，預期年產6萬片6英寸碳化硅功率芯片，可實現國產碳化硅功率半導體的自主控制，填補國內產業空白。并將通過實力、資產規模、業務開拓、市場占有率等方面的跨越式發展，加速提升市場競爭力，向國內各省市和國際市場擴張。據了解，泰科天潤碳化硅芯片項目位于瀏陽經開區（高新區）新能源標準廠區內，于2019年年底正式開建，該項目一期總投資5億元，一期主要建設年產6萬片6英寸的碳化硅功率芯片量產線，可實現年產6萬片6英寸碳化硅晶圓。整個項目投產滿產后，年產值預計可達13億至14億元。

 

近日，2022年北京市“3個100”市重點工程發布。小米汽車、理想汽車全球旗艦工廠、中芯北方12英寸集成電路生產線（二期）工程、第三代等先進半導體產業標準化廠房、北方華創半導體裝備研發及產業化擴產項目、華卓精科半導體裝備關鍵部件研發制造二期項目、第三代半導體碳化硅襯底產業化基地建設項目、國望光學系統項目等都榜上有名。

 

 

2月8日，廣州市發展和改革委員會在官網正式公布廣州市2022年重點項目計劃。在廣州市2022年重點項目計劃中，涵蓋多個半導體產業項目，涉及模擬芯片、碳化硅芯片、MEMS傳感器等領域。例如，重點建設項目計劃包括粵芯半導體項目二期項目、廣東芯粵能半導體有限公司電子元器件制造項目（一期）、廣東盈驊總部和微處理芯片封裝載板項目、志橙半導體SiC材料研發制造總部等。重點建設預備項目計劃包括粵芯半導體項目三期、興森科技FCBGA封裝基板項目、艾佛光通濾波器生產研發基地、風華高科生產制造基地及總部項目等。

 

 

國家發展改革委官網日前發布《關于深圳建設中國特色社會主義先行示范區放寬市場準入若干特別措施的意見》。其中，在放寬和優化先進技術應用和產業發展領域市場準入方面，《若干特別措施》強調，創新市場準入方式建立電子元器件和集成電路交易平臺。

 

 

近日，在江蘇富樂華功率半導體研究院，高新區與無錫海古德新技術有限公司成功簽約，清華大學國家863科技成果轉化項目——年產1020萬片半導體功率模塊使用陶板基板項目正式落戶高新區半導體產業園。該項目由無錫海古德投資6億元創建江蘇海古德新技術有限公司，占地80畝，廠房面積7萬平方米，新上六條流延線及排膠線，新購燒結爐、研磨機、激光粒度分析儀、氣相色譜儀等進口設備，年產氮化鋁基板720萬片、氮化硅基板300萬片，年可實現開票10億元。

 

2月6日消息，據中國臺灣經濟日報報道，環球晶圓（GlobalWafers）收購德國晶圓制造商世創（Siltronic）的交易，因未能在 1 月 31 日截止期限前獲得德國監管機構批準而告終。環球晶圓表示，將于 2022 年至 2024 年投入千億元新臺幣的資本支出，其中包括擴建新廠。環球晶圓董事長徐秀蘭指出，即使公開收購世創一案未果，他們在事前已規劃雙軌策略。環球晶圓提到，將考慮進行多項現有廠區及新廠擴產計劃，包含 12 寸晶圓與磊晶、8 寸與 12 寸 SOI、8 寸 FZ、SiC 晶圓（含 SiC Epi）、GaN on Si 等大尺寸次世代產品。報道稱，擴產計劃涵蓋亞洲、歐洲和美國地區的投資，總投資金額最高達 1000 億元新臺幣（約 229 億元人民幣），包括擴充現有廠區及興建新廠，新產線產出時間預計從 2023 年下半開始逐季增加。

 

 

2021年12月，華羿微電子股份有限公司完成數億元融資，投資方包括盛宇投資旗下多只基金、欣旺達、超越摩爾、陜投基金等。華羿微電成立于2017年，其官微顯示，公司是天水華天電子集團股份有限公司旗下專業從事半導體功率器件研發、生產、銷售的企業。華羿微電源起于2008成立的西安后羿半導體，是國內獨特的既具有豐富的自研MOSFET設計產品線，同時又給海外功率器件大廠提供功率器件封裝代工業務的企業。華羿微電已量產的產品達到400余種，自主產品主要分為溝槽型功率MOSFET（中/低壓）和屏蔽柵溝槽型功率MOSFET（SGT）（中/低壓）等系列；封測產品主要有TO-220、TO-220F、TO-262、TO-263、PPAK、DPAK、IPAK、TO-3P、TO-247、TO-264、IPM等系列。該公司產品可廣泛應用于電動車、汽車電子、5G基站、電動工具、儲能、消費電子等領域。

 

 

安徽承禹半導體材料科技有限公司(以下簡稱“承禹新材”)生產的碲鋅鎘單晶棒及晶片獲得中科院半導體所《關于第三代前沿半導體材料碲鋅鎘單晶棒及晶片檢測檢驗報告》。報告顯示，承禹新材生產的碲鋅鎘單晶棒及晶片在紅外透過率等綜合參數性能、產品良率、晶棒及晶片尺寸規格，尤其是3英寸的全單晶圓片等幾項關鍵指標均國內領先，部分指標追平及領先國際技術水平。

 

依托蚌埠水利建設投資有限公司，設立水利“雙招雙引”投資基金，搭建合作發展平臺。投資1億元立成安徽承禹半導體新材料有限公司，科創團隊以技術入股，共同建設具有國際領先水平與規模的碲鋅鎘半導體單晶材料、晶片及探測器模塊化部件生產線，預計達產后總產值可達30億元。2021年12月，首批碲鋅鎘單晶棒出爐，產品送至中科院半導體所檢驗，于近日獲得檢驗報告。目前，產品已獲得兩家重點裝備科研單位訂單。

 

 

全球光刻機龍頭廠商ASML發布了2021年度報告。報告顯示其2021年度營收186億歐元，毛利率52.7%，研發支出25億歐元，凈利潤達59億歐元，各項業績指標都大幅增長，員工總數也達到了3.2萬多人。在這份2021年度報告當中，ASML也提到了對于其商業秘密、專有客戶數據、知識產權或其他機密信息遭到第三方或自家員工竊取的擔憂.ASML稱，了解到與之前因竊密而被判賠償的XTAL公司的相關公司——東方晶源可能正積極地在中國銷售侵犯ASML知識產權的產品。已經聯系了部分客戶要求暫停與XTAL有關聯的東方晶源的業務往來，并已告知中國政府相關情況。其正在“密切關注這一情況，并準備在適當的時候采取法律行動”。

 

 

皇庭國際的公司官網新增了一位半導體行業的資深顧問，投資德興市意發功率半導體有限公司有新的進展，相較之前的公告，投資方案調整為由公司全資子公司深圳市皇庭基金管理有限公司向意發功率增資人民幣5000萬元，對應持有意發功率13.3774%的股權。公告稱，除本次增資外，公司仍在與意發功率的核心管理團隊洽談股權收購以及合作事項。

 

 

晶方科技發布公告稱，已與以色列VisIC Technologies Ltd.洽談股權合作，并由蘇州晶方貳號集成電路產業基金合伙企業（有限合伙）投資2000萬美元，持有VisIC公司13.7%的股權。公告顯示，晶方貳號產業基金本次擬增加投資500萬美元，向VisIC公司境外股東購買其所持有的VisIC公司股權。對于此次投資的目的，晶方科技表示，公司通過晶方貳號產業基金并對以色列VisIC公司進行投資，有利進一步深化與以色列VisIC公司的股權合作，更好推進未來雙方的戰略合作與業務協同。

 

 

天眼查顯示，近日，奉新時代新能源材料有限公司成立，注冊資本10億人民幣，法定代表人為林美娜，經營范圍含碳酸鋰系列產品、鋰電正極材料及其他化工產品的研發、生產和銷售；新材料技術研發、推廣服務等。股權穿透圖顯示，該公司由宜春時代新能源資源有限公司（寧德時代全資子公司）、蘇州天華超凈科技股份有限公司共同持股，持股比例分別為90%、10%。

 

 

韓國三星發表最新財報時宣布，計劃2022下半年商業化生產全球首創的閘極全環晶體管（Gate-All-Around，GAA）技術芯片。新制程技術與代工龍頭臺積電5納米節點鰭式場效晶體管（FinFET）技術相比，有晶體管密度的優勢。，2022上半年第一代GAA技術，就是3GAAE制程技術將量產，到了下半年開始商業化生產。三星將繼續照計劃開發第二代GAA技術，也就是3GAAP（3nm Gate-All-Around Plus），時間點與三星2021年6月宣布的時程大致相同。

 

天眼查App顯示，2月9日，北京京東方尚亦科技有限公司成立，法定代表人為徐偉，注冊資本1億人民幣，經營范圍含集成電路設計；生產其他電子設備等。股東信息顯示，該公司由京東方智慧物聯科技有限公司、尚亦城(北京)科技文化集團有限公司共同持股，持股比例分別為60%、40%。

 

 

日前，總投資10億元的臺資項目——長晟半導體閃存芯片封測項目在南通市2022年第一季重大項目集中開工儀式現場亮相。據悉，長晟半導體閃存芯片封測項目是由廣東長興半導體科技有限公司、臺灣追日潤半導體投資建設，項目位于南通經濟技術開發區，占地面積33畝，規劃總建筑面積3萬平方米。

 

 

2月7日，上海微電子舉行首臺2.5D/3D先進封裝光刻機發運儀式，這標志著中國首臺2.5D/3D先進封裝光刻機正式交付客戶。不過，具體客戶未知。資料顯示，該光刻機可滿足 0.8μm（ 800nm ）分辨率光刻工藝需求，極限分辨率可達 0.6μm（ 600nm ）；通過升級運動、量測和控制系統，套刻精度提升至 ≤ 100nm，并能保持長期穩定性。報道指出，這種光刻機具有高分辨率、高套刻精度以及超大曝光視場等特點，主要用于高密度異構集成的領域。此次發運的產品是新一代的先進封裝光刻機，主要應用于高端數據中心高性能計算（HPC）和高端AI芯片等高密度異構集成領域，可滿足2.5D/3D超大芯片尺寸的先封裝應用需求，代表了行業同類產品的最高水平。

 

 

半導體行業硅晶圓的主要供應商Sumco（勝高）表示，其到 2026 年的產能已經售罄，這表明硅晶圓的短缺狀況可能在未來幾年都不會緩解。據報道，勝高是為數不多的提供專用硅晶圓的公司之一，該公司公布財報后表示，其未來五年300毫米硅晶圓產能都被訂滿，目前不接受150毫米和200毫米硅晶圓的長期訂單，但未來幾年需求可能會持續超過供應。2021年硅晶圓的價格比前一年上漲了10%，勝高預計這種漲勢至少會持續到2024年。勝高表示，盡管需要長期供應的客戶需求強勁，但今年根本無法擴大產量。公司已經盡其所能優化現有生產線，其全套產品（包括200毫米和300毫米硅晶圓）的供需不平衡是一致的。

 

 

2月7日晚，立昂微發布公告稱，公司控股子公司金瑞泓微電子與康峰投資、柘中股份(002346)、嘉興康晶簽署了《關于國晶(嘉興)半導體有限公司之重組框架協議》。目前國晶半導體由康峰持股14.25%;嘉興康晶持股41.31%;柘中股份持股44.44%。股權重組后，金瑞泓微電子將取得國晶半導體58.69%股權，嘉興康晶持有41.31%股權。柘中股份、政府產業扶持基金及其他股東通過嘉興康晶間接持有國晶半導體股權。這意味著隨著立昂微的子公司金瑞泓微電子將成為國晶半導體第一大股東，立昂微將取得國晶半導體的控制權。立昂微認為此次收購有利于公司擴大現有的集成電路用12英寸硅片的生產規模，提高公司在集成電路用12英寸硅片的市場地位。

 

 

據外媒報道，由于未能與管理層就2021年的工資問題達成協議，全國三星電子工會周末向韓國國家勞資關系委員會提出仲裁申請。工會表示，如果仲裁協議不能在10天內達成，工會將擁有舉行罷工的合法權利，這在該公司53年的歷史中從未出現過。顯然，考慮到供應鏈緊縮已經影響到科技行業，任何工廠停產都將產生重大負面影響。三星子公司WelStory的工會工人也在公司總部前舉行集會，抗議管理層拒絕支付績效獎金。工人們要求管理層分享該公司去年創紀錄的營收，但管理層稱去年6月韓國公平交易委員會(FTC)處以960億韓元（約合8000萬美元）罰款是拒絕的主要原因。

 

 

軟銀集團創始人孫正義表示，他計劃讓Arm在美國進行首次公開募股(IPO)。2月8日，因為監管部門的反對，英偉達(NVDA.US)將放棄從軟銀手中以660億美元收購英國芯片企業ARM，終止了這筆交易芯片行業有史以來規模最大的一筆交易。軟銀現在計劃在2023年3月之前讓Arm上市。孫正義說，Arm很可能會在以科技股為主的美國納斯達克股票市場(Nasdaq Stock Market)上市，因為Arm的許多客戶都在硅谷。值得關注的是，根據協議條款，軟銀將保留英偉達預付的12.5億美元，這筆錢將在第四季度記為利潤，而英偉達將保留其20年的ARM授權。

 

 

日前有消息稱美光將關閉位于上海的 DRAM 內存設計團隊，并給 40 多名核心技術人員提供移民美國的待遇，現在美光方面已經證實停止內存設計團隊。據媒體報道，美光聲明表示， 將在未來一年內關閉公司上海設計中心的 DRAM 工程組，預計這項工作到 2022 年 12 月將會完成。美光補充說，上海設計中心今后將專注于開發 NAND 和 SSD 技術。此前消息稱， 上海的設計中心約有 150 名工程技術人員，其中約有 40 名核心技術人員可選擇移民到印度或者美國辦公。除了該團隊，美光上海研發中心還包括銷售、測試等多個部門。

 

 

據《菏澤日報》近日報道，位于山東省菏澤市開發區的美華5G項目工地，自開工以來，項目建設不斷提速提效。山東美華5G光通信項目由廣東漢瑞通信科技有限公司投資建設，計劃投資9.8億元，用地263畝。項目重點建設第三代半導體光通信激光器封測生產線、5G光通信模塊、智能電器終端生產線、功率器件封裝及模塊生產線共計24條。項目一期建設有4個廠房，目前，1號廠房已經封頂，2、3、4號廠房預計4月底可以封頂，緊接著將進行室內裝修等工作。項目計劃于2024年全部建成投產，該項目計劃2022年5月份試生產，達產后年可實現銷售收入50億元，實現利稅10億元以上，新增就業崗位2000余個。

 

 

東芝在東京發表聲明稱，計劃分拆包括半導體在內的設備業務，讓其上市。東芝放棄了稍早時候作出的剝離基礎設施業務的計劃，該業務將繼續歸東芝所有。東芝表示，分拆為兩家公司的安排將比最初的計劃更節省成本、更順利。東芝表示，存儲芯片業務鎧俠的股票將繼續由公司持有，但公司將尋求“立即”將這些股票變現，并將收益返還給股東。鎧俠一直在尋求進行首次公開招股(IPO)，但有報道稱它也在與西部數據進行合并談判。東芝還將其上市電子設備業務東芝泰格指定為非核心業務，但沒有表示會出售這個部門。東芝將在兩年內把3000億日元(約合26億美元)的過剩資本用于股東回報。另外，東芝還將以大約1000億日元的價格把所持有空調部門東芝開利的55%股份出售給美國合資公司伙伴開利全球公司。

 

 

 

中國電子科技集團第二研究所近日傳來好消息，在SiC激光剝離設備研制方面，取得了突破性進展。目前，科研團隊已掌握激光剝離技術原理與工藝基礎，并利用自主搭建的實驗測試平臺，結合特殊光學設計、光束整形、多因素耦合剝離等核心技術，實現了小尺寸SiC（碳化硅）單晶片的激光剝離。

 

激光垂直改質剝離設備被譽為“第三代半導體中的光刻機”，其創新性地利用光學非線性效應，使激光穿透晶體，在晶體內部發生一系列物理化學反應，最終實現晶片的剝離。這種激光剝離幾乎能避免常規的多線切割技術導致的材料損耗，從而在等量原料的情況下提升SiC襯底產量。此外，激光剝離技術還可應用于器件晶圓的減薄過程，實現被剝離晶片的二次利用。這一研發項目已通過專家論證，正式立項啟動，下一步將依托國家第三代半導體技術創新中心，匯聚科研優勢力量，聚焦激光剝離技術的實用化與工程化，積極推進工藝與設備的協同創新，研發快速生產化、全自動化、低能耗化的激光剝離設備。

 

近期，科學家獲量子領域研究重大突破：首次實現按需讀出量子比特，并將量子態保持超過5秒。量子技術為許多技術應用帶來了希望，比如建立防御黑客的通信網絡，又例如能夠加速發明新藥的量子計算機。量子計算機運行的是能夠存儲量子信息的量子比特。但科學家仍致力于研究如何輕松讀取量子比特中保存的信息，以及增加量子信息的保存時間(即量子比特的相干時間，通常限于微秒或毫秒內)。

 

美國能源部阿貢國家實驗室和芝加哥大學研究人員在此類研究中取得兩項重大突破：他們實現了按需讀出量子比特，將量子態保持超過5秒，創下了最新世界紀錄。此外，研究人員的量子比特由廉價且常用的碳化硅材料制成，這種材料可廣泛應用于燈泡、電動汽車和高壓電子設備中。相關成果近期發表在《科學進展》(Science Advances)上。實驗中使用的芯片由碳化硅材料制成，圖片來自芝加哥大學研究人員為此培養了高度純化的碳化硅樣品，以減少干擾其量子比特功能的背景噪聲。然后通過對量子比特施加一系列微波脈沖，延長量子比特保存信息的時間。延長量子比特相干時間有重要的作用，例如未來量子計算機能處理非常復雜的操作，或者量子傳感器能檢測到極其微小的信號。“這些脈沖通過快速翻轉量子態，將量子比特與噪聲源和誤差解耦，”論文共同第一作者Chris Anderson說，“每一次脈沖就像是在量子比特上按下了撤銷按鈕，消除了脈沖之間可能發生的任何錯誤。”

 

研究人員表示，目前量子態保持超過5秒的紀錄，意味著在量子態被打亂之前可以執行超過1億個量子操作。在這樣的時間尺度上保存量子信息非常罕見。項目首席研究員、阿貢國家實驗室高級科學家David Awschalom說，5秒鐘的時間足以將光速信號發送到月球并返回。即使在繞地球近40圈后，這種光仍能正確反映量子比特的狀態，這為制造分布式量子互聯網鋪平了道路。此次研究將碳化硅帶到了量子通信平臺的最前沿。由于碳化硅廉價且常用，很容易用于多種設備中，因此碳化硅材料有助于擴大量子網絡規模。

 

 

中國科學院蘇州納米技術與納米仿生研究所研究團隊在《ACS Applied Materials & Interfaces》期刊上發表了題為“Long-Range Orbital Hybridization in Remote Epitaxy: The Nucleation Mechanism of GaN on Different Substrates via Single-Layer Graphene”的文章。文章第一作者為博士研究生屈藝譜，合作者為徐俞副研究員、徐科研究員以及蘇州大學曹冰教授。

 

該團隊采用金屬有機物化學氣相沉積法(MOCVD)在兩種覆蓋單層石墨烯（SLG）的極性襯底（Al2O3和AlN）上實現了氮化鎵成核層（GaN NLs）的遠程外延。研究發現，襯底極性對石墨烯上GaN的成核密度，表面覆蓋率和擴散常數起著關鍵作用。考慮到表面覆蓋和襯底污染引起的成核信息差異，通過縮放的成核密度校正了這種誤差，得到了襯底極性和GaN成核密度的對應關系。結晶特性分析表明，襯底和外延層的界面外延關系不受單層石墨烯的影響，與傳統外延的取向關系一致。

 

為了揭示成核信息差異背后的物理機理，通過理論計算作者發現襯底增強了單層石墨烯上的Ga和N原子的吸附能，且極性較強的AlN相比Al2O3的吸附能更大，AlN和吸附原子Ga之間存在更高的差分電荷密度(CDD)。進一步通過分波態密度(PDOS)分析發現，盡管吸附原子Ga和襯底相距4-5埃，Al2O3和AlN中Al-3p和Ga-4p軌道在費米能級附近仍存在軌道雜化。作者認為在遠程外延中，單層石墨烯的存在不影響襯底和吸附原子之間的化學相互作用，這種遠程軌道雜化效應正是在極性襯底上遠程外延GaN NLs的本質。通過導電膠帶可以輕松剝離GaN NLs，而且剝離后的襯底表面沒有機械損傷，有望發展一種高質量襯底的低成本制備技術。該研究工作討論了在石墨烯調控的氮化鎵遠程外延機理，創新性的提出了遠程軌道雜化的概念，充分探討了GaN和襯底之間的界面關系和界面耦合特性，揭示了遠程外延的物理和化學機理，為快速、大面積制備單晶GaN薄膜拓寬了思路。

 

 

近日，鄭州大學物理學院材料物理研究所金剛石光電材料與器件團隊在國際知名物理期刊《Physical Review Letters》上報道了題為“Active Frequency Measurement on Superradiant Strontium Clock Transitions”的理論研究，詮釋了利用鍶87光晶格原子鐘超輻射進行主動頻率測量的物理機制，并提出進一步提高光鐘頻率測量精度的方法。該院青年教師張元副教授為第一作者和通訊作者，丹麥奧胡斯大學KlausM?lmer教授為共同通訊作者，鄭州大學為第一單位。

 

相較微波頻段的原子鐘，光頻原子鐘具有更高的精度和準確度。目前，對光鐘的研究集中在單個囚禁離子或者中性堿土原子系綜體系。前者可通過長時間的測量得到非常高的精度，而后者可通過較大的原子數目提高測量的信噪比。除了量子度量領域外，原子光鐘系統也可用于量子計算、量子模擬和多體自旋物理的研究。原子鐘可通過被動和主動兩種機制進行頻率測量。被動機制通常利用激光對原子進行激發然后探測激發原子的熒光，通過調節激光頻率使其與原子能級躍遷共振來實現對原子鐘頻率測量。主動機制直接將原子的主動輻射信號與參考激光進行對比，進而推測出原子鐘的頻率。

 

在微波頻段，氫微波激射器實現了主動的頻率測量。在可見光波段，2018年M. Norcia人等首次利用光晶格原子鐘系統的超輻射脈沖實現了主動頻率測量[Phys.Rev. X 8, 021036 (2018)]（圖a）。為了對這個實驗涉及的物理有深入的了解并找出優化主動頻率測量精度的方法，我們將腔量子電動力學理論和量子測量理論結合提出了對應的隨機量子主方程，首次利用二階平均場方法對該類方程進行了求解，并對實驗體系進行了模擬和預測。我們的理論研究揭示了具有多躍遷頻率的原子系綜復雜的動力學過程，模擬出與實驗相符的超輻射差拍、功率密度譜（圖b）以及頻率測量精度（圖c）。此外，我們預測通過延長具有類似強度的超輻射脈沖以及減小單次頻率測量所需時間可進一步提高短期的頻率測量精度，使其與當前實驗報道中最好的頻率測量精度相比擬。我們提出的理論不僅可用于研究基于鍶88、鈣等其它堿土原子超輻射的頻率測量，也可用于研究基于穩態超輻射以及超輻射拉曼散射的頻率測量。此外，它也可用于探討復雜物理體系中的量子測量效應，例如測量引起的糾纏和自旋壓縮。

 

 

近日美國商務部公布了自 2021 年 9 月開啟的《半導體供應鏈風險信息請求(RFI)》的調查統計結果。報告涉及超過 150 家公司，包括全球主要的半導體生產商及汽車制造商。報告顯示目前半導體供應鏈非常脆弱，需求持續遠遠超過供應。

 

對于當下半導體行業的供需失衡問題，RFI 解釋為多種因素共同作用導致：在 2020 年之前，對于舊品種芯片的生產投入較低；行業轉向更多半導體密集型產品(例如電動汽車、5G)增加了對芯片的需求；新冠疫情大流行增加了對各種半導體產品的需求；工廠火災、冬季風暴、能源短缺以及新冠停工等事件導致的供應鏈斷裂。

 

半導體行業目前有以下突出問題：2021 年對芯片的需求比2019 年超出 17%，但買家表示并未見供應增長；大多數半導體制造企業的產能利用率都在非常高的 90%以上；目前芯片庫存中位數已經從 2019 年的 40 天降至不到 5 天，在某些關鍵行業更低；成熟制程半導體供應更為短缺，包括傳統邏輯芯片(主要用于汽車、醫療設備等)、模擬芯片(主要用于電源管理、圖像傳感器和射頻)、光電子芯片(主要用于傳感器及開關)。

 

半導體的戰略地位不斷提高：半導體產能的不足引起了世界范圍內對半導體行業的重視，半導體的戰略地位不斷凸顯。美國眾議院通過法案，計劃對半導體產業提供 520 億美元的資金支持；歐盟委員會通過《芯片法案》，計劃投入 430 億歐元以提升歐盟在全球的芯片生產份額；中國“十四五”規劃對半導體產業鏈各個關鍵“卡脖子”環節將重點支持。

 

投資建議：當前半導體供應鏈中以晶圓產能不足問題最為嚴重，雖然全球主要晶圓代工廠均已實施擴建計劃，但是產能放量仍需時間，Trend Force 的預測顯示 8 寸晶圓的缺貨態勢將延續到 2023 年下半年。近期上市公司會陸續披露 2021 年度業績，我們持續看好晶圓代工行業的發展。

 

 

近日，交銀國際發研報指，2022年交銀持續看好功率半導體板塊，原因有三：1）預計2022年半導體產業景氣度優勢顯著；2）從下游來看，功率半導體聚焦汽車和工業級應用，正處于超級成長周期；3）基本面支撐估值，板塊PEG性價比顯著。

 

交銀提出三個不同于市場的觀點：1）當前半導體產業的核心矛盾轉變為國際關系和供應鏈安全，而非全球產業周期性回落的風險。功率半導體由于其產業特點，正成為國產半導體實現自主的突破口。2）市場普遍理解半導體產業轉移是以美國為主導，中國自主成功率不高。交銀認為，中國已經成為全球新能源車以及可再生能源電力最大市場，具備孵化功率半導體國際龍頭的潛力。3）市場一直認為功率半導體龍頭馬太效應明顯。交銀認為，國產功率半導體產業借助與代工廠的快速產能擴張，有望加速追趕。

 

 

2月10日，IC Insights 發布了其對全球半導體行業的全面預測和分析。報告預測，繼 2021 年強勁增長25%和2020年增長11%之后，今年半導體總銷售額將增長 11%。如果這個預測能夠實現，這將標志著半導體市場自1993年至1995年以來首次連續三年年兩位數的增長。IC Insights還預測2021-2026年光、傳感器、分立器件（OSD 器件）的總復合年增長率將保持8.0%的健康增長率，IC總銷售額預計將以略低的6.9%的速度增長。預計主要半導體產品類別的復合年增長率從傳感器/執行器的12.3%到分立器件的3.1%不等。預計邏輯 IC 市場的復合年增長率將在主要IC類別中最為強勁。邏輯 IC 市場近年來表現非常出色，汽車專用邏輯和工業專用邏輯器件成為該領域整體增長的強勁動力。

 

 

阿斯麥首席執行官Peter Wennink周三表示，半導體行業需要大量投資來增加產能，目前還不存在供應過剩的危險。Peter Wennink表示，中國、歐盟、日本、韓國和美國的計劃預計將使芯片行業的資本支出從2021年的1500億美元增加一倍。

 

業內消息人士透露，隨著需求持續超過供應，Wi-Fi核心芯片的供應緊張狀況預計在2022年不會明顯緩解，盡管供應商正在尋求代工合作伙伴的更多產能支持，但交付期將持續維持較長狀態。聯發科指出，Wi-Fi 6/6E核心芯片的需求今年將大幅增長，這得益于此類芯片組在除路由器外的多種智能終端設備（包括筆記本電腦和客戶辦公設備）中的快速整合。瑞昱則指出，到2022年底，僅Wi-Fi 6/6E的滲透率就將飆升至50%以上，其核心芯片供應將持續緊張。

 

 

Counterpoint發布最新報告指，由于5G、物聯網、云計算、高性能計算、汽車芯片和其他領域的需求增加，預計到2030年半導體行業收入將達到1萬億美元左右。隨著技術節點縮小，DUV(深紫外)和EUV(極紫外)光刻系統被廣泛用于硅晶圓制作。ASML憑借對先進EUV技術和基于高價值的服務模式(包括生產力和性能升級)大量投資，有望超越其長期發展預測。

 

 

近日，市場研究公司 Gartner 發布了2021全球芯片買家TOP10報告，報告顯示2021 年 IT 制造商的半導體采購總額為 5834.77 億美元（約 3.71 萬億元人民幣），其中蘋果獨占鰲頭，三星排第二，第三位的公司是聯想，Top10榜單中的中國公司還包括步步高、小米、華為和鴻海。

 

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