第三代半導體因其高熱導率、高擊穿場強、高飽和電子漂移速率、高鍵合能等優點，可以滿足現代電子技術對高溫、高功率、高壓、高頻以及抗輻射等惡劣條件的新要求，目前主要應用于光電、電力電子、微波射頻等領域。其中，碳化硅和氮化鎵技術發展相對成熟，已經開始產業化應用。
據TrendForce集邦咨詢此前報告顯示，受益于新能源汽車、光伏儲能、智能電網、工業自動化等下游應用市場需求的多點爆發，功率半導體市場迎來了此輪高景氣周期。
TrendForce集邦咨詢分析2025年第三代半導體SiC/GaN功率市場規模合計可達47.1億美元，相比2020年7.3億美元，CAGR達45%。
憑借性能優勢與對應用市場的樂觀預測，第三代半導體備受追捧。近期晶方科技、長電科技、東微半導、中瓷電子紛紛加碼第三代半導體。
晶方科技2000萬美元投資GaN器件設計公司VisIC
2月8日，晶方科技發布公告稱，已與以色列VisIC Technologies Ltd.洽談股權合作，并由蘇州晶方貳號集成電路產業基金合伙企業（有限合伙）投資2,000萬美元，持有VisIC公司13.7%的股權。目前投資交割的相關手續已履行完畢。
圖片來源：晶方科技公告截圖
對于此次投資，晶方科技表示，公司依據自身戰略規劃投資VisIC公司，進一步加強股權合作，積極布局前沿半導體技術，并充分利用自身先進封裝方面的產業和技術能力，以期能有效把握三代半導體在新能源汽車領域產業發展機遇。
公開資料顯示，VisIC公司為全球領先的第三代半導體GaN（氮化鎵）器件設計公司，申請布局了D3GaN技術的關鍵專利，在此基礎上成功開發了硅基氮化鎵大功率晶體管和模塊，正在將其推向EV電動汽車市場，產品可廣泛使用于電能轉換、快速充電、射頻和功率器件等應用領域。
公開報道顯示，全球汽車行業供應商采埃孚集團和半導體行業龍頭臺積電均是VisIC公司的合作伙伴。
長電科技已出貨第三代半導體封測產品
2月7日，長電科技在互動平臺表示，目前長電科技在中國廠區已布局絕緣柵雙極晶體管（IGBT）封裝業務，鎖定車用電子和工業領域，同時具備碳化硅（SiC）和氮化鎵（GaN）芯片封裝和測試能力，目前已在太陽能和車用充電樁出貨第三代半導體封測產品。
圖片來源：上證e互動
公開資料顯示，長電科技是全球領先的集成電路制造和技術服務提供商，提供全方位的芯片成品制造一站式服務，包括集成電路的系統集成、設計仿真、技術開發、產品認證、晶圓中測、晶圓級中道封裝測試、系統級封裝測試、芯片成品測試等。
此外值得一提的是，長電科技1月24日公布了2021年業績預告，預估去年歸屬于上市公司股東凈利潤為28億-30.8億元，較2020年成長114.72%-136.2%。
東微半導布局IGBT和SiC器件
2月8日，東微半導日前發布了首次公開發行股票并在科創板上市發行結果公告。
圖片來源：東微半導公告截圖
其招股書顯示，東微半導本次IPO募投項目包括：超級結與屏蔽柵功率器件產品升級及產業化項目、新結構功率器件研發及產業化項目、研發工程中心建設項目、科技與發展儲備資金。
其中，超級結與屏蔽柵功率器件產品升級及產業化項目基于公司深槽超級結技術以及屏蔽柵技術的豐富積累，對高壓超級結MOSFET產品及中低壓屏蔽柵MOSFET產品的設計及工藝技術等方面進行改進和提升。
新結構功率器件研發及產業化項目依托公司在功率器件領域多年的研發及技術積累，擬在未來三年陸續推出下一代高速IGBT和超級硅MOSFET以及新一代高速大電流功率器件產品。
研發工程中心建設項目則在SiC器件、新型硅基高壓功率器件方向進行布局，此項目于2021年7月立項。
中瓷電子并購中電科十三所氮化鎵芯片業務
近期，中瓷電子發布公告，擬向中國電科十三所發行股份購買其持有的氮化鎵通信基站射頻芯片業務資產及負債，以及中國電科十三所等股東持有的博威公司和國聯萬眾的部分股權或全部股權。
圖片來源：中瓷電子公告截圖
公開資料顯示，中國電科十三所氮化鎵通信基站射頻芯片業務主要產品為氮化鎵射頻芯片，頻率覆蓋無線通信主要頻段，芯片指標達到國內領先水平，是國內少數實現批量供貨主體之一；博威公司主要產品包括氮化鎵通信基站射頻芯片與器件、微波點對點通信射頻芯片與器件等；國聯萬眾主要產品包括氮化鎵通信基站射頻芯片、碳化硅功率芯片等。
