近期，隨著眾多車企紛紛宣布推出800V高壓快充車型，碳化硅的熱度再次升溫。800V架構對碳化硅的應用究竟會帶來哪些助力？碳化硅器件在新能源汽車中的應用趨勢又是怎樣的？
1月18日，某半導體協(xié)會資深產(chǎn)業(yè)分析師對碳化硅領域政策進行了解讀，并對行業(yè)趨勢和未來發(fā)展方向進行了專業(yè)分析。專家表示，第三代半導體的戰(zhàn)略地位顯著，是推動新基建和實現(xiàn)“雙碳”目標的關鍵；伴隨新能源汽車對提升充電效率的旺盛需求，以及800V電壓平臺的批量應用，具有高耐壓和低損耗特點的碳化硅器件將加速滲透。
政策持續(xù)扶持第三代半導體 助力新基建和“雙碳”目標達成
按歷史發(fā)展進程，半導體襯底材料可為三個代際。第一代半導體材料以硅為代表，因制備工藝成熟、自然界儲備量大，目前使用仍最為廣泛。而在功率器件領域，傳統(tǒng)硅基材料逐漸接近物理極限，以碳化硅為代表的第三代半導體逐漸嶄露頭角。
隨著我國對新型基礎建設的布局展開和“雙碳”目標的提出，碳化硅和氮化稼等第三代半導體的作用也愈發(fā)凸顯。
“以碳化硅和氮化鎵等第三代半導體材料為基礎制備的電力電子器件，是新基建的關鍵性核心器件，如使用半絕緣型碳化硅襯底制作的氮化鎵射頻器件，是5G基站的核心裝備之一；而在特高壓輸電、軌道交通、新能源汽車、大數(shù)據(jù)中心等領域，碳化硅基的肖特基二極管和MOSFET，同樣發(fā)揮重要作用，”專家介紹稱，“同時，第三代半導體對于建成可循環(huán)、高效、高可靠性的能源網(wǎng)絡意義重大，可以助力實現(xiàn)光伏、風電、直流特高壓輸電、新能源汽車、工業(yè)電源、機車牽引、消費電源等領域電能的高效轉換，推動能源綠色低碳發(fā)展。”
政策方面，國家重點研發(fā)計劃也在持續(xù)支持第三代半導體產(chǎn)業(yè)的發(fā)展。“十三五”期間，國家重點研發(fā)計劃項目部署涵蓋了電力電子、微波射頻和光電子三個大方向，緊貼產(chǎn)業(yè)發(fā)展實際需求和進程，對新能源汽車應用、電網(wǎng)應用等多個領域發(fā)揮了引導作用。在2020年科技部發(fā)布的年度重點研發(fā)計劃部署安排中，包括“功率碳化硅芯片和器件在移動儲能裝置中的應用”，“新一代碳化硅電力電子器件共性技術標準研究”等多個立項項目均與第三代半導體相關。
“隨著碳化硅等寬禁帶半導體的發(fā)展被寫入‘十四五’規(guī)劃和2035遠景目標綱要，我們預計在‘十四五’規(guī)劃期間，各個地方政府也會相繼出臺相關鼓勵政策，在教育、科研、開發(fā)、融資、應用等各個方面，大力支持發(fā)展第三代半導體產(chǎn)業(yè)，以實現(xiàn)產(chǎn)業(yè)的獨立自主。”該專家表示。
新能源汽車為最佳應用場景 800V架構將加速碳化硅滲透
目前主要的第三代半導體器件包括應用于射頻領域的氮化稼器件、應用于電力電子功率領域的碳化硅器件等，其中又以碳化硅功率器件的未來空間最廣。2018年，隨著特斯拉在其Model 3車型中對碳化硅器件的成功應用，示范效應迅速放大，使得新能源汽車市場很快成為碳化硅興起的源泉，相關市場的產(chǎn)值快速崛起。根據(jù)第三方市調(diào)機構TrendForce集邦咨詢數(shù)據(jù)，2020年碳化硅功率器件的市場規(guī)模約為6.7億美元，預計2025年將達到33.9億美元，年復合增長率為38%。
新能源汽車系統(tǒng)架構中涉及的功率半導體組件主要包括電驅動系統(tǒng)、車載充電系統(tǒng)（OBC）、電源轉換系統(tǒng)（DC/DC）以及非車載的充電樁。在這些領域，碳化硅器件可以承受更高電壓、提升充電速度和電能轉換效率，從而增加電動汽車的續(xù)航里程。
“比如在電驅動系統(tǒng)中，傳統(tǒng)的方式是采用硅基的IGBT，而碳化硅器件可以有效降低10%的能量損耗，同時減少80%的體積，有助于新能源汽車的輕量化和車內(nèi)的布局。”專家解釋稱。
當下，續(xù)航里程和充電速度仍是制約新能源汽車普及的較大短板。目前車企的解決方案有兩種，一是提升電池容量，另一個是提高充電效率。
“提升電池容量是能夠緩解里程焦慮的，但電池是電動汽車價值量最高的部件，電池容量的提升勢必會導致邊際成本和整車重量增加，消費者的購車成本及后續(xù)使用中的整車功耗會隨之增加，因而這個方案并不是非常完美。”專家表示，對于提升充電效率而言，可以通過提升電流或者電壓的方式，但電流提升會導致電氣系統(tǒng)發(fā)熱加劇，從而對電動車散熱提出更高要求，所以高壓快充成為目前業(yè)內(nèi)的最優(yōu)解。
2019年，保時捷在全球首次推出800V的高壓電氣架構，搭載800V直流快充系統(tǒng)，支持350千瓦大功率快充。2021年之后，高壓快充路線受到了越來越多主機廠的青睞，韓國現(xiàn)代、起亞等國際巨頭先后發(fā)布了800V平臺，國內(nèi)比亞迪、長城、廣汽、小鵬、東風等主機廠也相繼跟進。
“目前電動車的電壓水平普遍在200~400V，如果提升到800V，意味著電動車所有的高壓元器件以及管理系統(tǒng)都要提高標準，”該專家表示，“傳統(tǒng)硅基的IGBT通常適應的高壓平臺在600~700V左右，如果母線電壓提升到800V，對應的功率器件耐壓需要提高到1200V，所以在高壓條件下，碳化硅會成為必然選擇，而隨著各大廠商相繼推出800V的高壓平臺，碳化硅的產(chǎn)業(yè)化發(fā)展勢必將得到很大的推動。”
襯底產(chǎn)能仍是制約瓶頸 爆發(fā)時點或在2023-2025年
上有支持政策，下有旺盛需求，然而整個碳化硅產(chǎn)業(yè)的發(fā)展目前仍處于起步階段，那么制約其爆發(fā)的瓶頸何在？該專家認為，主要原因在于碳化硅尤其是襯底環(huán)節(jié)的技術壁壘較高，產(chǎn)能釋放有待時間。
“從成本拆分角度來講，碳化硅襯底成本約占到器件總成本的50%左右，襯底制備對技術要求比較高，行業(yè)準入門檻也高。”上述專家表示，晶體生長速度慢、生長過程難控、材料硬度高等原因，導致目前碳化硅襯底的制備良率和成本，相較于硅仍有不小的差距。
“以長晶速度為例，目前大部分廠商采用的都是氣相傳輸（PVT）法，一周左右晶體只能生長大約兩厘米的厚度，相比來說，硅棒2~3天就可以達到兩米左右。所以碳化硅的生長速度比較緩慢，時間成本就比較高。”專家說道。
盡管Wolfspeed、II-VI等海外龍頭擴產(chǎn)積極，國內(nèi)也有許多碳化硅項目上馬，專家認為，短期內(nèi)制約第三代半導體快速應用的瓶頸仍將是襯底的產(chǎn)能不足。
“目前全球碳化硅的產(chǎn)能還遠遠不夠，可能僅夠特斯拉一家車企采用。盡管有許多公司在積極擴產(chǎn)，但產(chǎn)能釋放還需要一定時間，”該專家表示，“個人預計大規(guī)模的爆發(fā)可能在2023年到2025年這個時間段，屆時在高壓平臺領域會有更多玩家進入，碳化硅的產(chǎn)能也相應開出，所以可能會迎來爆發(fā)。”（來源：財聯(lián)社）
