1. 中國5年計劃讓芯片基礎材料站穩腳跟
中國最高行業監管機構將重要的半導體基礎材料碳化硅（SiC）納入工業技術創新發展五年計劃。
專家表示，此舉是工業和信息化部引導碳基材料發展以支持芯片創新和發展的更廣泛努力的一部分。
專家表示，碳基材料可以很好地替代硅基半導體材料，它們是中國旨在實現突破的第三代半導體技術的重要組成部分。
工信部表示，將碳基材料列入原材料產業發展“十四五”規劃（2021-25），將碳化硅和碳基復合材料列入“十四五”產業技術創新發展規劃。更大的目標是支持行業攻克技術壁壘，提升產品質量，推動產業鏈現代化。
東興證券在一份研究報告中表示，在大量自然儲量中發現的硅已成為制造芯片和設備的最重要原材料。90%以上的半導體產品都是用硅作為基板。
但受限于材料本身的特性，硅基功率器件逐漸無法滿足5G、新能源汽車、高鐵等新興應用對大功率高頻器件的需求。
因此，碳化硅有望部分替代硅，成為制備高壓高頻器件的新型襯底材料，東興證券表示。
隨著中國在“后摩爾時代”尋求第三代芯片的突破，碳化硅是第三代半導體技術的重要材料。1975 年，英特爾聯合創始人戈登摩爾制定了一個規則，即硅芯片上的晶體管數量大約每兩年翻一番。但快速的技術進步可能會使該規則在未來過時。
5 月，劉鶴副總理出席的政府會議討論了后摩爾時代集成電路或 IC 的潛在顛覆性技術。
粵凱證券在研報中表示，第三代半導體技術顯然是重要的發展方向，其下游應用主要集中在5G基站、新能源充電樁、城際高鐵等領域。
第三代半導體技術為中國芯片制造商追趕外國同行提供了良機。粵凱證券補充說，第三代半導體產品主要采用成熟的制造和加工技術，與傳統的硅基半導體技術相比，國內制造商面臨的障礙較少。
電信行業協會信息消費聯盟理事長項立剛表示：“第三代半導體技術應用的主戰場在中國，但國內企業要解決一個字符串問題還需要很長時間。在廣泛普及這些技術之前面臨的挑戰。”
2. 碳化硅SiC功率器件市場規模未來3年迅猛擴張
近日，第十六屆“中國芯”集成電路產業促進大會在珠海展開。三安光電(600703)副總經理陳東坡在大會上表示，預計在2023-2024年，碳化硅器件在長續航里程的電動車車型的滲透率會到80%—90%。再往后的未來也會在低續航里程的車型中逐步滲透。預計2024年之后，400至500公里續航的電動車碳化硅器件的滲透率會到40%左右。至于400公里續航以下的車型碳化硅器件的滲透率不會太高，2025年之后會達到10%左右。
功率模塊決定了新能源車的電渠系統的性能和整車的能源效率，是電動車除成本外第二高的元件，當前功率模塊的主流是硅基IGBT。而新能源汽車的高電壓、輕量化、高效率需求呼喚性能更高的半導體器件。
作為第三代半導體材料的典型代表，碳化硅(SiC)具有寬的禁帶寬度，高的擊穿電場、高的熱導率、高的電子飽和速率及更高的抗輻射能力，是高溫、高頻、大功率應用場合下極為理想的半導體材料。
當前SiC器件的生產工藝和技術日趨成熟，成為了替代IGBT的不二選擇。另外，SiC還可以使模塊和周邊元器件小型化，推動汽車輕量應用，在提升續航里程、縮短充電時間、降低整體成本方面，SiC也起著重要作用。但目前SiC所面臨的最主要問題是成本太高，較IGBT沒有性價比。據了解，目前SiC功率器件的成本約為Si基IGBT的3-5倍。
有分析認為，隨著SiC的規模應用，未來SiC成本有望下降至硅基IGBT的2倍左右。
據了解，特斯拉的Model3和ModelY已經全面升級到SiC的主驅逆變器，明年有望實現所有車型全面應用。在此方面，國內外其它車企例如豐田、比亞迪、蔚來、等都陸續宣布采用碳化硅方案。其中比亞迪漢EV車型上已開始使用自主研發的SicMOSFET(碳化硅功率場效應晶體管)。
除了車企外，華為也在大力布局碳化硅。華為已經入股多家相關公司，包括山東天岳、瀚天天成、天域半導體等碳化硅技術廠商。
據媒體報道，日本企業也在紛紛加碼SiC，東芝計劃2023年將日本兵庫縣SiC工廠產量提高到2020年的3倍以上，并盡快提高到10倍，計劃2030年獲得全球10%以上的份額；羅姆計劃2025年之前將SiC功率半導體的產能擴大到5倍以上，吉利汽車的純電動車已決定采用羅姆的產品；富士電機也在考慮將SiC產品的投產時間比原計劃(2025年)提前半年至一年。另外在今年11月安森美也收購了GTAT，主要用于保證未來SiC晶圓供應。
國內廠商SiC方面也不甘示弱，華潤微于12月17日發布自主研發量產的1200VSiCMOSFET產品，可應用于新能源汽車OBC、充電樁等場景；三安光電是國內首家完成SiCMOSFET器件量產平臺打造的廠商，目前正加快SiC垂直產業鏈布局；斯達半導的SiC模塊已獲得多個800V平臺電機控制器新定點；欣銳科技是國內高壓車載電控系統龍頭，全系產品采用SiC功率器件，并擁有大量相關技術儲備。
目前SiC主要應用在電動車的主驅逆變器、車載充電器、車外充電器，等裝置。
國內某證券曾對SiC的市場空間進行測算：
純電動汽車:8寸晶圓可以滿足13輛車的SiC需求;6寸晶圓可以滿足7輛車的SiC需求
假設良率為50%，BEV各部件需要的SiC晶圓面積：逆變器=10平方厘米；OBC=1.8平方厘米；DC/DC=0.9平方厘米，
8英寸=324.29平方厘米，那么1張8寸晶圓可以滿足13輛車的SiC需求。6英寸=176.7平方厘米,那么1張6寸晶圓可以滿足7輛車的SiC需求。
油電混合車:8寸晶圓可以滿足17輛車的SiC需求;6寸晶圓可以滿足9輛車的SiC需求
假設良率為50%，BEV各部件需要的SiC晶圓面積：逆變器=8平方厘米；OBC=0.9平方厘米；DC/DC=0.5平方厘米，
8英寸=324.29平方厘米，那么1張8寸晶圓可以滿足17輛車的SiC需求。6英寸=176.7平方厘米,那么1張6寸晶圓可以滿足9輛車的SiC需求。
我國新能源汽車銷量測算(萬輛)
純電動汽車占新能源汽車比重為81%，以此數據假設，我國2021-2025年新能源汽車相關8英寸SiC晶圓需求為25.4萬片、32.6萬片、41.9萬片、53.9萬片、69.2萬片，6英寸SiC晶圓需求我國為45.1萬片、58.0萬片、74.5萬片、95.8萬片、123.1萬片。
新能源車銷量持續超預期使得SiC MOSFET有望成為最暢銷的功率器件，IHS報告顯示，2027年SiC功率器件的市場規模有望突破100億美元，并保持較快增速。另外，據研調機構DIGITIMESResearch預估，2025年SiC在電動車應用的市場規模可至6.5億美元，2021-2025年，年復合增長率25-30%。
天風證券認為，SiC功率元件有極佳的內在特質：高效率，降低能量損耗；高轉換頻率，增加能量強度；可在更高的溫度下運行，提升長期可靠性。SiC MOSFET相較于傳統的Si-IGBT體積縮小了50%，效率提升了2%，器件的使用壽命得到延長。SiC有助于降低電動車用戶的使用成本：提升效率以達到節電目的，在相同輸出功率下可增加續航里程、提升充電速度，解決新能源汽車痛點。新能源汽車變革下，SiC供不應求，未來有望維持高景氣。
