12月24日，有投資者向國星光電（002449）提問， 請問公司的分立器件應用于新能源汽車嘛？
公司回答表示，您好，公司第三代半導體新產品GaN-DFN器件可應用于新能源汽車充電、手機快充等。
12月8日，國星光電(002449.SZ)在投資者互動平臺表示，國星光電第三代半導體產品預計年底前實現小批量產；國星光電推出的SiC功率器件、功率模塊和GaN-DFN器件3大系列第三代半導體新產品，SiC功率器件可廣泛應用于大功率電源、充電樁等工業領域；GaN-DFN器件可廣泛應用于新能源汽車充電、手機快充等；功率模塊可廣泛應用于各種變頻器、逆變器的工業領域。
同時，其補充到，國星光電產品能達到歐洲CE認證標準。
而針對于是否涉及智能傳感器方面產品這一問題，國星光電表示，國星光電推出基于傳感技術的新品——智能健康感測器件，可廣泛應用于智能手表、智能手環、VR等設備場景，該智能健康感測器件已實現量產，并積極與國內外品牌廠商聯手合作，共同發力可穿戴設備領域。
國星光電推出第三代半導體系列新產品
國星光電推出第三代半導體系列新產品
目前，國星光電在第三代半導體領域已經形成了3大產品系列，包括：SiC功率器件、GaN-DFN器件、功率模塊。國星光電打造高可靠性、高品質的功率器件封測企業，堅定高性能、高可靠性、高品質的產品路線。
●SiC功率器件
國星光電SiC功率器件小而輕便，反向恢復快、抗浪涌能力強、雪崩耐壓高，擁有優越的性能與極高的工作效率。目前該領域已形成了2條SiC功率器件拳頭產品線：SiC-MOSFET、SiC-SBD；擁有4種封裝結構（TO-247、TO-220、TO-263、TO-252）；可廣泛應用于大功率電源、充電樁等工業領域。
●GaN-DFN器件
國星光電的GaN-DFN器件具有更高的臨界電場、出色導通電阻、更低的電容等優勢，使其尤適用于功率半導體器件，降低節能和系統總成本的同時，工作頻率更高，具有極高的功率密度和系統效率，可極大地提升充電器、開關電源等應用的充電效率，廣泛應用于新能源汽車充電、手機快充等。
●功率模塊
國星光電第三代半導體功率模塊，采用自主創新的架構及雙面高效散熱設計，具有優越的電性能和熱性能，雜散電感低、轉換效率高、輕載損耗小等優勢，其功率密度大，產品體型小，可廣泛應用于各種變頻器、逆變器的工業領域，滿足系統開發人員對空間的嚴格要求。模塊產品可根據特殊功能需求進行模塊化定制開發。
為做好技術儲備積累，滿足市場需求，2020年國星光電便啟動了組建功率器件實驗室及功率器件產線的工作。目前，國星光電第三代半導體新品已正式推出，其中，TO-220/TO247系列的SIC-MOSFET和SIC-SBD產品已經進入了試產階段，并且在樣品階段完成了AEC-Q101車規級標準的摸底測試驗證工作。TO-247-3L的性能達到1200V、40A、80mΩ，TO-220-3L達到1200V、13A、160mΩ。
與此同時，公司產品已送至第三方有資質的機構，正在依據AEC-Q101、JESD22、MILSTD-750等有關車規級和工業級標準進行認證測試。
未來，在國家“十四五”規劃的偉大藍圖下，國星光電定將持續加大第三代半導體的研究開發和技術成果轉化，為國家戰略安全、為第三代半導體國產化貢獻力量。
