氮化鋁（AlN）是超寬禁帶半導(dǎo)體材料的典型代表，具有寬帶隙、高激子結(jié)合能、高熔點(diǎn)、高臨界擊穿場(chǎng)強(qiáng)、高硬度、高熱導(dǎo)率、高溫?zé)岱€(wěn)定性和耐化學(xué)腐蝕等優(yōu)異特性，是制作紫外光電器件以及大功率、高頻電子器件的理想材料，現(xiàn)已被國(guó)家列為“戰(zhàn)略性先進(jìn)電子材料”。

近日，第七屆國(guó)際第三代半導(dǎo)體論壇暨第十八屆中國(guó)國(guó)際半導(dǎo)體照明論壇（IFWS & SSLCHINA 2021）在深圳會(huì)展中心舉行。期間，“氮化物半導(dǎo)體襯底與外延技術(shù)“分論壇上，深圳大學(xué)物理與光電工程學(xué)院副院長(zhǎng)、教授武紅磊做了題為“氮化鋁晶體PVT生長(zhǎng)裝置及技術(shù)研究”的主題報(bào)告，分享了最新研究進(jìn)展。

 

報(bào)告主要開展氮化鋁晶體物理氣相傳輸法（PVT）制備裝置及技術(shù)研究，包括：研究氮化鋁晶體的PVT生長(zhǎng)習(xí)性及對(duì)制備裝置的特殊要求，以及達(dá)到這些特殊要求的途徑和方法；通過(guò)自行設(shè)計(jì)的裝置，探索大尺寸氮化鋁單晶的生長(zhǎng)技術(shù)；對(duì)不同顏色晶體進(jìn)行分析，研究氮化鋁晶體呈現(xiàn)有色的原因，探索本征缺陷、雜質(zhì)等的影響，并通過(guò)工藝優(yōu)化，實(shí)現(xiàn)無(wú)色英寸級(jí)氮化鋁單晶制備。

 

武紅磊博士，深圳大學(xué)物理與光電工程學(xué)院副院長(zhǎng)，光電子器件與系統(tǒng)教育部重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室（深圳大學(xué)）副主任，深圳大學(xué)優(yōu)秀學(xué)者，廣東省重大科技項(xiàng)目首席科學(xué)家。自2004年起一直從事超寬禁帶半導(dǎo)體材料-氮化鋁晶體的制備及相關(guān)器件研究。主持、參與973項(xiàng)目、國(guó)家自然科學(xué)基金重點(diǎn)項(xiàng)目等國(guó)家級(jí)項(xiàng)目6項(xiàng)、廣東省重點(diǎn)領(lǐng)域重大科技專項(xiàng)1項(xiàng)及深圳市項(xiàng)目8項(xiàng)；在ACS Photonics、Advanced Materials等國(guó)內(nèi)外知名學(xué)術(shù)期刊等發(fā)表學(xué)術(shù)論文40余篇；申請(qǐng)專利30余項(xiàng)，授權(quán)21項(xiàng)，編寫氮化鋁晶體研究英文專著一本；設(shè)計(jì)了國(guó)內(nèi)首臺(tái)氮化鋁晶體的專用生長(zhǎng)裝置，并逐步完善實(shí)現(xiàn)生長(zhǎng)裝置的定型；深入研究晶體生長(zhǎng)，實(shí)現(xiàn)英寸級(jí)、無(wú)色氮化鋁晶體的可靠制備，并形成了具有知識(shí)產(chǎn)權(quán)保護(hù)的生長(zhǎng)技術(shù)體系。

 

（內(nèi)容根據(jù)現(xiàn)場(chǎng)資料整理，如有出入敬請(qǐng)諒解）