此次參與的機構有產業投資方芯朋微、活水資本、萬聯廣生、政府產業基金及勢能資本等，老股東毅達資本、浦高產投持續加持，勢能資本連續擔任獨家財務顧問。本輪融資將助力華瑞微積極推進功率器件國產化之路，加大在IGBT、SiC功率器件等方面的研發力度，加快提升產能，實現進一步發展。

 

華瑞微董事長&CEO劉海波表示，半導體行業是典型的硬科技行業，全球各個芯片公司都有多年的積累，也匯集了優秀的工程技術類人才，因此我個人認為彎道超車基本上不可能，這個領域只能是腳踏實地追趕，然后才有可能超越。具體到功率器件這個細分領域，不追求小線寬制程，強依賴特色工藝，因此集設計、研發、制造一體的模式最適合這類產品。大浪淘沙，唯有堅持方得始終，華瑞微是一個不追求短期利潤的公司，我們會在長期正確的道路上持續努力，耐住寂寞，也期望為中國的半導體行業貢獻自己的力量。同時，也很感謝勢能資本的一路同行。

 

勢能資本合伙人熊久陽表示，很感謝華瑞微，讓我們深度見證了企業這小兩年的快速發展，且有幸參與到企業的未來。IDM是功率半導體的終極模式，機遇和挑戰都是市場的聲音，劉總團隊的決心、豐富的經驗和強執行力是最扎實的回應。新能源及電動化等趨勢正快速的給應用端帶來新場景，身處這種百年來最深刻的變革，我們需要的是仰望星空、腳踏實地。

 

華瑞微創建于2018年5月，是一家專注于功率器件產品的高新技術企業、國家級專精特新“小巨人”企業，致力于提升我國中高端功率器件研發與制造的核心競爭力。核心團隊均具有15年以上的行業相關經驗，曾就職于英飛凌、華潤微、紫光微電子等行業頭部企業，在特色工藝方面有深厚積累。已形成豐富的高端功率器件產品矩陣，與多家上市公司和頭部企業形成穩定的合作關系，終端客戶包括小米、飛毛腿、美的、長虹等知名品牌。在研發方面，團隊里有國內首批開展功率器件研發和量產工作的技術骨干，專注于高端功率器件的研發。華瑞微一期建設的6英寸晶圓廠，得益于核心團隊豐富的產線建設經驗，僅用一年時間便達到了投產狀態，是國內建設速度最快的晶圓廠之一。相比于半導體純設計公司，自有晶圓廠模式可以縮短產品研發周期、提升客戶響應速度、降低成本，同時也有利于開發特色工藝，提升產品附加值，并且在產能緊缺的市場環境下保障芯片的供應。未來，華瑞微將持續釋放產能，為我國的功率半導體產業貢獻自己的力量。

 

 

功率半導體是電能轉換與電路控制的核心，消費電子、新能源汽車、工業智能等下游應用需求的持續旺盛，推動功率半導體市場規模的穩健增長。根據IHS的數據顯示，2020年全球功率半導體市場規模達143億美元；Yole 預測2025年市場規模預計為225億美元。

 

消費電子快充方案：快充技術即通過提高電壓來達到高電流高功率，為保證整體穩定性，需要加入同步整流的MOSFET器件進行降壓。目前快充技術已經覆蓋智能手機、平板電腦、筆記本電腦、顯示器、新能源汽車、電動工具、IoT設備七大市場。預計2022年快充整體滲透率將達到21%，快速充電器市場規模將達到27.43億美元。隨著快充滲透率的持續提高，超結MOS等功率器件需求用量將進一步提升。

 

新能源汽車及充電樁：功率半導體顯著受益于汽車電動化趨勢。新能源汽車中用于電能轉換的功率半導體用量顯著提升，單車價值量達到387美元，相比傳統內燃汽車價值量提高了近5.5倍。IGBT及MOSFET為新能源汽車上主要應用的功率器件。IGBT能夠耐高壓、高頻，在新能源汽車的應用以高壓電能變換為主，也是直流充電樁的核心功率器件；高壓MOSFET等開關器件是車載充電器(OBC)中DC-DC轉換模塊的核心功率器件，低壓MOSFET則廣泛應用于汽車上的各類低壓用電器，在高端車型用量可達400個。未來隨著新能源汽車的進一步滲透，車用MOSFET&IGBT市場空間有望超300億元。充電樁也是功率器件的重要增長點，MOSFET是實現電能高效率轉換、確保充電樁穩定不過熱的關鍵器件，隨著充電樁加速建設，對MOSFET的需求也將進一步提升。

 

工業自動化：《中國制造2025》和工業4.0的不斷推進，為工業功率半導體帶來持續的增長動能。功率半導體在工業領域主要發揮著控制電壓、電流和變頻的作用，隨著中國制造業的智能化和自動化，工業的生產制造、物流等流程改造對電機需求不斷擴大，工業功率半導體作為功率半導體應用的基本盤，市場需求穩步增長。

 

變頻家電：未來持續穩定的更新需求成為提升變頻家電銷量的重要驅動力量。變頻家電給IGBT、MOSFET提供穩定的市場需求。據英飛凌數據顯示，變頻家電單機功率半導體價值可達9.5歐元，相比非變頻家電增長近13倍。受益家電變頻化需求推動，全球家電相關功率半導體規模有望從2017年的26.45億歐元增長至2022年的57.7億歐元，年均復合增速達17%。

 

 

我國是全球最大的功率半導體消費國，占據全球約35%的功率半導體市場，2020年達到千億人民幣，規模增速快于全球。但我國功率半導體器件自給率較低，在器件的生產制造端存在較大供給缺口。

 

當前，由于下游應用的快速增長以及制造業在全球后疫情時代的復蘇，半導體處在長期短缺的狀態，對下游各類終端產品的產能造成了一定影響，IDM模式廠商產能普遍吃緊，安森美、英飛凌、意法半導體等出貨排期通常在12個月以上，預計產能緊張的情況將持續到2023年中期。

 

在此期間，Fabless模式運行的中小型功率半導體廠商的盈利空間將會受到產能限制。華瑞微前瞻性地布局6英寸晶圓廠的建設，有效填補半導體市場供給缺口。該晶圓廠預計于今年12月正式投產，初期產能已基本被大客戶預定，未來的經營確定性極高。

 

 

除了整體供給短缺以外，MOSFET、IGBT等產品具有較高技術門檻，目前市場主要被英飛凌、安森美、意法半導體、東芝等國際企業所主導，我國中高端功率MOS和IGBT自給率不足10%，全球產能吃緊的市場行情促進了功率器件供應鏈向國內遷移，國產替代空間廣闊。

 

華瑞微目前在高壓VDMOS、低壓Trench MOS、超結MOS、SGT MOS等高端技術路線上已經具有上千種產品，覆蓋低、中、高壓范圍，滿足各領域需求，采用非尺寸依賴的特色工藝，能夠快速開發適應于不同應用場景的定制化產品，同時在IGBT和第三代化合物半導體SiC功率器件方面也進行著積極的研發工作，預計未來產品將實現消費級、工業級、車規級的全面覆蓋，滿足各行各業客戶的多元需求，在新型以及高端半導體功率器件的國產替代進程中發揮重要作用。