據(jù)無錫高新區(qū)消息，儀式上，吳越半導體展出了全球范圍內(nèi)首次厚度突破 1 厘米的氮化鎵晶體，并與君聯(lián)資本、新投集團簽署 A 輪融資戰(zhàn)略框架協(xié)議。

 

 

 

圖片來源：無錫高新區(qū)在線

 

無錫吳越半導體有限公司成立于 2019 年，是無錫先導集成電路裝備材料產(chǎn)業(yè)園首個落戶的項目，公司專注于氮化鎵自支撐襯底的開發(fā)、生產(chǎn)和銷售。

 

2020 年 2 月，吳越半導體、先導集團與高新區(qū)管委會簽訂合作協(xié)議，在無錫高新區(qū)實施 2-6 英寸氮化鎵自支撐單晶襯底產(chǎn)業(yè)化項目，項目總投資37億，主要進行2-6英寸氮化鎵自支撐單晶襯底及GaN-On-GaN功率芯片、射頻芯片的研發(fā)和生產(chǎn)。項目建成投產(chǎn)后，可填補無錫市在第三代化合物半導體氮化鎵原材料領(lǐng)域的空白。

 

全部建成投產(chǎn)后，能夠打通從材料到芯片到器件的整個產(chǎn)業(yè)鏈，創(chuàng)造年30億元的銷售額。