期間，由北京一徑科技有限公司、廣東芯聚能半導體有限公司、廣東晶科電子股份有限公司、上海瞻芯電子科技有限公司協辦支持的”車用半導體創新合作峰會“如期舉行。

 

全球SiC在過去兩年發生了很多事情，其中，特斯拉開始引入SiC MOSEFT到主驅上并迅速量產，并被市場廣泛接受，客戶反應良好；國產新能源車開始引入SiCMOSFET 到主驅上，反應良好；SiC襯底開始降價；SiC市場從以二極管為主逐漸過渡到以MOSFET為主（國際市場）。國際領先大廠采取不同的發展策略，Cree供應全球大多數的的SiC襯底，其垂直整合，控制襯底價格及產品開發，過度到8吋的時間以到達器件級別的價格競爭力。羅姆采用垂直整合，向8吋過度，追求性價比，2009收購SiCrystal；英飛凌采用IGBT 12“ 和SiC雙輪發展，封裝有規模價格優勢，2018年收購Siltectra。博世專注于SIC器件的研發生產，已經在BYD漢上得到批量應用。

會上，廣東芯聚能半導體有限公司總裁周曉陽做了題為“碳化硅應用于新能源汽車電機電控系統的挑戰與優化思路”的主題報告。

 

SiC可實現更有效的電驅控制，提高續航里程，減少電池消耗；可提供速度更快，容量更高的車載充電方案；可實現更高電壓，從而提升充電速度。當前整車廠及Tier1不斷引入SiC。

報告結合SiC芯片的優勢、SiC的封裝趨勢、SiC器件在新能源汽車上的應用趨勢，分享了SiC模塊封裝設計需求、SiC模塊封裝工藝的進階、SiC模塊封裝結構的進階、SiC模塊封裝可靠性、SiC模塊在電驅上的應用等最新發展趨勢。

 

當前，SiC功率器件向著更高的功率、更高的運行節溫、更小的體積、更低的雜散電感、更低的損耗、更低的熱阻、更苛刻的成本要求、更好的可靠性等方向發展。SiC模塊封裝設計需求方面，結合碳化硅芯片的本身特性以及市場對碳化硅器件性能的需求，新型碳化硅模塊的進一步創新一定是在更高的性能，更小的尺寸和更性價比的成本為主要指標進行開發。

 

SiC模塊封裝工藝方面，目前功率器件壽命可靠性薄弱點主要是鋁線鍵合工藝，隨著碳化硅的器件逐漸推廣，新型鍵合工藝也逐漸推廣。SiC模塊封裝結構方面，正向著優化電路結構，實現低雜散電感封裝，降低峰值電壓，保護器件，降低損耗，實現高性能高可靠性封裝的方向進階。

 

報告指出，相比于傳統功率器件，SiC器件在測試和應用時需要關注以下幾點：一是大功率模塊采用多芯片并聯；相比IGBT，SiC MOSFET的器件電氣參數具有更大分散性，在模塊并聯配置時需要更準確的分組設置和測試方法；二是柵極開啟電壓Vth需要通過預測試實現準確可重復測量；三是雙脈沖測試系統雜散電感對SiC器件波形影響更大，導致讀值異常；四是SiC器件在大電流關斷時di/dt高，模塊會承受較大的電壓應力，電壓尖峰容易超過安全工作區。

 

當前，芯聚能自主開發 SiC 車載主驅模塊，已于2020年8月完成設計定型，包括1200V/750V 多個版本，經過驗證，2021年Q4產能 >10萬塊/年，計劃于2022年Q1 SOP。

 

（內容根據現場資料整理，如有出入敬請諒解）