近日，第七屆國際第三代半導體論壇暨第十八屆中國國際半導體照明論壇（IFWS & SSLCHINA 2021）在深圳會展中心舉行。本屆論壇由第三代半導體產業技術創新戰略聯盟（CASA）、國家半導體照明工程研發及產業聯盟（CSA）聯合主辦，北京麥肯橋新材料生產力促進中心有限公司與半導體產業網共同承辦。

期間，由蘇州能訊高能半導體有限公司、羅德與施瓦茨、廣州南砂晶圓半導體技術有限公司共同協辦支持的”射頻電子器件與應用論壇“上，韓國Wavice Inc首席技術官兼器件部門總監Sangmin LEE帶來了題為“i-line步進器實現的具有各種柵極尺寸的GaN HEMT器件的性能和可靠性”的主題報告，分享了最新研究進展。

 

報告指出，最近，除了傳統的早期開發商如SEDI、Cree (Wolfspeed)、Qorvo和UMS外，GaN HEMT 器件已經由主要的基于Si和GaAs的代工服務公司生產，如Win Semiconductor、TSMC。在韓國，Wavice已開發出可制造的GaN HEMT。Wavice分別于2019年和2021年使用i-line步進光刻技術在SiC襯底上推出了0.4 um和0.3 um柵極GaN HEMT。尤其是0.3 um門器件已被開發用于支持sub-6Ghz 5G基站應用不斷增長的需求。

 

目前，用于X和Ku波段應用的0.2 um柵極器件也在開發中，也使用i-line步進器。通常，<0.25 um柵長器件需要電子束光刻或特殊的CD收縮技術。在Wavice中，所有那些 0.4、0.3和0.2 um器件都是通過簡單的光刻和ICP蝕刻技術生產的。根據開發的初步結果，柵極長度降至0.12um。

 

Sangmin Lee，現任Wavice Inc 首席技術官兼設備部門負責人，韓國西江大學理學學士，韓國西江大學理學碩士，韓國西江大學固體物理學博士。2010 ~ 2015 - Cree 研究科學家，2015~至今- Wavice首席技術官。主要研究領域，寬禁帶半導體器件，包括 GaN、SiC、Ga2O3 · 毫米波器件（InP DHBT、GaN HEMT 等） · 高功率器件的可靠性和故障機制。 

 

（內容根據現場資料整理，如有出入敬請諒解）