近日，第七屆國際第三代半導體論壇暨第十八屆中國國際半導體照明論壇（IFWS & SSLCHINA 2021）在深圳會展中心舉行。本屆論壇由第三代半導體產業技術創新戰略聯盟（CASA）、國家半導體照明工程研發及產業聯盟（CSA）聯合主辦，北京麥肯橋新材料生產力促進中心有限公司與半導體產業網共同承辦。
期間，由蘇州能訊高能半導體有限公司、羅德與施瓦茨、廣州南砂晶圓半導體技術有限公司共同協辦支持的”射頻電子器件與應用論壇“上，中國科學技術大學Alsaman A. amgad做了題為”HEMT器件通道內2DEG電荷的空間非均勻性“的主題報告。
報告指出，早期開發的傳統建模方法用于對Si、GaAs上的場效應晶體管進行建模，無法準確捕捉 GaN/AlGaN HEMT 器件物理特性。它們主要依賴于在相對較高的工作電壓下無法處理的漸進通道近似。使用蒙特卡羅電子傳輸方法的數值模擬表明，隨著施加電壓的增加，電子濃度和其他物理量（電場、漂移速度和溫度）沿著晶體管溝道變得強烈非均勻分布。這樣的結果使漸進通道近似受到質疑，并增加了對更可靠的基于物理的模型的需求，這些模型解釋了非均勻/非線性分布的物理量（電場、電位、漂移速度和電子濃度）。在研究工作中，使用電流連續性和三角量子阱近似推導出了沿 HEMT 通道的電子濃度分布的分析模型。電子濃度分布可用于準確估計不同偏置條件下的器件電容。
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