近日，由第三代半導體產業(yè)技術創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟（CASA）、國家半導體照明工程研發(fā)及產業(yè)聯(lián)盟（CSA）聯(lián)合主辦，北京麥肯橋新材料生產力促進中心有限公司與半導體產業(yè)網共同承辦的第七屆國際第三代半導體論壇暨第十八屆中國國際半導體照明論壇（IFWS & SSLCHINA 2021）在深圳會展中心舉行。
期間， “IFWS 2021：碳化硅功率器件與封裝應用論壇“成功召開。會議由蕪湖啟迪半導體有限公司、中國電子科技集團公司第四十八研究所、北京北方華創(chuàng)微電子裝備有限公司、德國愛思強股份有限公司協(xié)辦支持。
▲德國愛思強股份有限公司中國區(qū)副總經理方子文
▲德國愛思強股份有限公司中國區(qū)副總經理方子文
會上，德國愛思強股份有限公司中國區(qū)副總經理方子文分享了“促進寬禁帶半導體產業(yè)化的關鍵外延技術”主題報告。
他表示，在全球數(shù)字化和汽車電氣化大趨勢背景下，寬禁帶半導體材料以其性能優(yōu)勢催生眾多市場應用場景，在中短期內被越來越多的消費產品采用。基于氮化鎵和碳化硅為代表的寬禁帶半導體材料設計的功率器件，因減小了尺寸、重量和成本，同時擴大了里程范圍，在越來越多的汽車應用，而GaN也正加速滲透進消費市場。
他表示，在全球數(shù)字化和汽車電氣化大趨勢背景下，寬禁帶半導體材料以其性能優(yōu)勢催生眾多市場應用場景，在中短期內被越來越多的消費產品采用。基于氮化鎵和碳化硅為代表的寬禁帶半導體材料設計的功率器件，因減小了尺寸、重量和成本，同時擴大了里程范圍，在越來越多的汽車應用，而GaN也正加速滲透進消費市場。
為了在第三代半導體在消費市場取得進一步成功，實現(xiàn)器件的優(yōu)良性能，外延層的制備至關重要，不僅性能，而且成本和大批量生產能力都將成為關鍵性因素。方子文博士分析了寬禁帶半導體外延批量生產技術的最新進展，包括用于SiC外延的AIX G5 WWC和用于GaN外延的AIX G5+ C批量生產解決方案。
AIX G5 WW C MOCVD使用基于經過量產客戶驗證的AIXTRON行星式反應器平臺，并導入全自動化卡匣式（C2C）晶圓傳輸系統(tǒng)，實現(xiàn)了業(yè)內單腔最大片數(shù)(8 x 6英寸)及最大產能。它同時提供了靈活的6英寸和4英寸配置，旨在將生產成本壓縮到最低，同時保持優(yōu)良的產品質量。另外，2022年愛思強也將會在市場推出200mm（8英寸）設備。
（內容根據(jù)現(xiàn)場資料整理，如有出入敬請諒解！）
AIX G5 WW C MOCVD使用基于經過量產客戶驗證的AIXTRON行星式反應器平臺，并導入全自動化卡匣式（C2C）晶圓傳輸系統(tǒng)，實現(xiàn)了業(yè)內單腔最大片數(shù)(8 x 6英寸)及最大產能。它同時提供了靈活的6英寸和4英寸配置，旨在將生產成本壓縮到最低，同時保持優(yōu)良的產品質量。另外，2022年愛思強也將會在市場推出200mm（8英寸）設備。
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