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F1-功率電子器件與應用論壇（碳化硅功率器件） |
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時間：2021年12月6日 地點：深圳會展中心• 六層茉莉廳 Time: Dec 6th，2021 Location: Shenzhen Convention and Exhibition Center • 6th Floor Jasmine Hall |
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屏幕尺寸 / Slides Size：16:9 |
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主持人 Moderator |
盛 況——浙江大學電氣工程學院院長、教授 張清純——復旦大學特聘教授、上海碳化硅功率器件工程技術研究中心主任 |
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13:30-13:55 |
SiC Mass Commercialization: Present Status and Barriers Victor VELIADIS-- Chief Officer and CTO of Power America, Professor of North Carolina State University Victor VELIADIS--美國電力首席執行官兼首席技術官、北卡羅萊納州立大學教授 |
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13:55-14:15 |
SiC器件和模塊的最新進展 Recent Advances of SiC Power Devices (TBD) 張清純-復旦大學特聘教授、上海碳化硅功率器件工程技術研究中心主任 Jon Zhang--Distinguished Professor of Fudan University |
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14:15-14:35 |
SiC器件在新能源汽車產業中的應用 Application of SiC devices in the new energy automobile industry 吳壬華--深圳欣銳科技股份有限公司董事長 WU Renhua—Chair of the Board, SHINRY |
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14:45-15:10 |
The Question: Will SiC chips be widely adopted by Electric Vehicles in 2025-2030? Anant AGARWAL—美國俄亥俄州立大學教授、IEEE會士 Anant AGARWAL—Professor of The Ohio State University, IEEE Fellow |
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SiC功率器件制造工藝特點與核心裝備創新進展 Manufacturing process characteristics and key equipment development of SiC power devices 鞏小亮 — 中國電子科技集團公司第四十八研究所 半導體裝備研究部副主任 Xiaoliang Gong— Deputy director of Semiconductor equipment research department, the 48th Research Institute of China Electronics Technology Group Corporation |
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15:10-15:35 |
SiC MOS器件氧化后退火新途徑——低溫再氧化退火技術A new approach of post-oxidation annealing for SiC MOS devices -- the low-temperature re-oxidation annealing technology 王德君 大連理工大學教授 Wang Dejun Professor of Dalian University of Technology |
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15:35-15:50 |
茶歇/Coffee break |
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15:50-16:15 |
SiC 功率MOSFET器件的可靠性研究 Development trends and challenges of SiC Power MOSFET device 張藝蒙--西安電子科技大學微電子學院教授 Yimeng Zhang-- Professor of School of Microelectronics, Xidian University |
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第三代半導體碳化硅器件產業化關鍵技術及發展進展The key technology and development progress of the Wide Band-gap semiconductor silicon carbide device industrialization 鈕應喜 蕪湖啟迪半導體有限公司研發總監 NIU Yingxi R&D Director of Wuhu Advanced Semiconductor Manufacturing Co.,ltd |
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促進寬禁帶半導體產業化的關鍵外延技術The key epitaxial technology to promote the industrialization of wide bandgap semiconductors
方子文 德國愛思強股份有限公司中國區副總經理 FANG Ziwen Deputy General Manage，China AIXTRON SE |
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先進封裝大板扇出研發及功率器件封裝應用 The Research on Panel Level Fan Out Package and its Application on Power Electronics 林挺宇——廣東佛智芯微電子技術研究有限公司副總經理，廣東省半導體智能裝備與系統集成創新中心首席科學家 Tingyu LIN—Deputy General Manager of Guangdong FZX Microelectronics Technology Co. Ltd, Principal Scientist of CNC Equipment Cooperative Innovation Institute |
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16:15-16:40 |
高可靠功率系統集成的發展和挑戰 Development and Challenge of High-Reliability Power System in Packaging 侯峰澤—中國科學院微電子研究所系統封裝與集成研發中心副研究員 Fengze Hou—Associate Professor、 Packaging and Integration Research and Development Center, Institute of Microelectronics of Chinese Academy of Sciences |
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16:40-17:05 |
用于SiC功率器件的先進封裝解決方案 Advanced packaging solution for SiC power devices 張靖—賀利氏電子中國區研發總監 ZHANG Jing—Director of Innovation China of Heraeus Electronics |
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壓裝式IGBT雙面熱阻測試方法的研究與應用Research and Application of Double-sided Thermal Resistance Test Method for Press-pack IGBT 張祎慧 |
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17:05-17:30 |
High-Efficiency 1200 V/ 20 A 4H-SiC JBS Diodes with Better FOM based on Charge-Balance Strategy 張園覽--復旦大學 Yuan-Lan ZHANG—Fudan University |
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附件：論壇資料
暨第十八屆中國國際半導體照明論壇
&The 18th China International Forum onSolid State Lighting
2021先進半導體技術應用創新展（CASTAS 2021）也同時招展中，歡迎業界人士的參與其中，對接資源，洽談商機，共商產業發展大計。
備注：
＊國家半導體照明工程研發及產業聯盟（CSA）或第三代半導體產業技術創新戰略聯盟（CASA）成員單位在此基礎上再享受10%優惠。
＊學生參會需提交相關證件。
＊會議現場報到注冊不享受各種優惠政策。
＊若由于某些原因，您繳費后無法參會，可辦理退款事宜，組委會將扣除已繳費金額的40%作為退款手續費。
＊SSL相關會議包含：開幕大會、半導體照明與應用論壇、Mini/Micro-LED及其他新型顯示論壇、超越照明論壇、固態紫外器件與應用論壇、材料與裝備論壇、車用半導體創新合作峰會、第三代半導體產教融合發展論壇、生物農業光照技術研討會、閉幕儀式。
＊IFWS相關會議包含：開幕大會、功率電子器件與應用論壇、射頻電子器件與應用論壇、材料與裝備論壇、固態紫外器件與應用論壇、車用半導體創新合作峰會、第三代半導體產教融合發展論壇、第三代半導體標準與檢測研討會、閉幕儀式。
＊產業峰會包含：車用半導體創新合作峰會、第三代半導體產教融合發展論壇，以及部分論壇中的產業單元（包括照明設計與文旅燈光、智慧照明與智慧城市、汽車照明與車用燈具、紫外器件應用、Mini/Micro-LED應用與產業、新一代電源應用技術、能源互聯網應用技術等會議單元）。
＊餐飲包含：12月6日午餐、6日歡迎晚宴（大中華希爾頓酒店）、7日午餐+晚餐。
